2 . 真空中的某装置如图所示，竖直放置平行金属板A、B和水平放置的平行金属板C、D上均加有电压，M为荧光屏。现有质子（）、氘核（）和粒子（）均从A板上的O点由静止开始被加速，经过一段时间后，均打在荧光屏上。中子从O点水平射出，将打在荧光屏上的点，不计粒子所受重力，不考虑平行金属板外的电场，下列说法正确的是（　　）

A．质子、氘核和粒子均打在荧光屏上的同一位置

B．质子、氘核和粒子从B板运动到荧光屏经历的时间相同

C．质子、氘核和粒子打在荧光屏上时的速度方向相同

D．平行金属板C、D间的电场力对质子、氘核和粒子做的功之比为2∶2∶1

3 . 如图所示，边长为的正方形区域内存在沿方向、大小为的匀强电场，带电荷量为的粒子从点沿方向以速度射入匀强电场，从边的中点离开匀强电场，不计粒子受到的重力，下列说法正确的是（　　）
   

A．带电粒子在匀强电场中运动的时间为	B．带电粒子经过点时的速度大小为
C．带电粒子经过点时的动能为	D．带电粒子的质量为

4 . 如图，圆弧轨道AB的圆心为O，半径为，圆弧轨道AB的B点与水平地面BE相切，B点在O点的正下方，在B点的右侧有一竖直虚线CD，B点到竖直虚线CD的距离为，竖直虚线CD的左侧有一水平向左的匀强电场，场强大小为（大小未知），竖直虚线CD的右侧有场强大小为（大小未知）、竖直向上的匀强电场。竖直虚线CD的右侧有一竖直墙壁EF，墙壁EF到竖直虚线CD的距离为，墙壁EF底端E点与水平地面BE相连接，墙壁EF的高度也为。现将一电荷量为、质量为的完全绝缘的滑块从A点由静止释放沿圆弧轨道AB下滑，过B点时的速度大小为4m/s，最后进入竖直虚线CD右侧。已知滑块可视为质点，圆弧轨道AB光滑，水平地面BE与滑块间的动摩擦因数为，，，，。求：
（1）场强的大小；
（2）滑块到达竖直虚线CD时速度的大小和滑块从B点到达竖直虚线CD所用时间；
（3）要使滑块与竖直墙壁EF碰撞，求的取值范围。
   

5 . 如图，空间有一范围足够大的匀强电场，场强方向与梯形区域平行，已知，，，，，一比荷为0.6C/kg的带负电粒子由A点沿AD方向以速率进入该电场，恰好可以通过点。不计粒子的重力，下列说法正确的是（　　）
   

A．点电势为零

B．场强方向由指向

C．该粒子到达点时速度大小为

D．该粒子到达点时速度方向与边垂直

6 . 如图，空间有一范围足够大的匀强电场，场强方向与梯形区域ABCD平行，已知，，，，，一比荷为的带负电粒子由A点沿AD方向以速率进入该电场，恰好可以通过C点。不计粒子的重力，下列说法正确的是（　　）

   

A．D点电势为零

B．场强方向由D指向B

C．该粒子到达C点时速度大小为

D．该粒子到达C点时速度方向与BC边垂直

7 . 1890年，英国物理学家J.J.汤姆孙对阴极射线进行了研究，打开了探究原子结构的大门，他的实验装置如图所示。真空玻璃管内阴极K发出的电子，由静止经A、K间的电压加速后，以平行于极板C、D的速度进入平行板电容器。若两极板C、D间无电压，则电子恰好打在荧光屏上的O点；若在两极板间施加图示的电压，则电子打在荧光屏上的P点。已知极板C、D的长度均为l，间距为d，O、P间的距离为y，电子的比荷为，加速电压和偏转电压均为U。求：
（1）电子进入极板C、D时的速度大小；
（2）两极板右端距荧光屏的距离x。

8 . 如图所示，在平面直角坐标系中，第三象限内存在沿y轴正方向的匀强电场，第一象限某区域内存在垂直于坐标平面向内的圆形匀强磁场（图中没有画出）。一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从电场中点以大小为的速度平行于x轴正方向射出，粒子经坐标原点O射入第一象限，运动一段时间后进入圆形匀强磁场区域，最后平行于y轴正方向射出磁场。已知匀强磁场的磁感应强度大小，不计粒子受到的重力。求
（1）匀强电场的电场强度大小E；
（2）粒子刚进入磁场时的速度；
（3）圆形匀强磁场的最小面积。（已知）

9 . 如图，在真空室内的P点，能沿纸面向各个方向不断发射电荷量为，质量为m的粒子（不计重力），粒子的速率都相同。ab为P点附近的一条水平直线，P到直线ab的距离PC=L，Q为直线ab上一点，它与P点相距。当直线ab以上区域只存在垂直纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场时，水平向左射出的粒子可到达Q点；当ab以上区域只存在平行该平面，方向竖直向下的匀强电场时，水平向左射出的粒子也可到达Q点。（已知sin37°=0.6，cos37°=0.8）求：
（1）粒子的发射速率；
（2）匀强电场的场强大小；
（3）仅有磁场时，能到达直线ab的粒子所用最短时间。

10 . 如图所示，下方足够长的区域Ⅰ内存在方向竖直向上的匀强电场，右上侧和左上侧的正方形区域Ⅲ和Ⅳ内存在方向竖直向下的匀强电场，上方的矩形区域Ⅱ内存在方向垂直纸面向里的匀强磁场，一个质量为m，电荷量为q的正离子以速度v从P点沿水平方向射入匀强电场，粒子先经过电场Ⅲ再经过磁场Ⅱ后恰从中点竖直向下射入匀强电场区域Ⅰ。已知正方形边长均为d，正方形区域Ⅲ和Ⅳ内匀强电场场强的大小均为，离子从P点射入到离开电场Ⅳ区所用的时间为，不计粒子的重力，求：
（1）粒子第一次进入磁场时的位置与M点之间的距离；
（2）矩形区域Ⅱ内磁感应强度的大小；
（3）矩形区域Ⅰ内电场强度的大小。