1 . 硫酸镍在电镀、镍电池、催化剂以及制取其他镍盐等领域有着十分重要的应用。从某镀镍厂排放的粗硫酸镍废弃物(含Cu2+、Fe3+、Mg2+、Zn2+、Ca2+等杂质)中对资源进行回收利用,提取硫酸镍晶体(NiSO4·6H2O)的工艺流程如图所示。
已知:常温下,溶液中金属离子开始沉淀和完全沉淀的pH如表所示:
(1)提高“溶解”速率的措施是___________ 。(任写两点)
(2)“硫化除铜”过程中含铁微粒发生的离子反应方程式___________ 。
(3)“滤渣2”的主要成分是___________ 。(填化学式)
(4)“萃取除锌”时,室温下溶液pH对几种离子的萃取率的影响如图,则萃取锌时,应控制pH范围为3~4,请解释原因:___________ 。
(5)称取2.000g硫酸镍晶体(NiSO4·6H2O)样品溶于蒸馏水,定容至250mL,移取25.00mL溶液于锥形瓶中,用0.0200mol·L-1的EDTA(Na2H2Y)标准溶液滴定至终点。重复实验,3次平均消耗EDTA标准溶液20.00mL。已知滴定反应:Ni2+ + H2Y2- = NiY2- + 2H+,计算样品纯度为___________ 。(保留四位有效数字)
(6)镍的氧化物常用作催化剂,NiO的晶胞结构如下图所示,O2-的配位数是___________ ;若晶胞中两个O2-的最近距离为a nm,晶体密度ρ=___________ g·cm-3.(列出计算式,NA为阿伏加德罗常数的值)
已知:常温下,溶液中金属离子开始沉淀和完全沉淀的pH如表所示:
金属离子 | Ni2+ | Fe3+ | Fe2+ |
开始沉淀时(c = 0.01 mol·L-1)的pH | 7.2 | 2.2 | 7.5 |
沉淀完全时(c = 1.0×10-5 mol·L-1)的pH | 8.7 | 3.2 | 9.0 |
(1)提高“溶解”速率的措施是
(2)“硫化除铜”过程中含铁微粒发生的离子反应方程式
(3)“滤渣2”的主要成分是
(4)“萃取除锌”时,室温下溶液pH对几种离子的萃取率的影响如图,则萃取锌时,应控制pH范围为3~4,请解释原因:
(5)称取2.000g硫酸镍晶体(NiSO4·6H2O)样品溶于蒸馏水,定容至250mL,移取25.00mL溶液于锥形瓶中,用0.0200mol·L-1的EDTA(Na2H2Y)标准溶液滴定至终点。重复实验,3次平均消耗EDTA标准溶液20.00mL。已知滴定反应:Ni2+ + H2Y2- = NiY2- + 2H+,计算样品纯度为
(6)镍的氧化物常用作催化剂,NiO的晶胞结构如下图所示,O2-的配位数是
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2 . 铋酸钠(NaBiO3)是一种可测定锰的强氧化剂。由辉铋矿(主要成分为Bi2S3,含FeS2、SiO2、CuO等杂质)制备NaBiO3的工艺流程如下:
已知:①易水解,难溶于冷水,与热水反应,不溶于水。
②“氧化浸取”时,硫元素转化为硫单质。
③常温下,有关金属离子开始沉淀和沉淀完全的pH如表:
回答下列问题:
(1)基态的3d电子轨道表示式为___________ 。“滤渣1”的主要成分为___________ (填化学式)。
(2)“氧化浸取”过程中,需要控制温度不超过40℃的原因是___________ ,发生反应的化学方程式为___________ 。
(3)已知,中的配位数为___________ ,配体的空间结构为___________ 。
(4)“氧化”过程发生反应的离子方程式为___________ 。
(5)取1.0g制得的产品,加入足量稀硫酸和稀溶液,发生反应,完全反应后再用0.1000的标准溶液滴定生成的,当溶液紫红色恰好褪去时,消耗23.50mL标准溶液,则产品的纯度为___________ %。
(6)我国科学家对新型二维半导体芯片材料——的研究取得了突破性进展。的晶胞结构中的位置如图所示(略去、),已知晶胞为竖直的长方体,高为bpm,晶体密度为。设为阿伏加德罗常数的值,则晶胞底边边长___________ (填含b、、的计算式,不必化简)。
已知:①易水解,难溶于冷水,与热水反应,不溶于水。
②“氧化浸取”时,硫元素转化为硫单质。
③常温下,有关金属离子开始沉淀和沉淀完全的pH如表:
金属离子 | ||||
开始沉淀的pH | 7.6 | 2.7 | 4.8 | 4.5 |
沉淀完全的pH | 9.6 | 3.7 | 6.4 | 5.5 |
(1)基态的3d电子轨道表示式为
(2)“氧化浸取”过程中,需要控制温度不超过40℃的原因是
(3)已知,中的配位数为
(4)“氧化”过程发生反应的离子方程式为
(5)取1.0g制得的产品,加入足量稀硫酸和稀溶液,发生反应,完全反应后再用0.1000的标准溶液滴定生成的,当溶液紫红色恰好褪去时,消耗23.50mL标准溶液,则产品的纯度为
(6)我国科学家对新型二维半导体芯片材料——的研究取得了突破性进展。的晶胞结构中的位置如图所示(略去、),已知晶胞为竖直的长方体,高为bpm,晶体密度为。设为阿伏加德罗常数的值,则晶胞底边边长
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