砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料。回答下列问题:
(1)写出基态33As原子的核外电子排布式_______ 。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga_______ As,第一电离能Ga_______ As。
(3)AsCl3分子的立体构型为_______ ,其中As的杂化轨道类型为_______ 。
(4)GaAs的熔点为1238℃,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为_______ ,Ga与As以_______ 键键合。
(1)写出基态33As原子的核外电子排布式
(2)根据元素周期律,原子半径Ga
(3)AsCl3分子的立体构型为
(4)GaAs的熔点为1238℃,其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为
更新时间:2021-05-08 12:57:28
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(1)镍铬钢抗腐蚀性能强,基态铬原子(24Cr)的核外电子排布式为_______ ,按照电子排布式,镍元素(28Ni)在周期表中位于_______ 区。
(2)硒(34Se)常用作光敏材料,基态硒原子的价电子排布式为_______ 。
(3)“玉兔二号”月球车是通过砷化镓(GaAs)太阳能电池提供能量进行工作的。基态砷原子(33As)的电子占据最高能级的电子云轮廓图为_______ 形。基态镓原子(31Ga)的核外有_______ 个未成对电子。砷的电负性比镓_______ (填“大”或“小”)。
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(4)常温常压下,SeF6为无色气体,常用作氟化剂。SeF6中心原子的价层电子对数为_______ 。含s、p、d轨道的杂化类型有:①dsp2;②sp3d;③d2sp3.下列对SeF6中心原子杂化方式推断合理的是_______ (填标号)。
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(3)H2S和H2Se的参数对比见下表。
化学式 | 键长/nm | 键角 | 沸点/℃ |
H2S | 1.34 | 92.3° | -60.75 |
H2Se | 1.47 | 91.0° | -41.50 |
②H2S的键角大于H2Se的原因可能为
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