1 . X、Y、Z、W、M、Q、R六种元素均位于前四周期，且原子序数依次增大。其相关信息如下：X的核外电子总数等于其电子层数；Y的最外层电子数是次外层的3倍；Z原子的价层电子排布为ns^n-1np^n-2；Q的外围电子排布为（n+1）d⁴ⁿ(n+2)sⁿ； W、M、R最外层电子只有1个。回答下列问题：
（1）Q元素位于周期表第_____族。Q金属配合物Q（CO）n的中心原子的价电子数与配体提供的电子总数之和为18，则n=_____。M的一种重要化合物用于检查司机是否酒驾，该化合物的化学式______，如果司机酒驾检查时该物质显示的颜色变化是_____________________。
（2）关于R单质晶体的说法正确的是______________。
①晶体中的化学键具有方向性和饱和性     
②晶体中不存在阴阳离子间的相互作用
③晶体导电是因为在外加电场作用下产生自由电子   
④单质具有光泽是因为金属阳离子吸收并放出可见光     
⑤晶体中原子的堆积方式为‥ABCABC•••‥型。
（3）离子化合物中阴阳离子半径之比是决定晶体构型的重要因素之一，配位数与离子半径之比存在如下关系：

已知，在QY中Q离子的半径为70pm，Y离子的半径为140pm，分析以上信息，可以推导出该晶体结构与常见_______晶体（填写化学式）阴阳离子的配位数相同。与阴（阳）离子配位的这几个阳（阴）离子，在空间构成的立体形状为_______________。
（4）W的原子半径为r，其晶体的空间利用率______________（用含r的表达式表示）。
（5）已知SiH₄在碱的催化作用下，剧烈发生水解，反应方程式为：SiH₄ +（n+2）H₂O= SiO₂.nH₂O + 4H₂，已知每1mol SiH₄水解反应中转移4mol电子，则C，H，Si三种元素的电负性由大到小的顺序为___________。
（6）X射线衍射测定发现，I₃AsF₆中存在I₃⁺离子，I₃⁺离子的几何结构为______，中心原子的杂化方式为_____
（7）已知金刚石中碳原子的连接方式如下图，则12g金刚石中含有的六元环的数目是________个。

2 . CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs₂、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。回答下列问题：
(1)基态铬原子的核外电子排布式为___________，其中未成对电子数为____________。
(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______________。ZnGeAs₂中 Zn、Ge、As 的电负性从大到小的顺序为________________。
(3) 聚吡咯的单体为吡咯()，该分子中氮原子的杂化轨道类型为__________；分子中σ键与π键的数目之比为________________。
(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：

	立方碳化硅	晶体硅	金刚石
熔点/℃	2973	1410	3550～4000

分析熔点变化规律及其差异的原因：__________________________________________________。
(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。

①氧化亚铜属于__________晶体。
②已知Cu₂O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为__________ g·cm^-3 (列出计算式即可)。