CrSi,Ge-GaAs、聚吡咯和碳化硅都是重要的半导体化合物。下列说法正确的是
A.碳化硅属于分子晶体,其熔、沸点均大于金刚石 |
B.Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从小到大的顺序为As<Ge<Ga |
C.聚吡咯的单体为吡咯(![]() |
D.基态铬与氮原子的未成对电子数之比为2:1 |
更新时间:2023-01-18 20:39:43
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【推荐1】已知某元素+2价离子的核外电子排布式为
,则该元素在元素周期表中的位置及所属分区是
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/239e813e2e515c778aabbbc83bf0e09b.png)
A.第四周期Ⅷ族,p区 | B.第六周期ⅤB族,d区 |
C.第四周期ⅠB族,![]() | D.第四周期ⅤB族,f区 |
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解题方法
【推荐2】下列说法中正确的是
A.价电子排布为3d104s1的元素位于第四周期第IA族,是s区元素 |
B.SO2分子和O3分子的立体构型均为V形 |
C.有机物CH2=CH―CH3分子中有1个π键、2个σ键 |
D.由于氢键的存在,水分子的稳定性好,高温下也很难分解 |
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【推荐1】下列说法错误的是
A.CH4分子球棍模型:![]() | B.基态Si原子价电子排布图:![]() |
C.第一电离能:N>O>C | D.石墨质软的原因是其层间作用力微弱 |
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【推荐2】下列说法正确的是
A.PH3的电子式为:![]() | B.CH4分子立体结构模型:![]() |
C.晶体类型相同:SiO2和SO3 | D.第一电离能:S>P |
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解题方法
【推荐1】下列说法中不正确的是
①
的熔、沸点依次升高
②
三种分子的键角依次减小
③正丁烷的沸点高于异丁烷
⑥
和
的分子结构中,每个原子最外层都具有8电子稳定结构
①
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/245493bff6d4c1b6f8133fb071ab11d5.png)
②
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/502a2ea575f6533d63cb0756724804bd.png)
③正丁烷的沸点高于异丁烷
④的沸点高于
的主要原因是是因为其范德华力更大
⑥
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/efc9b7e6bc6df534c5f8eaf7ac53393c.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/acfa24439f5762c711897fff13504e98.png)
A.②③④⑤⑥ | B.①②④⑤⑥ | C.①②③④⑥ | D.①②③④⑤ |
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【推荐2】下列说法正确的是
A.HX(X代表F、Cl、Br、I)中共价键的电子云是轴对称的 |
B.![]() ![]() |
C.3个B—F的键长相等,说明![]() |
D.![]() |
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【推荐1】下列说法正确的是
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2022/7/20/794eb159-e27c-488d-968f-53a53a1005eb.png?resizew=134)
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2022/7/20/794eb159-e27c-488d-968f-53a53a1005eb.png?resizew=134)
A.基态钙原子核外有2个未成对电子 |
B.CaTiO3晶体中与每个Ti4+最邻近的O2−有12个(如图是其晶胞结构模型) |
C.分子晶体中都存在共价键 |
D.金属晶体的熔点都比分子晶体的熔点高 |
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【推荐2】下列说法正确的是
A.H2O2易分解是因为H2O2分子间作用力弱 |
B.碘升华的过程中破坏的是共价键 |
C.离子化合物中一定含有离子键,共价化合物中一定含有共价键 |
D.SiO2属于原子晶体,熔化时破坏共价键和分子间作用力 |
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