下列有关说法不正确的是
A.四水合铜离子的模型如图1所示,1个四水合铜离子中有4个配位键 |
B.晶体的晶胞如图2所示,设半径分别为和,晶胞边长为a,则有 |
C.H原子的电子云图如图3所示,H原子核外大多数电子在原子核附近运动 |
D.金属Cu中原子堆积模型如图4所示,为最密堆积,Cu原子的配位数为12 |
20-21高三下·湖北鄂州·阶段练习 查看更多[3]
湖北省恩施高中、龙泉中学、宜昌一中2020-2021学年高三下学期4月联合考试化学试题(已下线)难点9 晶胞的相关计算-2021年高考化学【热点·重点·难点】专练(山东专用)第34届(2021年)高中化学奥林匹克竞赛浙江省预赛试题
更新时间:2021-04-16 11:27:16
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【推荐1】DACP是我国科研工作者合成的一种新型起爆药,结构如下图所示,下列关于该物质的说法正确的是
A.的配体只有两种,配位数为6 | B.1DACP中含有28键 |
C.和中心原子的杂化方式不同 | D.与中的键角是前者大于后者 |
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【推荐2】某小组同学利用如下实验探究平衡移动原理。
ⅰ.。
ⅱ.溶液为无色。
下列说法正确的是
实验1:
实验2:
已知:ⅰ.。
ⅱ.溶液为无色。
下列说法正确的是
A.结合实验1和2,推测ⅰ中反应是放热反应 |
B.①中滴加浓盐酸,增大了,导致Q>K,ⅰ中平衡正向移动 |
C.②中加水,溶液变红,说明平衡逆向移动,的浓度增大 |
D.③中加入,溶液变红,推测与形成了配合物 |
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解题方法
【推荐1】将钾离子嵌入石墨层可制得一种新型负极材料,图1为该负极材料的六方晶胞示意图。由于钾离子半径较大,在充放电过程中,会使石墨体积变化大而引起结构坍塌,导致容量快速衰减。
下列说法错误的是
下列说法错误的是
A.与石墨相比,中空碳纳米管结构能提供更多的自由空间来适应充放电过程中的体积变化 |
B.石墨晶体既存在共价键又存在范德华力,同时还存在类似金属键的作用力 |
C.该材料的密度为(表示阿伏加德罗常数的值) |
D.图2可表示该材料沿z轴的局部投影图 |
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【推荐2】设为阿伏加德罗常数的值,下列叙述正确的是
A.中含有的配位键数为22NA |
B.铬晶胞如图所示,铬能切割成如图晶胞的数目为NA |
C.参与氧化还原反应时,转移的电子数一定为2NA |
D.溶液中含有的数为0.1NA |
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解题方法
【推荐3】晶体中,围成正四面体空隙(1、3、6、7号氧围成)和正八面体空隙3、6、7、8、9、12号氧围成),中有一半的填充在正四面体空隙中,和另一半填充在正八面体空隙中,下列有关说法错误的是
A.若1、3、6、7号氧围成的正四面体空隙填充有,则8、9、12、14号氧围成的正四面体空隙也填充有 |
B.晶体中正四面体空隙数与正八面体空隙数之比为 |
C.若1、3、6、7号氧围成的正四面体空隙填充有,设立方体的棱长为1,11号坐标为则该的坐标为 |
D.若立方体棱长为,则晶体密度计算式为 |
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【推荐1】金属铁因生产工艺和温度不同,会有不同的晶体结构。α-Fe和γ-Fe的晶体结构如图所示,下列说法正确的是
A.金属铁因为有自由移动的离子而具有导电性 | B.1个γ-Fe晶胞的质量约为(4×56)g |
C.γ-Fe中铁原子的配位数为12 | D.α-Fe与γ-Fe的性质相同 |
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解题方法
【推荐2】下列说法正确的是
A.钛和钾都采取图1的堆积方式 |
B.图2为金属原子在二维空间里的非密置层放置,按此方式在三维空间里堆积,仅得简单立方堆积 |
C.图3是干冰晶体的晶胞,在每个CO2周围最近且等距离的CO2有8个 |
D.图4是一种金属晶体的晶胞,它是金属原子在三维空间以密置层采取ABCABC…堆积的结果 |
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解题方法
【推荐3】如图表示一个晶胞,该晶胞为正方体结构,图中粒子(原子、分子或离子)位于正方体的顶点和面心。下列有关说法不正确的是
A.该晶胞若为分子晶体或者金属晶体的一个晶胞时,与每个粒子距离最近且距离相等的粒子数均为12 |
B.若这是一个不完整的金刚石晶胞,则晶胞中其他碳原子的数目为4个,假设C原子半径为r,则晶胞边长为 |
C.若这是一个不完整的晶胞,则图中所示实心球表示,而离子填充在顶点和最近的三个面心组成的8个正四面体空隙中,且离子配位数为8 |
D.若这是一个不完整的氯化钠晶胞,则图中粒子可均为钠离子,也可均为氯离子 |
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解题方法
【推荐1】硒化锌是一种重要的半导体材料;其晶胞结构如图甲所示,已知晶胞参数为pnm,乙图为晶胞的俯视图,下列说法正确的是
A.晶胞中硒原子的配位数为12 |
B.晶胞中d点原子分数坐标为 |
C.相邻两个Zn原子的最短距离为nm |
D.电负性:Zn>Se |
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解题方法
【推荐2】在某晶体中,与某一个微粒x距离最近且等距离的另一个微粒y所围成的立体构型为如图所示的正八面体形。该晶体可能是
A.NaCl晶体(x=Na+,y=Cl-) |
B.CsCl晶体(x=Cs+,y=Cl-) |
C. CaTiO3晶体(x=Ti4+,y=O2-) |
D. NiAs晶体(x=Ni,y=As) |
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