5 . X、Y、Z、W、Q是原子序数依次增大的5种短周期主族元素。Y在同周期中原子半径最大，W与X同主族，能形成WX₃化合物。已知Z是金属，其氧化物和氢氧化物均显两性。
(1)元素Z在元素周期表中的位置为__，Y、Z、W、Q的离子半径从大到小顺序为__(用离子符号表示)。
(2)Y₂X₂的电子式为__，其化学键类型为__。
(3)硒(Se)是人体必需的微量元素，与W同主族，比W多一个电子层。则Se的原子序数为__；其最高价氧化物对应的水化物的化学式为__，其酸性比硫酸___(填“强”或“弱”)。
(4)写出Z的氧化物与Y的最高价氧化物对应水化物的溶液反应的离子方程式__。
(5)QX₂是现在常用的自来水消毒剂，工业上可用稀硫酸和WX₂处理NaClO₃制得，写出该反应的离子方程式__。

9 . 元素周期表第IIIA族包括B、Al、Ga等元素，它们参与形成的化合物有重要研究和应用价值，回答下列问题：
(1)Ga原子的价电子排布式为___________；Ga、As和Se的第一电离能由小到大的顺序是___________。
(2)实验发现，氯化铝的蒸气或溶于非极性溶剂中或处于熔融状态时，都以二聚态(Al₂Cl₆)形式存在。其球棍模型如图所示。

①该分子中Al原子采取___________杂化。
②Al₂Cl₆与过量NaOH溶液反应生成Na[Al(OH)₄]，[Al(OH)₄]^-中存在的化学作用力类型有___________ (填标号)。
A．离子键       B．极性共价键       C．金属键     D．非极性共价键     E．配位键             F．σ键        G．氢键
(3)更高温度下Al₂Cl₆二聚体则离解成AlCl₃，BF₃是AlCl₃的一种等电子体，结合价层电子对互斥理论判断，BF₃的分子构型为___________。
(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点，在干燥的NH₃气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃，GaAs熔点为1238℃，GaN熔点高于GaAs的原因是___________。
(5)GaN的其中一种晶胞结构如图所示，与金刚石的晶体结构高度相似。该晶胞中Ga原子处于N原子形成的___________(填“正四面体形” 或“正八面体形”)空隙。已知GaN的密度为ρ g/cm³，Ga和As的摩尔质量分别为a g/mol和b g/mol，则GaN晶胞的边长为___________pm(列出表达式)。