1 . 含Cu、Zn、Sn及S的四元半导体化合物的四方晶胞结构如图所示，以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中的原子位置，称作原子分数坐标。图中M原子的分数坐标为(，，)。下列说法正确的是

A．图中W原子的分数坐标为(，，)

B．该半导体化合物的化学式为CuZnSnS3

C．Zn、Sn均位于S原子组成的八面体空隙中

D．基态S原子中两种自旋状态的电子数之比为7：9

3 . 钴蓝是一种高性能的环保无毒无机颜料，其晶体结构如图所示，该立方晶胞由4个Ⅰ型和4个Ⅱ型小立方体构成。下列说法错误的是
   

A．钴蓝晶体的化学式为CoAl2O4

B．晶体中Al原子占据O原子形成的八面体空隙

C．晶胞中Co原子占据顶点和面心的位置

D．钴蓝晶体的密度为g•cm-3

4 . 铁镁合金储氢时分子在晶胞的棱心和体心位置，且最近的两个铁原子之间的距离为，晶胞结构如下图所示，下列说法错误的是

A．晶胞中铁原子的配位数为4

B．晶胞中原子的堆积方式和干冰晶体相同

C．该晶胞中距离最近的有6个

D．储氢后，该晶体的密度为

6 . 根据如图所示，下列说法错误的是

A．第三周期某元素的前5个电子的电离能如图1所示，该元素是Mg

B．铝镁合金是优质储钠材料，原子位于面心和顶点，其晶胞如图2所示。1个铝原子周围有12个镁原子最近且等距离

C．某气态团簇分子结构如图3所示，该气态团簇分子的分子式为EF或FE

D．图4所示是[Zn(NH3)6]2+的部分结构，其中H－N－H键的键角比NH3的键角大，与NH3中N原子的孤电子对在该配离子中转化为成键电子对有关

8 . 萤石(主要成分为)具有能降低难熔物质的熔点、促进炉渣流动、使炉渣和金属很好分离的优点。的晶胞结构如图所示，设晶胞边长为a pm，为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是

A．的配位数为8	B．填充在正四面体的体心
C．两个之间的最短距离为pm	D．该晶体的密度为

9 . 根据如图所示，下列说法错误的是

A．第三周期某元素的前5个电子的电离能如图1所示，则该元素是Al

B．图2表示石墨晶体结构，石墨晶体既存在共价键又存在范德华力，属于混合型晶体

C．图3所示是[Zn(NH3)6]2+的部分结构以及其中H－N－H键的键角，键角比NH3大的原因与NH3中N原子的孤电子对转化为成键电子对有关

D．立方BN晶体晶胞结构如图4所示，设晶胞中最近的B、N原子之间的距离为anm，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体的密度为×1030g•cm-3

10 . 根据如图所示，下列说法错误的是

A．第三周期某元素的前5个电子的电离能如图1所示。该元素是Mg

B．铝镁合金是优质储钠材料，原子位于面心和顶点，其晶胞如图2所示。1个铝原子周围有4个镁原子最近且等距离

C．图3所示是[Zn(NH3)6]2+的部分结构以及其中H－N－H键键角，键角比NH3大与NH3中N原子的孤电子对转化为成键电子对有关

D．立方BN晶体晶胞结构如图4所示，设晶胞中最近的B、N原子之间的距离为anm，阿伏加德罗常数的值为NA，则晶体的密度为g•cm-3