1 . 如图所示，第一象限内匀强磁场的磁感应强度为B，一电子从x轴上的点沿纸面方向射入磁场，速度与x轴正方向夹角为60°，并恰好垂直于y轴射出第一象限。已知电子质量为m，带电量为e，不计其重力。求：
（1）电子的速度v大小；
（2）电子穿过第一象限所用的时间t。

2 . 如图所示，在等腰直角三角形区域内存在垂直纸面向外、磁感应强度为的匀强磁场，为边的中点，在处有一粒子源，可沿纸面内不同方向、以相同的速率不断向磁场中释放相同的带正电的粒子。已知粒子的质量为，电荷量为，直角边长为，不计重力和粒子间的相互作用力。则从边射出的粒子中，在磁场中运动的最短时间为（　　）

A．

B．

C．

D．

3 . 如图所示，半径为R的圆形匀强磁场区域，磁感应强度为B，带电粒子以速率v从A点沿半径方向射入磁场，从B点射出磁场，速度的偏转角为60°，不计重力，则该粒子的比荷为（　　）

A．

B．

C．

D．

4 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。为了准确的注入离子，需要在一个有限空间中用电磁场对离子的运动轨迹进行调控。现在我们来研究一个类似的模型。在空间内存在边长的立方体，以为坐标原点，沿、和方向分别建立x、y、z轴。在面的中心M处存在一粒子发射源，可在底面内平行于底面沿任意方向发射初速度，比荷的带正电粒子。在区域内施加一定的匀强电场或者匀强磁场，使粒子可以达到相应的空间位置。不计重力，则：
（1）在立方体内施加沿轴正向的匀强电场，使粒子只能从面飞出，求施加电场的电场强度的最小值；
（2）在立方体内施加沿轴正向的匀强磁场，若磁感应强度大小为，求粒子在磁场中运动时间的最小值。（）（结果可保留π和分式）

6 . 如图所示，空间存在垂直纸面向里的匀强磁场，宽度为d，磁感应强度为B，一个带有负电荷的带电粒子，垂直磁场的左边界以速度v射入磁场，穿出磁场时速度方向与原来入射方向的夹角为30°，不粒子的重力，求：
（1）带电粒子的比荷；
（2）带电粒子穿过磁场区域的时间t。

7 . 如图所示，真空区域内有宽度为d、 磁感应强度为B的匀强磁场，方向垂直纸面向里，MN、PQ 是磁场的边界。质量为m、电荷量为q 的带正电的粒子（不计重力），沿着与MN夹角θ为30°的方向以某一速度射入磁场中，粒子恰好未能从PQ边界射出磁场。下列说法不正确的是（　　）

A．可求出粒子在磁场中运动的半径

B．可求出粒子在磁场中运动的加速度大小

C．若仅减小射入速度，则粒子在磁场中运动的时间一定变短

D．若仅增大磁感应强度，则粒子在磁场中运动的时间一定变短

8 . 如图所示，为坐标原点处的离子源，为平行轴足够长的荧光屏，到的距离为左侧区域有范围足够大的匀强磁场，磁场的磁感应强度大小为、方向垂直纸面向里。某时刻离子源沿平行纸面各个方向均匀地发出大量的质量为、电荷量为、速率为的正离子，不计离子受到的重力，不考虑离子之间的相互作用力。求：

（1）离子从发出到打中荧光屏的最短时间和最长时间；

（2）离子打中荧光屏的长度及范围。

9 . 如图所示，在平面直角坐标系xOy内，以坐标原点O为圆心，半径为R的圆形区域内存在垂直于坐标平面的匀强磁场（图中未画出），磁场区域外右侧有宽度为R的粒子源，M、N为粒子源两端点，M、N连线垂直于x轴，粒子源中点P位于x轴上，粒子源持续沿x轴负方向发射质量为m、电荷量为，速率为v的粒子。已知从粒子源中点P发出的粒子，经过磁场区域后，恰能从圆与y轴负半轴的交点Q处沿y轴负方向射出磁场，不计粒子重力及粒子间相互作用力，则（       ）

A．带电粒子在磁场中运动的半径为	B．匀强磁场的磁感应强度大小为
C．在磁场中运动的带电粒子路程最长为	D．带电粒子在磁场中运动的时间最短为

10 . 如图所示，矩形区域Ⅰ和Ⅱ内分别存在方向垂直于纸面向外和向里的匀强磁场，为磁场边界线，四条边界线相互平行，区域Ⅰ的磁感应强度大小为B，区域Ⅱ的磁感应强度大小为，矩形区域的长度足够长，磁场宽度及与之间的距离相同。某种带正电的粒子从上的处以大小不同的速度，沿与成角进入磁场（不计粒子所受重力），当粒子的速度小于某一值时，粒子在区域Ⅰ内的运动时间均为；当速度为时，粒子垂直进入无场区域，最终从上的A点射出，求：
（1）粒子的比荷；
（2）磁场区域Ⅰ的宽度L；
（3）出射点A偏离入射点竖直方向的距离y。