(1)若所有电子均能经过O进入电场,求磁感应强度B的最小值;
(2)取(1)问中最小的磁感应强度B,若进入磁场中电子的速度方向与x轴正方向最大夹角为θ,求tanθ的绝对值;
(3)取(1)问中最小的磁感应强度B,求电子在电场中运动时y轴正方向的最大位移。
2 . 如图所示,在xOy平面第一象限内,直线y=0与直线 y=x之间存在磁感应强度为B,方向垂直纸面向里的匀强磁场,x轴下方有一直线CD与x轴平行且与x轴相距为a,x轴与直线CD之间(包含x轴)存在沿 y轴正方向的匀强电场,在第三象限,直线 CD与直线 EF 之间存在磁感应强度也为B、方向垂直纸面向外的匀强磁场。纸面内有一束宽度为 a 的平行电子束,如图,沿y轴负方向射入第一象限的匀强磁场,各电子的速度随入射位置不同大小各不相等,电子束的左边界与y轴的距离也为a,经第一象限磁场偏转后发现所有电子都可以通过原点并进入 x轴下方的电场,最后所有电子都垂直于 EF 边界离开磁场。其中电子质量为m,电量大小为e,电场强度大小为则下列说法正确的是( )
A.电子进入 x轴上方磁场前的最大速度 |
B.电子经过直线CD时的最小速度 |
C.速度最小的电子在第三象限磁场中做圆周运动的圆心坐标(,) |
D.直线 EF 的方程 |
(1)微粒从点射入磁场时的速度大小;
(2)点到点的距离;
(3)微粒从点运动到点所用的时间。
A.电场方向沿x轴正方向 | B.粒子在O点的速度大小为 |
C.匀强电场的电场强度为 | D.O、P两点间的电势差为 |
5 . 制造芯片的过程中,需要用电磁场精准控制粒子的轨迹,如图所示,区域I中正交的电磁场构成了一个速度选择器,右侧足够大的长方体被分成两个区域,区域Ⅱ中存在竖直向上的匀强磁场,区域Ⅲ中存在水平向左的匀强电场。质量为m,带电荷量为的粒子从区域I左侧的小孔O以垂直电磁场方向的速度射入,该粒子沿直线穿越区域I,从右侧的小孔离开,沿直线由P点进入区域Ⅱ,P点到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离为d,粒子由区域Ⅱ、Ⅲ边界上的Q点(未画出)进入区域Ⅲ,Q点到长方体左侧面的距离为,最终粒子运动到长方体左侧面的S点,粒子在S点的速度与左侧面的夹角为,忽略粒子的重力。
(1)求区域Ⅱ中磁感应强度的大小;
(2)求区域Ⅲ中电场强度的大小以及S点到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离;
(3)将区域I中的磁感应强度变为原来的2倍,改变粒子的速度,粒子仍从O点射入,结果发现粒子仍沿直线由P射入区域Ⅱ,求该粒子第二次运动到长方体左侧面时到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离。
(1)粒子纵坐标的最大值ym;
(2)粒子第5次经过x轴正半轴时运动的总时间t;
(3)粒子第n次经过x轴正半轴时运动的总路程s。
(1)粒子在磁场区域运动的轨迹半径r;
(2)粒子在磁场区域运动的最长时间t;
(3)粒子打在y轴上离原点O的最远距离d,以及粒子的最大电势能(取坐标原点电势为0)。
(1)b点与O点的距离;
(2)圆形匀强磁场区域的最小半径;
(3)b点到c点的距离。
(1)磁感应强度为多大;
(2)圆形匀强磁场区域的最小面积;
(3)在圆形磁场面积最小时,质子第三次经过y轴的y坐标。
(1)该粒子从P点入射到打在荧光屏上所经过的时间;
(2)若OP=0.5L,该粒子打在荧光屏上的位置到Q点的距离。