1 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工应。为了准确的注入离子，需要在一个空间中用电场、磁场对离子的运动轨迹进行调控。图所示便是一种调控粒子轨迹的模型。如图所示，在平面（纸面）内，空间存在方向垂直纸面向里的匀强磁场，第三象限空间存在方向沿轴正方向的匀强电场。一质量为、电荷量为的带正电粒子（不计重力），以大小为、方向与轴垂直的速度沿纸面从坐标为的点进入电场中，然后从坐标为的点进入磁场区域，再次垂直经过轴之后，最后从轴正半轴上的点（图中未画出）射出磁场。求：
（1）电场强度的大小；
（2）磁场的磁感应强度大小；
（3）粒子从点运动到点所用的时间

2 . 如图所示，边长为L的正方形abcd区域内分布磁感应强度大小为B、方向垂直于纸面向里的匀强磁场。从ab边的中点P处发射速率不同、质量为m、电荷量为q的带正电粒子，粒子沿纸面与Pb成的方向射入该磁场区域，不计粒子的重力及粒子间的相互作用。
（1）若带电粒子垂直于ad边射出磁场，求该粒子的运动时间；
（2）求ab边界有粒子离开磁场的区域长度；
（3）若粒子离开磁场时的速度方向偏转了60°，求该粒子的速度大小。

3 . 如图所示， 在平面直角坐标系xOy的第四象限有垂直纸面向里的匀强磁场，一质量为 电量为 的带电粒子。从静止开始经的电压加速后，从P点沿图示方向进入磁场，已知，（粒子重力不计，，

求：

（1） 带电粒子到达 P 点时速度v大小；

（2）若要求粒子不能进入x轴上方，磁感应强度的最小值B是多大（要求画出粒子运动的轨迹）。

   

4 . 如图所示，有界匀强磁场边界线SP∥MN，速率不同的同种带电粒子（重力不计且忽略粒子间的相互作用）从S点沿SP方向同时射入磁场。其中穿过a点的粒子速度v₁与MN垂直；穿过b点的粒子速度v₂与MN成60°角，则粒子从S点分别到a、b所需时间之比为（　　）

   

A．1∶3

B．4∶3

C．3∶2

D．1∶1

5 . 如图所示，区域存在着垂直平面向外的匀强磁场，在第四象限的空间中存在着平行于平面沿y轴正方向的匀强电场。一质量为m，带电量为q的带正电粒子从坐标原点以初速度射入磁场，方向与x轴负方向成角斜向上，然后经过M点进入电场，并从y轴负半轴的N点垂直y轴射出电场。已知M点坐标为（L，0），粒子所受的重力不计，求：
（1）画出带电粒子在磁场和电场中全程运动的轨迹；
（2）匀强磁场的磁感应强度B的大小。
（3）匀强电场的电场强度E的大小。
   

6 . 如图所示，间距为d=0.1m的平行线MN、PQ之间有垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小B=0.5T。一质量、电量的带电粒子从A点与边界成θ=60°角垂直射入磁场，并从C点垂直边界射出，不计粒子重力，求：
（1）粒子的初速度v₀大小及在磁场中的运动时间；
（2）如果该粒子的入射点、入射方向及速度大小均不变，要使其不能从磁场边界PQ射出，磁感应强度大小应满足的条件。
   

7 . 如图所示，正方形区域内存在垂直纸面的匀强磁场。一带电粒子垂直于磁场边界从a点射入，从b点射出。下列说法正确的是（　　）
   

A．粒子带正电

B．若仅增大磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出

C．若仅减小磁感应强度，则粒子可能从b点左侧射出

D．若仅增大入射速率，则粒子在磁场中运动时间变长

8 . 如图所示，A、C两点分别位于x轴和y轴上，，的长度为L。在区域内（包括边界）有垂直于平面向里的匀强磁场。质量为m、电荷量为q的带电粒子，以各种不同的速度垂直边射入磁场。已知粒子从某点射入时，恰好垂直于边射出磁场，且粒子在磁场中运动的时间为。不计重力。下列说法正确的是（　　）
   

A．带电粒子带负电

B．磁场的磁感应强度的大小为

C．从中点射入磁场的带电粒子可以从C点出射

D．能从边射出的带电粒子最大射入速度是

9 . 如图所示，在第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场，一对正、负电子分别以相同速度、与x轴成30°角从原点射入磁场，则正、负电子在磁场中的运动时间之比为（不计重力）（　　）

   

A．2：1	B．1：2
C．1：	D．1：1

10 . 一个质量为电荷量为的带正电粒子从轴上的点以速度，沿与正方向成的方向射入第一象限内的匀强磁场中，并恰好垂直于轴射出第一象限。则匀强磁场的磁感应强度大小为___________，射出点的坐标为___________。