1 . 砷化铟(InAs)是一种优良的半导体化合物，有广泛用途。
(1)基态In的价层电子排布式为5s²5p¹，In在周期表中的位置是____。
(2)在Ar保护下分别将InCl₃和AsCl₃在气化室中加热转化为蒸气，在反应室中混合反应，即可得到橘黄色的InAs晶体。
已知：AsCl₃和InCl₃均为分子晶体，AsCl₃气化室的温度为130℃，InCl₃气化室的温度为500℃。
①AsCl₃分子的空间结构为____，中心原子As的杂化轨道类型为____。
②AsCl₃气化室温度低于InCl₃气化室温度的原因是____。
③InCl₃晶体中分子间存在配位键，配位原子是____。
(3)InAs为原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体。其晶胞结构如图所示。

①一个晶胞中所含As的个数为____。
②已知该晶胞棱长为apm(1pm=1×10^-10cm)，阿伏加德罗常数为N_A，InAs的摩尔质量为Mg•mol^-1，则该晶体的密度ρ=____g•cm^-3。

2 . 硼及其化合物在新材料、工农业生产等方面用途广泛。
(1)氮化硼存在不同的变体，如六方氮化硼、立方氮化硼等，其结构如图。

①六方氮化硼的晶体结构类似石墨，则六方氮化硼的晶体类型属于_______。
②高温高压下，六方氮化硼可转化为立方氮化硼，立方氮化硼的结构与金刚石类似，每个立方氮化硼晶胞中硼原子和氮原子的个数比为_______。
(2)氨硼烷()是极具潜力的高性能储氢材料，其晶体结构之一如图。(已知电负性：H 2.1，B 2.0，N 3.0)

①氨硼烷分子为_______(填“极性”或“非极性”)分子。
②氨硼烷分子中，键为配位键，由原子的价层电子排布特点分析该配位键的形成过程：_______。
③氨硼烷常温下为固态，它的熔点比乙烷的熔点高近300℃，是由于其分子间除了分子间作用力，还存在正电性H和负电性H的相互作用，这种作用称为“双氢键”。仿照氢键的表示方法：“”，上述双氢键可表示为_______(式中用“”及“”表示氢的带电情况)。
④氨硼烷常温下稳定，加热到90℃左右分解产生，若该反应中只有氢元素的化合价发生变化，则每产生，反应转移的电子的物质的量是_______。
⑤由氨硼：烷的组成或性质分析，氨硼烷作为储氢材料的优势有_______。