1 . 如图所示，
区域存在着垂直
平面向外的匀强磁场，在第四象限的空间中存在着平行于平面沿y轴正方向的匀强电场。一质量为m，带电量为q的带正电粒子从坐标原点以初速度
射入磁场，方向与x轴负方向成
角斜向上，然后经过M点进入电场，并从y轴负半轴的N点垂直y轴射出电场。已知M点坐标为（L，0），粒子所受的重力不计，求：
（1）画出带电粒子在磁场和电场中全程运动的轨迹；
（2）匀强磁场的磁感应强度B的大小。
（3）匀强电场的电场强度E的大小。
区域存在着垂直平面向外的匀强磁场，在第四象限的空间中存在着平行于平面沿y轴正方向的匀强电场。一质量为m，带电量为q的带正电粒子从坐标原点以初速度射入磁场，方向与x轴负方向成角斜向上，然后经过M点进入电场，并从y轴负半轴的N点垂直y轴射出电场。已知M点坐标为（L，0），粒子所受的重力不计，求：（1）画出带电粒子在磁场和电场中全程运动的轨迹；
（2）匀强磁场的磁感应强度B的大小。
（3）匀强电场的电场强度E的大小。
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2 . 如图所示，正方形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一带电粒子垂直于磁场边界从a点射入，从b点射出。下列说法正确的是（ ）
| A．粒子带正电 |
| B．若仅增大磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出 |
| C．若仅减小磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出 |
| D．若仅增大入射速率，则粒子在磁场中运动时间变长 |
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名校
3 . 在半导体芯片制造过程中，通过注入离子改变材料的导电性能，它是芯片制造中一道重要的工序。为了精准注入离子，需要在有限的特定空间内加以电磁场，对离子的运动进行调控。如图为其中一个模型，一边长为0.64m的正方形abcd内存在一垂直纸面的匀强磁场，在正方形的正中心有一离子发射源，可向纸面内任何方向发射初速度为
，比荷为
的正离子，改变磁场的大小和方向，可使离子到达相应的位置。关于离子在磁场中的运动说法正确的是（ ）
，比荷为的正离子，改变磁场的大小和方向，可使离子到达相应的位置。关于离子在磁场中的运动说法正确的是（ ） A．为使这些正离子都不能穿出该磁场，则该磁场的磁感应强度 |
B．为使这些正离子都不能穿出该磁场，则该磁场的磁感应强度 |
C．若磁感应强度为 ，离子在磁场运动的最短时间为 |
D．若磁感应强度垂直纸面向里且大小为 ，bc边有离子射出的宽度为0.24m |
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2023-05-24更新
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198次组卷
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3卷引用：广西壮族自治区来宾市2022-2023学年高二下学期5月期中物理试题
4 . 如图所示，在坐标系的第Ⅰ象限内存在沿
轴负方向的匀强电场，在第Ⅳ象限内存在垂直坐标平面向里的匀强磁场。一质量为
、电荷量为
的带正电粒子（粒子所受重力不计）从坐标原点
射入磁场，其入射方向与
轴正方向的夹角
，第一次进入电场后，粒子到达坐标为
的
点处时的速度大小为
、方向沿轴正方向。求：
（1）粒子从点射入磁场时的速度大小；
（2）电场的电场强度大小
以及磁场的磁感应强度大小
；
（3）粒子从点运动到点的时间
。
坐标系的第Ⅰ象限内存在沿轴负方向的匀强电场，在第Ⅳ象限内存在垂直坐标平面向里的匀强磁场。一质量为、电荷量为的带正电粒子（粒子所受重力不计）从坐标原点射入磁场，其入射方向与轴正方向的夹角，第一次进入电场后，粒子到达坐标为的点处时的速度大小为、方向沿轴正方向。求：（1）粒子从
点射入磁场时的速度大小；（2）电场的电场强度大小
以及磁场的磁感应强度大小；（3）粒子从
点运动到点的时间。
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2022-01-27更新
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823次组卷
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8卷引用：2022届广西来宾市合山高级中学高三下学期仿真模拟理综物理试题
2022届广西来宾市合山高级中学高三下学期仿真模拟理综物理试题2022届山东省名校联盟高三上学期期末阶段质量检测物理试题（已下线）三轮冲刺卷03-【赢在高考·黄金20卷】备战2022年高考物理模拟卷（山东专用）（已下线）押题精选13 电学解答题-2022年高考物理108所名校押题精选2023步步高 二轮复习专题三 微专题4 带电粒子在复合场中的运动2023三维设计大二轮 第一篇 专题三 微专题4 带电粒子在复合场中的运动 （练）（已下线）专题7.3 电磁学计算题的命题视角-2023届高考物理二、三轮复习总攻略2023年二轮复习讲义（新高考版）专题3 微专题4 带电粒子在复合场中的运动-练
