1 . 短周期主族元素、、、、、的原子序数依次增加，六种元素分别位于第二、三周期，的最外层电子数等于最内层电子数，的最外层电子数是最内层电子数的倍，为短周期元素中电负性最强的元素，是短周期元素中原子半径最大的元素，与同主族，与同主族。已知：短周期主族元素中处于“左上角与右下角相邻对角线位置”的两种元素的化学性质相似。下列说法错误的是

A．单质能与的最高价氧化物对应的水化物反应

B．简单氢化物的稳定性：

C．单质可以从的盐溶液中置换出来单质

D．的氧化物为光导纤维的主要成分

2 . (一)硅、锗(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域。回答下列问题：
(1)晶体硅和碳化硅熔点较高的是_______(填化学式)；
(2)硅和卤素单质反应可以得到SiX₄。SiX₄的熔沸点如下表：

	SiF4	SiCl4	SiBr4	SiI4
熔点/K	183.0	203.2	278.6	393.7
沸点/K	187.2	330.8	427.2	560.7

①沸点依次升高的原因是_______
②SiCl₄与N-甲基咪唑( )反应可以得到M²⁺，其结构如图所示：

N-甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为_______，H、C、N的电负性由大到小的顺序为_______，1个M²⁺中含有_______个σ键；
(二)很多含巯基(-SH)的有机化合物是重金属元素汞的解毒剂。例如，解毒剂化合物I可与氧化汞生成化合物Ⅱ。
(I) (Ⅱ) (Ⅲ) (Ⅳ)
(3)H₂S、CH₄、H₂O的沸点由高到低顺序为_______。
(4)化合物Ⅲ也是一种汞解毒剂。化合物Ⅳ是一种强酸。下列说法正确的有_______。
A．在I中S原子采取sp³杂化
B．在Ⅱ中S元素的电负性最大
C．在Ⅲ中C-C-C键角是180°
D．在Ⅲ中存在离子键与共价键
E．在Ⅳ中硫氧键的键能均相等
(5)化合物AlN是人工合成的半导体材料，它的晶胞结构如图所示，(其中白球所示原子位于立方体的顶点或面心，黑球所示原子位于立方体内)。若AlN的晶胞参数为apm，则晶体的密度为_______g/cm³(用N_A表示阿伏加德罗常数)。

3 . 下列各项叙述中，正确的是

A．N、P、As的电负性随原子序数的增大而增大

B．价电子排布为3d54s2的元素位于第四周期VA族，是p区元素

C．2p和3p轨道形状均为哑铃形，能量也相等

D．氮原子的最外层电子排布图：

4 . 近日，我国研究人员利用硫氰酸甲基铵{[CH₃NH₃]⁺[SCN]^-}气相辅助生长技术，成功制得稳定的钙钛矿型甲脒铅碘(FAPbI₃)。请回答下列问题：
(1)基态S原子的价电子排布图为___________。
(2)甲脒(FA)的结构简式为
①其组成元素的电负性由小到大的排序为___________，其中碳原子的杂化方式为___________。
②甲脒比丙烷的熔点更高的原因是___________。
(3)FAPbI₃的晶体结构单元如图所示，图中Y表示Pb，位于八面体中心，则甲脒的碘配位数为___________。