硼族元素(Boron group)指元素周期表中ⅢA 族所有元素，其中硼广泛应用于耐 高温合金工业。回答下列问题：
(1)铊(Tl)是位于第 6 周期的硼族元素，其价电子轨道表示式为___________ ，原子序数为___________ 。
(2)晶体硼单质的基本结构单元为正二十面体，能自发呈现多面体外形，晶体氮化硼结 构类似于金刚石，其熔沸点比晶体硼___________ (填“高”或“低”)，解释原因 ___________ 。 第 2 周期元素中，第一电离能介于 N 和 B 之间的元素有___________ (填“元素符号”)。
(3)硼酸晶体是片层结构，其中一层的结构如图所示(图中虚线表示氢键)。
硼酸在冷水中的溶解度很小，在热水中较大，解释原因___________ ， 1mol 硼酸晶体中含有氢键的数目为 ___________ 。
(4)硼氢化钠(NaBH4)是一种重要的储氢载体，该化合物中含有的化学键类型有___________ ， 键角 H-B-H 为___________ ，其阴离子空间构型为 ___________ 。
(1)铊(Tl)是位于第 6 周期的硼族元素，其价电子轨道表示式为
(2)晶体硼单质的基本结构单元为正二十面体，能自发呈现多面体外形，晶体氮化硼结 构类似于金刚石，其熔沸点比晶体硼
(3)硼酸晶体是片层结构，其中一层的结构如图所示(图中虚线表示氢键)。
硼酸在冷水中的溶解度很小，在热水中较大，解释原因
(4)硼氢化钠(NaBH4)是一种重要的储氢载体，该化合物中含有的化学键类型有
更新时间：2021-07-13 14:28:10
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【推荐1】FeCl3溶液中的Fe3+可用KSCN溶液检验，还可与苯酚发生显色反应，用于酚羟基的检验。
(1) Fe3+的基态简化电子排布式为__________ ，Cl的价电子排布图为_____________ 。
(2) 1个苯酚分子中含有的p-pσ键的数目为_____ ，有____ 个含单电子的p轨道肩并肩平行。
(3) C、N、O三种元素第一电离能从大到小为(填元素名称)_____ ，与SCN-互为等电子体且只含两种元素的分子是_______ (写两种，填化学式)。
(4)基态氮原子价电子排布图不是
， 是因为该排布方式违背了________ 。
(5)设计简单的实验证明非金属性：C＜N (需回答实验操作、现象及结论)____________ 。
(1) Fe3+的基态简化电子排布式为
(2) 1个苯酚分子中含有的p-pσ键的数目为
(3) C、N、O三种元素第一电离能从大到小为(填元素名称)
(4)基态氮原子价电子排布图不是
， 是因为该排布方式违背了(5)设计简单的实验证明非金属性：C＜N (需回答实验操作、现象及结论)
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解题方法
【推荐2】有六种前四周期元素U、V、W、X、Y、Z，其原子序数依次增大，其部分信息如下表所示。请用相应的化学用语回答下列问题：
(1)YU2的纳米颗粒遇水发生反应其产物可以中和肿瘤弱酸性微环境，使肿瘤钙化，用于氢免疫癌症治疗，写出YU2遇水反应的化学反应方程式___________ 。
(2)V、X分别与U形成的简单氢化物的键角较大的是_______ (填化学式)；基态Z原子的电子排布式为___________ 。
(3)U2、V2、W2三种物质中含有π键的是___________ (填物质名称)。
(4)U、V、W、X、Y、Z六种元素位于周期表中d区的元素是____________ (填元素符号，下同)；Y(VW3)2中各元素的电负性由大到小的顺序为___________ 。
| U | 原子核外电子只存在一种运动状态 |
| V | 简单氢化物能与最高价氧化物对应的水合物反应生成盐 |
| W | 基态原子的价电子排布为nsnnp2n |
| X | 有同素异形体，其中白色单质需要保存在水中 |
| Y | 主族金属元素；各能层s能级上电子总数与各能层p能级上电子总数之比为2：3 |
| Z | 前四周期的基态原子中核外未成对电子数最多 |
(1)YU2的纳米颗粒遇水发生反应其产物可以中和肿瘤弱酸性微环境，使肿瘤钙化，用于氢免疫癌症治疗，写出YU2遇水反应的化学反应方程式
(2)V、X分别与U形成的简单氢化物的键角较大的是
(3)U2、V2、W2三种物质中含有π键的是
(4)U、V、W、X、Y、Z六种元素位于周期表中d区的元素是
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【推荐3】氮族元素包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)，在性质上表现出从典型的非金属元素到典型的金属元素的一个完整的过渡。
(1)下列氮原子的能量最低的是_______。
(2)①氮族元素简单氢化物的键角NH3＞PH3＞AsH3，其原因是_______ 。
②南开大学某课题组成功合成了无机二茂铁类似物[Fe(η4- P4)2]2-。环状
是芳香性π配体，P的杂化方式是_______ ，中的大π键应表示为_______ (分子中的大π键可用符号
表示，其中m代表形成大π键的原子数，n代表形成大π键的电子数)
(3)雌黄的分子式为As2S3，1个As2S3分子中孤电子对数目为_______ 。
(4)天津理工大学科研团队制备出一种智能离子交换剂，由平行堆积的一维链阴离子(部分结构如下图)和K+阳离子组成，含有n个最简单元的阴离子可表示为_______ 。
(5)①基态铋原子的价电子排布式为_______ 。
②铋的一种氧化物的立方晶胞结构如图所示，已知最近的两个铋离子之间的距离为a pm，阿伏加德罗常数为NA，则该晶体的密度为_______ g·cm-3(列出计算式即可)。
(1)下列氮原子的能量最低的是_______。
A． | B． |
C． | D． |
②南开大学某课题组成功合成了无机二茂铁类似物[Fe(η4- P4)2]2-。环状
是芳香性π配体，P的杂化方式是中的大π键应表示为表示，其中m代表形成大π键的原子数，n代表形成大π键的电子数)(3)雌黄的分子式为As2S3，1个As2S3分子中孤电子对数目为
(4)天津理工大学科研团队制备出一种智能离子交换剂，由平行堆积的一维链阴离子(部分结构如下图)和K+阳离子组成，含有n个最简单元的阴离子可表示为
(5)①基态铋原子的价电子排布式为
②铋的一种氧化物的立方晶胞结构如图所示，已知最近的两个铋离子之间的距离为a pm，阿伏加德罗常数为NA，则该晶体的密度为
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解题方法
【推荐1】C和Si元素在化学中占有极其重要的地位。
（1）写出Si的基态原子核外电子排布式____ 。从电负性角度分析，C、Si和O元素的非金属活泼性由强至弱的顺序为____ 。
（2）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，其中C原子的杂化方式为____ ，微粒间存在的作用力是____ 。
（3）氧化物MO的电子总数与SiC的相等，则M为____ （填元素符号）。MO是优良的耐高温材料，其晶体结构与NaCl晶体相似。MO的熔点比CaO的高，其原因是____ 。
（4）C、Si为同一主族的元素，CO2和SiO2化学式相似，但结构和性质有很大不同。CO2的分子构型是________ ，SiO2的沸点_______ CO2的沸点（填“高于”或“低于”），理由是_____________________ 。 CO2分子中σ键和π键的个数比为___________ ，其中心原子采取_______ 杂化；
（1）写出Si的基态原子核外电子排布式
（2）SiC的晶体结构与晶体硅的相似，其中C原子的杂化方式为
（3）氧化物MO的电子总数与SiC的相等，则M为
（4）C、Si为同一主族的元素，CO2和SiO2化学式相似，但结构和性质有很大不同。CO2的分子构型是
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【推荐2】现有四种短周期元素A、B、C、D。已知：①C、D位于同一周期，A、B位于同一主族；②四种元素可以组成化合物
、
、
、
等；③B的简单阳离子与C的简单阴离子的核外电子排布相同；④与或反应均能生成气体
，B的单质与反应可生成气体
，气体与气体混合后点燃的产物在常温常压下是一种常见的无色无味的液体。请回答下列问题：
(1)写出下列元素的符号：A_______ 、B_______ 、C_______ 、D_______ 。
(2)在化合物、、和中，既含有离子键又含有非极性共价键的化合物的电子式为_______ ，按原子轨道重叠方式，其非极性键的类型是_______ σ键；化合物分子中键角为180°的是_______ (填化学式)，其结构式是_______ 。
(3)分子的空间结构是_______ 形，其键角_______ (填“>”“<”或“=”)180°；是平面形分子，其分子中含有_______ 个σ键，_______ 个π键。
、、、等；③B的简单阳离子与C的简单阴离子的核外电子排布相同；④与或反应均能生成气体，B的单质与反应可生成气体，气体与气体混合后点燃的产物在常温常压下是一种常见的无色无味的液体。请回答下列问题：(1)写出下列元素的符号：A
(2)在化合物
、、和中，既含有离子键又含有非极性共价键的化合物的电子式为(3)
分子的空间结构是是平面形分子，其分子中含有
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解答题-结构与性质
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【推荐3】铁被誉为“第一金属”，铁及其化合物在生活中有广泛应用。
(1)基态Fe3+的简化电子排布式为________ 。
(2)羰基铁[Fe(CO)5]可用作催化剂、汽油抗爆剂等。1molFe(CO)5分子中含____ molσ键，与CO互为等电子体的离子是_____ (填化学式，写一种)。
(3)月球岩石——玄武岩的主要成分为钛酸亚铁(FeTiO3)，钛酸亚铁与浓硫酸反应生成TiSO4，SO42—中S原子的杂化方式为____ ，用价层电子对互斥理论解释SO32—的键角比SO42—键角小的原因___________________________________________________ 。
(4)氮化铁晶体的晶胞结构如图所示。该晶体中铁、氮的微粒个数之比为____ 。
(5)氧化亚铁晶体的晶胞如图2所示。已知：氧化亚铁晶体的密度为ρg·cm-3，NA代表阿伏伽德罗常数的值。在该晶胞中，与Fe2+紧邻且等距离的Fe2+数目为____ ；Fe2+与O2—的最短核间距为____ pm。
(1)基态Fe3+的简化电子排布式为
(2)羰基铁[Fe(CO)5]可用作催化剂、汽油抗爆剂等。1molFe(CO)5分子中含
(3)月球岩石——玄武岩的主要成分为钛酸亚铁(FeTiO3)，钛酸亚铁与浓硫酸反应生成TiSO4，SO42—中S原子的杂化方式为
(4)氮化铁晶体的晶胞结构如图所示。该晶体中铁、氮的微粒个数之比为
(5)氧化亚铁晶体的晶胞如图2所示。已知：氧化亚铁晶体的密度为ρg·cm-3，NA代表阿伏伽德罗常数的值。在该晶胞中，与Fe2+紧邻且等距离的Fe2+数目为
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解答题-结构与性质
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【推荐1】新型半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等在国防技术、航空航天及5G技术等领域扮演着重要的角色。
(1)基态Si原子中，核外电子占据的最高能层的符号为______ ，占据最高能级的电子的电子云轮廓图形状为______ 。
(2)基态Ga原子的核外电子排布为[Ar]3d104s2p1，其转化为下列激发态时，吸收能量最少的是______(填选项字母)。
(3)硼(B)与Ga是同主族元素，硼氢化钠(NaBH4)是有机合成中重要的还原剂，基态B原子核外电子有______ 种不同的空间运动状态，其负离子
的空间结构为______ ；另一种含硼负离子的结构如下图所示，其中B原子的杂化轨道类型为______ 。
(4)NH4H2PO4中，除磷元素外，其余三种元素电负性由大到小的顺序是______ (填元素符号)，N、P和S第一电离能由大到小的顺序是______ (填元素符号)。
(1)基态Si原子中，核外电子占据的最高能层的符号为
(2)基态Ga原子的核外电子排布为[Ar]3d104s2p1，其转化为下列激发态时，吸收能量最少的是______(填选项字母)。
A．[Ar] |
B．[Ar] |
C．[Ar] |
D．[Ar] |
(3)硼(B)与Ga是同主族元素，硼氢化钠(NaBH4)是有机合成中重要的还原剂，基态B原子核外电子有
的空间结构为(4)NH4H2PO4中，除磷元素外，其余三种元素电负性由大到小的顺序是
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解答题-结构与性质
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【推荐2】过渡金属元素铬(Cr)是不锈钢的重要成分。回答下列问题：
(1)对于基态Cr原子，下列叙述正确的是___________ (填标号)。
A．轨道处于半充满时体系总能量低，核外电子排布应为
B．4s轨道上电子能量比3d高，且总是在比3d轨道上电子离核更远的地方运动
C．电负性比钾高，原子对键合电子的吸引力比钾大
(2)三价铬离子能形成多种配位化合物。
中提供电子对形成配位键的原子是___________ ，中心离子的配位数为___________ 。
(3)中配体分子NH3、H2O以及分子PH3的空间结构和相应的键角如图所示。
PH3中P的杂化类型是___________ 。NH3的沸点比PH3的___________ (填高，低或无法确定)
(1)对于基态Cr原子，下列叙述正确的是
A．轨道处于半充满时体系总能量低，核外电子排布应为
B．4s轨道上电子能量比3d高，且总是在比3d轨道上电子离核更远的地方运动
C．电负性比钾高，原子对键合电子的吸引力比钾大
(2)三价铬离子能形成多种配位化合物。
中提供电子对形成配位键的原子是(3)
中配体分子NH3、H2O以及分子PH3的空间结构和相应的键角如图所示。 PH3中P的杂化类型是
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解答题-结构与性质
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【推荐3】前四期元素A、B、C、D的原子序数依次增大，元素A核外电子有8种不同的运动状态；元素B的负一价离子的最外层电子数是次外层的4倍；元素C位于第四周期第ⅡA族；元素D最外层只有1个电子，次外层的所有原子轨道均充满电子。
(1)A原子核外有________ 种形状不同的原子轨道。
(2)与D同周期且同区的元素价层电子排布式为___________ 。
(3)上述四种元素中，第一电离能最小的是________________ （填元素符号）。
(4) AB2的立体构型为___________ ，其中A的杂化方式为______________ 。
(5)A2的熔点比DA的___________ (填“高”或“低”)。
(6) DA具有NaCl型结构，其中阴离子采用面心立方最密堆积方式，X射线衍射实验测得DA的晶胞参数为α=480pm，则r(A2-)=________ pm、r(D2+)=__________ pm。
(1)A原子核外有
(2)与D同周期且同区的元素价层电子排布式为
(3)上述四种元素中，第一电离能最小的是
(4) AB2的立体构型为
(5)A2的熔点比DA的
(6) DA具有NaCl型结构，其中阴离子采用面心立方最密堆积方式，X射线衍射实验测得DA的晶胞参数为α=480pm，则r(A2-)=
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【推荐1】下表是元素周期表的一部分，表中所列字母分别代表一种元素。
（1）表中的实线表示系周期表的部分边界，请用实线补全元素周期表的上边界____
（2）常温下，其单质呈液态的元素是____ （填字母代号），它与e形成的化合物电子式为：___________ （用元素符号表示）
（3）b元素形成的单质所属晶体类型可能是________ （填序号）
①分子晶体 ②原子晶体 ③金属晶体 ④离子晶体 ⑤过渡型晶体
（4）元素c、d、g的氢化物的沸点由高到低的顺序为________ （用化学式表示）
（5）NH3·H2O的电离方程NH3·H2O
NH+4+OH-，试判断NH3溶于水后，形成的NH3·H2O的合理结构__________ （填字母代号）
（1）表中的实线表示系周期表的部分边界，请用实线补全元素周期表的上边界
（2）常温下，其单质呈液态的元素是
（3）b元素形成的单质所属晶体类型可能是
①分子晶体 ②原子晶体 ③金属晶体 ④离子晶体 ⑤过渡型晶体
（4）元素c、d、g的氢化物的沸点由高到低的顺序为
（5）NH3·H2O的电离方程NH3·H2O
NH+4+OH-，试判断NH3溶于水后，形成的NH3·H2O的合理结构
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【推荐2】周期表前四周期的元素Q、R、X、Y、Z原子序数依次增大，Q元素的原子形成的离子就是一个质子；R基态原子中电子占据三种能量不同的原子轨道，且每种轨道中的电子总数相同，X基态原子s能级的总电子数比p 能级的总电子数多1；Y原子的核外成对电子数是未成对电子数的3倍；Z原子的价电子排布为3d74S2。回答下列问题：
（l）R、X、Y第一电离能由大到小的顺序是________ （填元素符号），其中Y原子的价电子轨道表示式为______________________ 。
（2）Q、R元素形成的某四核分子中共有14个电子，该分子中R原子采取______ 杂化，该分子的立体构型为___________ 。
（3）X与Q形成的简单化合物的水溶液中存在多种氢键,任表示出其中两种_____________ ，_____________ ；
（4）RY可以和很多过渡金属形成配合物，如Fe（RY）5、Ni（RY）4，其中Fe（RY）5常温下呈液态，熔点为﹣20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂，据此判断Fe（RY）5晶体属
于______________ （填晶体类型），与RY互为等电子体的离子有__________ （任写一种）。
（5）向含Z2+的溶液中加入过量的氨水，并通入适量的Y2气体，生成有[Z（NH3）6]3+离子，则该反应的离子方程式为_____________________________ 。
（6）金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料，其晶胞结构示意图如图所示。该合金的化学式为________________ ；
（l）R、X、Y第一电离能由大到小的顺序是
（2）Q、R元素形成的某四核分子中共有14个电子，该分子中R原子采取
（3）X与Q形成的简单化合物的水溶液中存在多种氢键,任表示出其中两种
（4）RY可以和很多过渡金属形成配合物，如Fe（RY）5、Ni（RY）4，其中Fe（RY）5常温下呈液态，熔点为﹣20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂，据此判断Fe（RY）5晶体属
于
（5）向含Z2+的溶液中加入过量的氨水，并通入适量的Y2气体，生成有[Z（NH3）6]3+离子，则该反应的离子方程式为
（6）金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料，其晶胞结构示意图如图所示。该合金的化学式为
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【推荐3】砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题
(1)下列说法正确的是_______ (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能：As>Ga
C.电负性：As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为：_______ 。AsH3空间形状为：_______ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为：_______ 。
(3)Ga的核外电子排布式为：_______ 。
(4)AsH3沸点比NH3低，其原因是：_______ 。
(1)下列说法正确的是
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同
B.第一电离能：As>Ga
C.电负性：As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为：
(3)Ga的核外电子排布式为：
(4)AsH3沸点比NH3低，其原因是：
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