1 . 如图所示，一个质量为m、带负电荷粒子的电荷量为q、不计重力的带电粒子从x轴上的P点以速度ν沿与＋x轴成60°的方向射入第一象限内的匀强磁场中，恰好垂直于y轴射出第一象限。已知。
（1）求匀强磁场的磁感应强度B的大小；
（2）让大量这种带电粒子同时从x轴上的P点以速度ν沿与＋x轴成0~180°的方向垂直磁场射入第一象限内，求y轴上有带电粒子穿过的区域范围和带电粒子在磁场中运动的最长时间。
（3）为了使该粒子能以速度ν垂直于y轴射出，实际上只需在第一象限适当的地方加一个垂直于xOy平面、磁感强度为的匀强磁场。若此磁场仅分布在一个矩形区域内，试求这矩形磁场区域的最小面积。

2 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工应。为了准确的注入离子，需要在一个空间中用电场、磁场对离子的运动轨迹进行调控。图所示便是一种调控粒子轨迹的模型。如图所示，在平面（纸面）内，空间存在方向垂直纸面向里的匀强磁场，第三象限空间存在方向沿轴正方向的匀强电场。一质量为、电荷量为的带正电粒子（不计重力），以大小为、方向与轴垂直的速度沿纸面从坐标为的点进入电场中，然后从坐标为的点进入磁场区域，再次垂直经过轴之后，最后从轴正半轴上的点（图中未画出）射出磁场。求：
（1）电场强度的大小；
（2）磁场的磁感应强度大小；
（3）粒子从点运动到点所用的时间

3 . 如图所示， 在平面直角坐标系xOy的第四象限有垂直纸面向里的匀强磁场，一质量为 电量为 的带电粒子。从静止开始经的电压加速后，从P点沿图示方向进入磁场，已知，（粒子重力不计，，

求：

（1） 带电粒子到达 P 点时速度v大小；

（2）若要求粒子不能进入x轴上方，磁感应强度的最小值B是多大（要求画出粒子运动的轨迹）。

   

4 . 如图所示，有界匀强磁场边界线SP∥MN，速率不同的同种带电粒子（重力不计且忽略粒子间的相互作用）从S点沿SP方向同时射入磁场。其中穿过a点的粒子速度v₁与MN垂直；穿过b点的粒子速度v₂与MN成60°角，则粒子从S点分别到a、b所需时间之比为（　　）

   

A．1∶3

B．4∶3

C．3∶2

D．1∶1

5 . 如图所示，区域存在着垂直平面向外的匀强磁场，在第四象限的空间中存在着平行于平面沿y轴正方向的匀强电场。一质量为m，带电量为q的带正电粒子从坐标原点以初速度射入磁场，方向与x轴负方向成角斜向上，然后经过M点进入电场，并从y轴负半轴的N点垂直y轴射出电场。已知M点坐标为（L，0），粒子所受的重力不计，求：
（1）画出带电粒子在磁场和电场中全程运动的轨迹；
（2）匀强磁场的磁感应强度B的大小。
（3）匀强电场的电场强度E的大小。
   

6 . 如图所示，间距为d=0.1m的平行线MN、PQ之间有垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小B=0.5T。一质量、电量的带电粒子从A点与边界成θ=60°角垂直射入磁场，并从C点垂直边界射出，不计粒子重力，求：
（1）粒子的初速度v₀大小及在磁场中的运动时间；
（2）如果该粒子的入射点、入射方向及速度大小均不变，要使其不能从磁场边界PQ射出，磁感应强度大小应满足的条件。
   

7 . 如图所示，正方形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一带电粒子垂直于磁场边界从a点射入，从b点射出。下列说法正确的是（　　）
   

A．粒子带正电

B．若仅增大磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出

C．若仅减小磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出

D．若仅增大入射速率，则粒子在磁场中运动时间变长

8 . 如图所示，A、C两点分别位于x轴和y轴上，，的长度为L。在区域内（包括边界）有垂直于平面向里的匀强磁场。质量为m、电荷量为q的带电粒子，以各种不同的速度垂直边射入磁场。已知粒子从某点射入时，恰好垂直于边射出磁场，且粒子在磁场中运动的时间为。不计重力。下列说法正确的是（　　）
   

A．带电粒子带负电

B．磁场的磁感应强度的大小为

C．从中点射入磁场的带电粒子可以从C点出射

D．能从边射出的带电粒子最大射入速度是

9 . 如图所示，一带电荷量为q、质量为m的粒子，从直线上一点O沿与PO方向成角的方向进入磁感应强度为B的匀强磁场中，经过时间t后到达直线上的P点，求：
（1）粒子做圆周运动的周期；
（2）磁感应强度B的大小；
（3）若O、P之间的距离为a，则粒子的运动速度的大小。
   

10 . 如图所示，空间存在垂直纸面向外、磁感应强度大小为的匀强磁场，粒子源可沿纸面向各个方向以相同的速率发射质量为、带电荷量为的正粒子，一薄光屏与纸面的交线为PQ，OQL，PQ2L，。要使左、右两侧所有点均能被粒子打中，则粒子的速率至少为（　　）
   

A．

B．

C．

D．