芯片作为科技产业，以及信息化、数字化的基础，自诞生以来，就一直倍受关注，也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤；沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素，基态Ga原子的核外电子排布为：___________；
②GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石，熔点如表所示：试分析三者熔点变化的原因___________。

物质	GaN	GaP	GaAs
熔点/℃	1700	1480	1238

③将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料，晶体结构如甲图。

掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为___________。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶，结构如图乙所示，其S的杂化方式为___________。

(3)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF，及清洗剂，三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________，HF分子的极性___________(填“大于”“等于”或“小于”)HCl，1mol氟硼酸铵中含有___________mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高，请解释原因___________。
②LiF晶体的密度约为，LiF晶胞的体积约为___________cm³(计算结果保留一位有效数字)。