1 . 下列对有关事实的解释正确的是

	事实	解释
A	某些金属盐灼烧呈现不同焰色	电子从低能轨道跃迁至高能轨道时吸收光波长不同
B	乙烯比氮气更容易发生加成反应	氮元素比碳元素的电负性强
C	HF的热稳定性比HCl强	H—F比H—Cl的键能大
D	SiO2的熔点比干冰高	SiO2分子间的范德华力大

A．A

B．B

C．C

D．D

2 . 我国科学家合成了富集¹¹B的非碳导热材料立方氮化硼晶体，晶胞结构如图。下列说法不正确的是

A．氮化硼晶体有较高的熔沸点

B．该晶体具有良好的导电性

C．该晶胞中含有4个B原子，4个N原子

D．N原子周围等距且最近的N原子数为12

3 . 下面的排序不正确的是

A．晶体熔点由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CI4	B．硬度由大到小：金刚石>碳化硅>晶体硅
C．熔点由高到低：Na>Mg>Al	D．熔点由高到低：NaF> NaCl> NaBr>NaI

4 . 下列关于物质熔、沸点的比较不正确的是(　　)

A．Si、SiC、金刚石的熔点依次降低

B．SiCl4、MgBr2、氮化硼的熔点依次升高

C．F2、Cl2、Br2、I2的沸点依次升高

D．AsH3、PH3、NH3的沸点依次升高

5 . 下列表述不正确的是（       ）

A．熔点：CF4<CCl4<CBr4<Cl4

B．硬度：金刚石>碳化硅>晶体硅

C．晶格能：NaF>NaCl>NaBr>Nal

D．熔点：Na>Mg>Al

6 . 下列对一些实验事实的理论解释正确的是（       ）

选项	实验事实	理论解释
A	碘单质在CCl4中溶解度比在水中大	CCl4和I2都是非极性分子，而H2O是极性分子
B	CO2为直线形分子	CO2分子中C═O是极性键
C	金刚石的熔点低于石墨	金刚石是分子晶体，石墨是共价晶体
D	HF的沸点高于HCl	HF的相对分子质量小于HCl

A．A

B．B

C．C

D．D

7 . 下列说法不正确的是

A．HF、HCl、HBr、HI的热稳定性依次减弱	B．Si、SiC、金刚石的熔点依次降低
C．F2、Cl2、Br2、I2的沸点依次升高	D．HCl的熔、沸点低于HF的熔、沸点

8 . 下列对一些实验事实的理论解释正确的是

选项	实验事实	理论解释
A	氮原子的第一电离能大于氧原子	氮原子2p能级半充满
B	SO2为V形分子	SO2分子中S原子采用sp3杂化
C	金刚石的熔点低于石墨	金刚石是分子晶体，石墨是原子晶体
D	HF的沸点高于HCl	HF的相对分子质量小于HCl

A．A

B．B

C．C

D．D

9 . 下列说法中正确的是（   ）

A．金属导电的实质是金属阳离子在外电场作用下的定向移动

B．氯化钠和氯化氢溶于水时，破坏的化学键都是离子键

C．干冰气化和I2升华克服的作用力相同

D．用作高温结构陶瓷材料的Si3N4固体是分子晶体

10 . 2018年7月5日《科学》杂志在线报道：合成一种新的具有超高热导率半导体材料——砷化硼（BAs）。通过反应4BI₃(g) + As₄(g)4BAs(s，晶体) + 6I₂(g)可制备BAs晶体。下列说法错误的是
   

A．图（a）表示As4结构，As4分子中成键电子对与孤电子对数目之比为3:1

B．图（b）表示晶态单质硼的B12基本结构单元，该基本单元为正20面体

C．图（b）所示晶态单质硼的熔点为2180℃，它属于原子晶体

D．图（c）表示BAs晶胞结构，As原子的配位数为4