名校
1 . 在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子,需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长的立方体,以为坐标原点,沿、和方向分别建立x、y、z轴。在面的中心M处存在一粒子发射源,可在底面内平行于底面沿任意方向发射初速度,比荷的带正电粒子。在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场,使粒子可以达到相应的空间位置。不计重力,则:
(1)在立方体内施加沿轴正向的匀强电场,使粒子只能从面飞出,求施加电场的电场强度的最小值;
(2)在立方体内施加沿轴正向的匀强磁场,若磁感应强度大小为,求粒子在磁场中运动时间的最小值。()(结果可保留π和分式)
(1)在立方体内施加沿轴正向的匀强电场,使粒子只能从面飞出,求施加电场的电场强度的最小值;
(2)在立方体内施加沿轴正向的匀强磁场,若磁感应强度大小为,求粒子在磁场中运动时间的最小值。()(结果可保留π和分式)
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