1 . 如图所示，在第一象限内有垂直纸面向里的匀强磁场，一对正、负电子分别以相同速度、与x轴成30°角从原点射入磁场，则正、负电子在磁场中的运动时间之比为（不计重力）（　　）

   

A．2：1	B．1：2
C．1：	D．1：1

2 . 如图所示，有一个正方形的匀强磁场区域abcd，e是ad的中点，f是cd的中点，如果在a点沿对角线方向以速度v射入一带负电的带电粒子，恰好从e点射出，不计粒子重力，则（　　）
   

A．如果粒子的速度增大为原来的二倍，将从d点射出

B．如果粒子的速度增大为原来的三倍，将从f点射出

C．如果粒子的速度不变，磁场的磁感应强度变为原来的二倍，将从d点射出

D．只改变粒子的速度大小使其分别从e、d、f点射出时，从f点射出运动时间最长

4 . 如图所示，磁感应强度为B的匀强磁场方向垂直纸面向里，图中虚线为磁场的边界，其中bc段是半径为R的四分之一圆弧，ab、cd的延长线通过圆弧的圆心，Ob长为R。一束质量为m、电荷量为正q的粒子，在纸面内以不同的速率从O点垂直ab射入磁场，其中M、N是圆弧边界上的两点，不计粒子间的相互作用和重力。则下列分析中正确的是（　　）

A．从M点射出的粒子速率可能大于从N点射出粒子的速率

B．从圆弧bc射出的所有粒子中，从圆弧bc中点射出的粒子所用时间最短

C．从M点射出的粒子在磁场中运动的时间可能大于从N点射出的粒子在磁场中运动的时间

D．从边界cd射出的粒子在磁场中运动的时间一定小于从圆弧bc段射出的粒子在磁场中运动的时间

5 . 如图所示，在xOy平面上，一个以原点O为圆心，半径为的圆形区域内存在着匀强磁场，磁场的方向垂直于纸面向里，在坐标（，0）的A处静止着一个具有放射性的氮原子核。某时刻该核发生衰变，放出一个正电子和一个反冲核，已知正电子从A处射出时速度方向垂直于x轴，且后来通过了y轴，而反冲核刚好不离开磁场区域，不计重力影响和粒子间的相互作用。下列说法正确的是（　　）

A．氮原子核的衰变方程为

B．正电子做圆周运动的半径为

C．正电子在磁场中做顺时针的圆周运动

D．正电子最后过y轴时的坐标（，）

6 . 如图所示，在x轴上方存在垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度为B。在xOy平面内，从原点O处沿与x轴正方向成θ角（）以速率v发射一个带正电的粒子（重力不计）。则下列说法正确的是（　　）

A．若v一定，θ越大，则粒子在磁场中运动的时间越短

B．若v一定，θ越大，则粒子离开磁场的位置距O点越远

C．若θ一定，v越大，则粒子在磁场中运动的角速度越大

D．若θ一定，v越大，则粒子在磁场中运动的时间越短

7 . 如图所示，空间正四棱锥的底边长和侧棱长均为a，此区域存在平行于边由C指向B方向的匀强磁场，现一质量为m、电量为的粒子，以竖直向上的初速度从底面的中心O垂直于磁场方向进入磁场区域，最后恰好没有从侧面飞出磁场区域，忽略粒子受到的重力。则磁感应强度大小为（　　）

A．

B．

C．

D．

8 . 如图所示，半径为R的圆形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场，在圆周上的P点有一个粒子源，可以在0≤≤60°的范围内垂直磁场方向发射速度大小相等的同种粒子。已知粒子质量为m、带电量为+q，速度大小为v₀，以=30°角射入磁场的粒子恰好垂直于直径PQ方向射出磁场区域。不计粒子的重力及粒子间的相互作用力，则下列说法正确的是（　　）

A．粒子轨迹不可能通过O点

B．粒子在磁场中运动的最长时间为

C．粒子射出磁场边界时的速度方向不可能相同

D．粒子在磁场边界的出射点分布在四分之一圆周上

9 . 如图为半导体离子注入工艺原理示意图。离子经电压为U的电场加速后，垂直进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，注入半导体内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里，离子的质量为m，元电荷为e。则离子在磁场中转过的角度为（   ）

A．

B．60°

C．37°

D．

10 . 如图所示，边长为a的正六边形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度大小为B。正六边形中心O处有一粒子源，可在纸面内向各个方向发射不同速率带负电的粒子，已知粒子质量均为m、电荷量均为q，不计粒子重力和粒子间的相互作用。下列说法正确的是（　　）

A．沿方向发射的粒子要想离开正六边形区域，速率至少为

B．垂直向上发射的粒子要想离开正六边形区域，速率至少为

C．要想从d点离开正六边形区域的粒子，速率至少为

D．所有要想离开正六边形区域的粒子，其速率至少为