1 . 某立方卤化物可用于制作光电材料，其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是

A．每个周围最近且等距的数为12	B．与距离最近的是
C．该物质的化学式为	D．若换为，则晶胞棱长将改变

2 . 二氯化二硫是广泛用于橡胶工业的硫化剂，广泛用于石油化工，其分子结构如下图所示。制备方法：在120℃向硫磺粉(用浸润)中通入。下列说法错误的是

A．分子中所有原子均满足8电子结构

B．用浸润可加快反应速率，体现相似相溶原理

C．中S原子的杂化类型为杂化

D．晶体类似干冰晶体，则每个周围等距且紧邻的有12个

3 . 镍的某种氧化物是一种半导体，具有型结构(如图)，已知晶胞边长为，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法不正确的是

A．属于过渡金属元素

B．与距离最近且相等的有4个

C．晶体的密度为

D．若该晶胞中氧原子有25%被氮原子替代，则该晶体的化学式为

4 . 观察下列模型并结合信息，判断有关说法错误的是

	晶体硼的结构单元 (有12个原子)	分子	分子
结构模型 示意图

A．固态硫S8中S原子为sp2杂化

B．SF6中心原子的价层电子对数为6，其中S-F键的键长、键能均相等

C．晶体硼的结构单元中含有30个B-B键，含20个正三角形

D．HCN的结构式为H-C≡N

5 . ZnS晶体的晶胞如图所示(黑球代表，白球代表)。原子坐标参数可表示晶胞内部各原子的相对位置，如图晶胞中，原子坐标参数a为；b为；c为。已知该晶体的密度为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是

A．Zn位于元素周期表ds区

B．在晶胞中的配位数是4

C．d的坐标参数为

D．晶胞中最近的两个之间的距离为

6 . 已知Mg、Al、O三种元素组成尖晶石型晶体结构，其晶胞由4个A型小晶格和4个B型小晶格构成，其中和都在小晶格内部，部分在小晶格内部，部分在小晶格顶点(如图)，下列分析错误的是

A．该晶体为离子晶体

B．该物质的化学式为

C．晶胞中，周围距离最近且相等的数为4

D．两个之间最近的距离是

7 . 具有反萤石结构，晶胞结构如图所示，其晶胞参数为0.635nm。下列叙述错误的是

A．Si原子周围距离最近且相等的Mg原子数为8

B．紧邻的两个Mg原子的距离为

C．紧邻的两个Si原子间的距离为

D．的密度计算式为

8 . 硼及其化合物在材料制造、有机合成等方面应用广泛。图(a)为一种无限长单链状结构的多硼酸根，图(b)硼氢化钠晶胞结构。代表阿伏伽德罗常数的值，下列说法正确的是

A．图a中多硼酸根的化学式为

B．硼氢化钠晶体中周围紧邻且等距的数为4

C．图(a)中O-B-O的键角小于中的H-B-H的键角

D．若硼氢化钠晶体的密度为，则

9 . 氧化铈(CeO₂)是一种重要的光催化材料，光催化过程中立方晶胞的组成变化如下图所示。假设CeO₂晶胞边长为apm，下列说法不正确的是

A．基态O原子的价层电子排布式为

B．CeO2晶体结构中与相邻且最近的有12个

C．CeO2晶胞中与最近的核间距为

D．每个CeO1-2x晶胞中个数为1-2x

10 . 的晶胞结构如图甲所示，将Mn掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料，其结构如图乙所示。a、b点的原子分数坐标分别为(0，0，0)和(1，1，0)。下列说法错误的是

A．c点Mn的原子分数坐标为(0，，)

B．晶体乙中的原子个数比为5∶27∶32

C．基态Ga原子未成对电子数为3

D．若GaAs晶胞参数为anm，则Ga和As之间的最短距离为anm