工业制备高纯硅的主要过程如下：石英砂粗硅高纯硅下列说法错误的是A．制备粗硅的反应方程式为B．1molSi含Si-Si键的数目约为C．原料气HCl和应充分去除水和-组卷网

题型：单选题难度：0.65 引用次数：8421 题号：19262757

工业制备高纯硅的主要过程如下：
石英砂

粗硅

高纯硅
下列说法错误的是

A．制备粗硅的反应方程式为

B．1molSi含Si-Si键的数目约为

C．原料气HCl和

应充分去除水和氧气

D．生成

的反应为熵减过程

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更新时间：2023-06-14 16:08:23 |

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【知识点】硅的制备解读熵判据解读实验安全解读常见共价晶体的结构

相似题推荐

单选题 | 适中 (0.65)

名校

【推荐1】在给定的条件下，下列选项所示的物质间转化均能实现的是

A．SSO₃H₂SO₄	B．NH₃N₂HNO₃
C．SiO₂SiSiCl₄Si	D．海水Mg(OH)₂ Mg

2017-09-09更新 | 274次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

名校

【推荐2】下列不涉及氧化还原反应的是

A．补铁剂（有效成分为Fe²⁺）与维生素C共服效果更佳

B．雷雨肥庄稼——自然固氮

C．灰肥相混损肥分——灰中含有碳酸钾，肥中含有铵盐

D．从沙滩到用户——由二氧化硅制晶体硅

2019-06-01更新 | 544次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

【推荐3】类比推理是化学学习中的一种重要方法。下列类推结论正确的

	类比对象	结论
A	Cl₂+H₂O=HCl+HClO	I₂+H₂O=HI+HIO
B	C+2CuO2Cu+CO₂↑	C+SiO₂Si+ CO₂↑
C	Na₂O+H₂O=2NaOH	CuO+H₂O=Cu(OH)₂
D	Ca(ClO)₂+CO₂+H₂O=CaCO₃↓+2HClO	Ca(ClO)₂+SO₂+H₂O=CaSO₃↓+2HClO

A．A

B．B

C．C

D．D

2011-11-08更新 | 438次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

名校

解题方法

化学平衡常数的计算转化率、产率计算

【推荐1】工业上用CO和H₂合成CH₃OH：CO(g)＋2H₂(g)

CH₃OH(g) ΔH。反应的平衡常数K如表：

温度/℃	T₁	100	T₂	200	300
平衡常数K	100	13	1	1.9×10	2.4×10

下列说法错误的是

A．ΔH＜0	B．该反应的ΔS＜0
C．T₂时，某时刻1L容器中含0.1molCO、0.2molH₂和0.3molCH₃OH，此时v正＞v逆	D．T₁时，向1L密闭容器中投入0.1molCO和0.2molH₂，平衡时CO转化率为50%

2022-11-12更新 | 78次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

名校

【推荐2】下列叙述中正确的是

A．反应MgCl₂(l)＝Mg(l)＋Cl₂(g)的ΔH＜0、ΔS＞0

B．加热Na₂CO₃溶液，

增大

C．由热化学方程式2CO(g)＋O₂(g)＝2CO₂ (g) ΔH＝－566 kJ·mol^－¹可知，CO的燃烧热是566 kJ·mol^－¹

D．中和等体积、等浓度的醋酸和盐酸，醋酸消耗的NaOH的物质的量小

2019-12-06更新 | 172次组卷

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名校

解题方法

与气体摩尔体积22.4L/mol相关的NA的应用化学平衡状态的判断

【推荐3】一种合成HCN的反应原理为NH₃(g)+C(s)

HCN(g)+H₂(g)。下列叙述正确的是

A．该反应的∆H＜0、∆S＜0

B．该反应的平衡常数K=

C．强热下该反应每生成22.4LHCN气体转移电子数目为2×6.02×10²³

D．单位时间内断裂N-H键数目是断裂H-H键数目的3倍时，该反应达到平衡状态

2020-12-15更新 | 112次组卷

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解题方法

仪器的使用与基本操作

【推荐1】下列仪器能直接加热的是

A．

B．

C．

D．

2023-04-06更新 | 31次组卷

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解题方法

仪器的使用与基本操作药品取用与实验安全

【推荐2】下列说法正确的是

A．洗涤沉淀时，应开大水龙头，使洗涤剂通过沉淀物

B．分液漏斗使用前，向分液漏斗中加少量水，检查旋塞芯处是否漏水，待确认不漏水后即可使用

C．实验过程中不小心烫伤，先用冷水洗涤伤处

D．测定镀锌铁皮镀层厚度时，未及时将铁片从稀硫酸中取出，会导致结果偏高

2022-02-22更新 | 307次组卷

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解题方法

药品取用与实验安全

【推荐3】下列说法不正确的是

A．实验室中可以将未用完的钠、钾直接丢弃

B．不慎洒出的少量酒精在桌上着火时，立即用湿抹布盖灭

C．对于含重金属离子的废液，可利用沉淀法进行处理

D．如果不慎将碱沾到皮肤上，应立即用大量水冲洗，然后涂上1%的硼酸

2023-03-02更新 | 118次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

解题方法

典型晶体模型物质的熔沸点比较规律

【推荐1】已知SiC晶体的结构与金刚石和晶体硅相似，下面关于SiC晶体网状结构的叙述不正确的是

A．存在四面体结构单元，C处于中心，Si处于4个顶角

B．最小的环上，有3个Si原子和3个C原子

C．SiC晶体的熔点介于金刚石和晶体硅之间

D．SiC晶体有很好的延展性

2022-04-30更新 | 354次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

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【推荐2】砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，熔点为1238℃，用于制作太阳能电池的材料，其结构如图所示，其中以原子1为原点，原子2的坐标为(1，1，1)。下列有关说法中错误的是

A．原子3的坐标为(，，)	B．Ga的配位数为4
C．GaAs为共价晶体	D．若将Ga换成Al，则晶胞参数将变小

2023-06-03更新 | 828次组卷

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单选题 | 适中 (0.65)

名校

【推荐3】N_A代表阿伏加德罗常数，下列说法正确的是

A．标况下22.4LCl₂与足量Fe反应生成FeCl₃，转移电子数为3N_A

B．KClO₃+6HCl=3Cl₂↑+KCl+3H₂O，若产生71gCl₂，则转移电子数为2N_A

C．N₂(g)+3H₂(g)

2NH₃(g) △H=-93kJ/mol，若该条件下1molN₂和6molH₂反应，放热31kJ，则转移电子数为2N_A

D．1molSiO₂晶体中含有共价键数目为2N_A

2022-10-08更新 | 298次组卷

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