【推荐2】已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E。其中A、B、C是同一周期的非金属元素。化合物DC中化学键为离子键，D的二价阳离子与C的阴离子具有相同的电子层结构。AC₂为非极性分子。B、C的氢化物的沸点比它们同族相邻周期元素氢化物的沸点高。E的原子序数为24，ECl₃能与B、C的氢化物形成六配位的配合物，且B、C氢化物的物质的量之比为2∶1，三个氯离子位于外界。请根据以上情况，回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
（1）A、B、C的第一电离能由小到大的顺序为________________。
（2）B的氢化物的分子立体构型是________________，中心原子的杂化类型是_______。
（3）写出化合物AC₂的电子式_______________。
（4）E的基态原子核外电子排布式是_________________，ECl₃形成的配合物的化学式为________。
（5）B的最高价氧化物对应的水化物的稀溶液与D的单质反应时，B被还原到最低价，该反应的化学方程式是___________________。

【推荐3】化学·选修3:物质结构与性质
氟及其化合物用途非常广泛，自然界中氟多以化合态形式存在,主要有萤石（CaF₂）、冰晶石（ Na³AlF⁶）等。回答下列问题:
（1）基态氟原子中有_________________种能量不同的电子。
（2）NF₃是微电子工业中优良的等离子刻蚀气体。NF₃与NH₃的空间构型相同,但是NH₃（ -33° C）的沸点比NF₃（ -129° C）的高，原因为_____________。
（3）氟硼酸（ HBF₄,属于强酸）常用于替代浓硫酸作铅蓄电池的电解质溶液,可由HF和BF₃合成，从化学键形成角度分析HF与BF₃能化合的原因:________。
（4）液态[H₂F]⁺中存在[H₂F]⁺和[HF₂]^- ,[HF₂]^-的结构可表示为[F-H…F]^- ,[H₂F]⁺的VSEPR模型名称为________形。NaHF₂可用于制无水氟化氢和供雕刻玻璃、木材防腐等。常温常压下为白色固体,易溶于水,160°C分解。NaHF₂中所含作用力的类型有______. （填字母）。
a 离子键               b 共价键                  c 配位键                       d 氢键
（5）CaF₂是难溶化合物,其晶胞结构如图所示:

①若原子坐标参数A处为（0,0,0）,B处为（,C处为（1，1，1）,则D处为_____.
②每个Ca²⁺周围距离最近的Ca²⁺共有_____个。
③已知:CaF₂晶体密度为cg·cm^-3 ,则晶胞中Ca²⁺与最近的F^-之间的距离为____nm（设N_A表示阿伏加 德罗常数的值,用含c、N_A的式子表示）。

【推荐1】现有A、B、C、D、E、F原子序数依次增大的六种元素，它们位于元素周期表的前四周期．B元素含有3个能级，且每个能级所含的电子数相同；D的原子核外有8个运动状态不同的电子；E元素与F元素处于同一周期相邻的族，它们的原子序数相差3，且E元素的基态原子有4个未成对电子．请回答下列问题：
⑴请写出：D基态原子的价层电子排图： ______ ；F 基态原子的外围电子排布式： ______ ．
⑵下列说法错误的是 ______ ．
A.二氧化硅的相对分子质量比二氧化碳大，所以沸点：SiO₂ > CO₂
B.电负性顺序：B < C < D
C.N₂与CO为等电子体，结构相似
D.稳定性：H₂O > H₂S，水分子更稳定的原因是水分子间存在氢键
⑶F离子是人体内多种酶的辅因子，人工模拟酶是当前研究的热点，向F的硫酸盐溶液中通入过量的C与A形成的气体X可生成(F(X)₄)²⁺，该离子的结构式为 ______   用元素符号表示．
⑷某化合物与F(I)(Ⅰ表示化合价为+1)结合形成图所示的离子，该离子中碳原子的杂化方式有 ______ ．

⑸B单质的一种同素异形体的晶胞如图2所示，则一个晶胞中所含B原子数为 ______ ．
⑹D与F形成离子个数比为1：1的化合物，晶胞与NaCl类似，设D离子的半径为a pm，F离子的半径b pm，求该晶胞的空间利用率 ______ ．

【推荐2】根据已学知识，请回答下列问题：
(1)最外层电子排布为的基态原子的核电荷数为_______。
(2)某元素被科学家称之为人体微量元素中的“防癌之王”，其基态原子的外围电子排布式为，该元素的名称是_______
(3)基态Fe原子中，电子填充的能量最高的能级符号为_______；基态N原子的轨道表示为_______。
(4)已知熔融的不导电，则属于_______晶体，中心原子的杂化类型为_______。
(5)氨水中存在_______种氢键，任写其中的一种_______。
(6)As的电子排布简式为：[Ar]_______；它有两种含氧酸：和，其中酸性较强的是_______。
(7)的一种配离子中，的配位数是_______。配体中心原子的杂化类型为_______。CoO的熔点是1935℃，CoS的熔点是1135℃，试分析CoO的熔点较高的原因_______

【推荐3】锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
(1)基态Ge原子的电子排布式为_______，有_______个未成对电子。
(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_______。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔点/℃	-49.5	26	146
沸点/℃	83.1	186	约400

(3)Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为_______，微粒之间存在的作用力是_______。
(4)原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。如图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(，0，)；C为(，，0)；则D原子的坐标参数为_______。