解题方法
1 . 太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。
Ⅰ．第一代电池的光电转换材料是单晶硅。某单晶硅制备工艺中涉及的主要物质转化如下：
(1)下列事实能作为“非金属性C比Si强”的证据的是___________ (填字母)。
a．ⅰ中，C做还原剂
b．碳酸的酸性强于硅酸
c．碳酸的热稳定性弱于硅酸
(2)ⅱ中，1mol Si与3mol HCl反应转移4mol电子。
①该反应的化学方程式为___________ 。
②
中，H的化合价为___________ ，由此推测Si的电负性比H的___________ (填“大”或“小”)。
(3)ⅲ中，利用沸点差异，可直接实现高纯硅与的分离，从晶体类型角度解释其原因：___________ 。
Ⅱ．第二代电池的光电转换材料是一种无机物薄膜，其光电转化率高于单晶硅。科学家在元素周期表中Si的附近寻找到元素A和D，并制成化合物AD的薄膜，其晶体结构类似单晶硅。Si、A、D在元素周期表中的位置关系如图所示。
(4)基态A原子核外电子排布式为___________ 。
(5)D的第一电离能比Se的大，从原子结构角度说明理由：___________ 。
Ⅰ．第一代电池的光电转换材料是单晶硅。某单晶硅制备工艺中涉及的主要物质转化如下：
(1)下列事实能作为“非金属性C比Si强”的证据的是
a．ⅰ中，C做还原剂
b．碳酸的酸性强于硅酸
c．碳酸的热稳定性弱于硅酸
(2)ⅱ中，1mol Si与3mol HCl反应转移4mol电子。
①该反应的化学方程式为
②
中，H的化合价为(3)ⅲ中，利用沸点差异，可直接实现高纯硅与
的分离，从晶体类型角度解释其原因：Ⅱ．第二代电池的光电转换材料是一种无机物薄膜，其光电转化率高于单晶硅。科学家在元素周期表中Si的附近寻找到元素A和D，并制成化合物AD的薄膜，其晶体结构类似单晶硅。Si、A、D在元素周期表中的位置关系如图所示。
| Si | ||
| A | D |
(4)基态A原子核外电子排布式为
(5)D的第一电离能比Se的大，从原子结构角度说明理由：
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2 . ZnS、CdSe均为重要的半导体材料，可应用于生物标记和荧光显示领域，并在光电器件、生物传感和激光材料等方面也得到了广泛的应用。
(1)基态Zn原子的价层电子排布式为______ 。
(2)S与P在周期表中是相邻元素，两者的第一电离能：S_____ P(填“＞”、“＜”或“=”)，解释其原因_____ 。
(3)CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。
①晶胞中，与Cd原子距离最近且相等的Se原子有_____ 个。
②已知，晶胞边长anm，阿伏加德罗常数为NA，CdSe的摩尔质量为191g•mol-1。则CdSe晶体的密度是_____ g•cm-3。(1nm=10-7cm)
(4)电化学沉积法可用于制备CdSe，其装置示意图如图。
电解过程中阳极有无色气泡产生，CdSe在阴极生成，纯度及颗粒大小会影响CdSe性能，沉积速率过快容易团聚。
①已知H2SeO3是弱酸。控制合适的电压，可以使Cd2+转化为纯净的CdSe，写出阴极的电极反应式：_____ 。
②研究表明，为得到更致密均匀的CdSe薄膜，可用二甲基甲酰胺(
)做溶剂降低Cd2+浓度，从结构的角度分析原因：_____ 。
(1)基态Zn原子的价层电子排布式为
(2)S与P在周期表中是相邻元素，两者的第一电离能：S
(3)CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。
①晶胞中，与Cd原子距离最近且相等的Se原子有
②已知，晶胞边长anm，阿伏加德罗常数为NA，CdSe的摩尔质量为191g•mol-1。则CdSe晶体的密度是
(4)电化学沉积法可用于制备CdSe，其装置示意图如图。
电解过程中阳极有无色气泡产生，CdSe在阴极生成，纯度及颗粒大小会影响CdSe性能，沉积速率过快容易团聚。
①已知H2SeO3是弱酸。控制合适的电压，可以使Cd2+转化为纯净的CdSe，写出阴极的电极反应式：
②研究表明，为得到更致密均匀的CdSe薄膜，可用二甲基甲酰胺(
)做溶剂降低Cd2+浓度，从结构的角度分析原因：
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解题方法
3 . ZnS、CdSe均为重要的半导体材料，可应用于生物标记和荧光显示领域，并在光电器件、生物传感和激光材料等方面也得到了广泛的应用。
(1)基态Zn原子的价层电子排布式为_______ 。
(2)
在周期表中的位置为_______ 。
(3)S与P在周期表中是相邻元素，两者的第一电离能：S_______ P(填“>”、“<”或“=”)，解释其原因_______ 。
(4)CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。_______ 个。
②已知，晶胞边长a nm，阿伏加德罗常数为
，CdSe的摩尔质量为
。则CdSe晶体的密度是_______ 
。(1nm=10-7cm)
(5)电化学沉积法可用于制备CdSe，其装置示意图如下。
①已知，
是弱酸。控制合适的电压，可以使
转化为纯净的CdSe，写出阴极的电极反应式：_______ 。
②研究表明，为得到更致密均匀的CdSe薄膜，可用二甲基甲酰胺(
)做溶剂降低浓度，从结构的角度分析原因：_______ 。
(1)基态Zn原子的价层电子排布式为
(2)
在周期表中的位置为(3)S与P在周期表中是相邻元素，两者的第一电离能：S
(4)CdSe的一种晶体为闪锌矿型结构，晶胞结构如图所示。
②已知，晶胞边长a nm，阿伏加德罗常数为
，CdSe的摩尔质量为。则CdSe晶体的密度是。(1nm=10-7cm)(5)电化学沉积法可用于制备CdSe，其装置示意图如下。
①已知，
是弱酸。控制合适的电压，可以使转化为纯净的CdSe，写出阴极的电极反应式：②研究表明，为得到更致密均匀的CdSe薄膜，可用二甲基甲酰胺(
)做溶剂降低浓度，从结构的角度分析原因：
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2023-01-05更新
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455次组卷
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4卷引用：北京市丰台区2022-2023学年高三上学期期末考试化学试题
