【推荐1】A、B、C、D、E是原子序数依次增大的短周期元素，A、D在周期表中的相对位置如表，且元素A的最高正化合价与最低负化合价的绝对值相差2，B与D属于同主族元素；元素C是一种银白色金属，放置在空气中会迅速变暗。

		A
			D

(1)D的原子结构示意图为________
(2)元素E在元素周期表中位于第________族
(3)C、D、E离子半径的大小关系为_______(用离子符号表示)
(4)元素B的单质与元素C的单质加热时生成化合物甲，化合物甲中所含化学键为___；试写出甲与水反应的离子方程式_____
(5)若乙是元素A的最简单气态氢化物，丙是元素C的最高价氧化物对应的水化物。
①pH相同的乙和丙的水溶液，分别用蒸馏水稀释到原来的x、y倍，稀释后两种溶液的pH仍然相同，则x______y(填写“＞”、“＜”或“=” )
②在微电子工业中，乙的水溶液常用作刻蚀剂H₂O₂的清除剂，反应的产物不污染环境，其化学方程式为_________(不需要配平)。

【推荐2】已知X、Y、Z、W四种元素分别是元素周期表中三个连续短周期的元素,且原子序数依次增大。X、W同主族, Y、Z为同周期的相邻元素。W原子的质子数等于Y、Z原子的最外层电子数之和。Y与X形成的分子中有3个共价键。原子的最外层电子数是次外层电子数的3倍,试推断:
(1)X、Z两种元素的元素符号: X__________、Z__________。
(2)由以上元素中两两形成的化合物中,溶于水显碱性的气态氢化物的电子式为__________,它的共价键属于__________(填“极性”或“非极性”)键;含有离子键和非极性共价键的化合物的电子式为__________;含有极性共价键和非极性共价键的化合物的电子式为_______。
(3)由X、Y、Z所形成的常见离子化合物是__________(写化学式),该化合物与W的最高价氧化物对应的水化物的浓溶液加热时反应的离子方程式为__________;W的单质与水反应时,水作__________(填“氧化剂”或“还原剂”)。
(4)用电子式表示W与Z形成W₂Z化合物的过程:__________。

【推荐3】下表是元素周期表的一部分，针对表中①~⑩种元素，完成下列空白：

族 周期	ⅠA	ⅡA	ⅢA	ⅣA	ⅤA	ⅥA	ⅦA	0族
2			①		②	③	④
3	⑤		⑥			⑦	⑧
4	⑨						⑩

(1)同位素在生活生产和科学研究中有着重要的用途。例如，考古时利用___________(填元素符号)测定一些文物的年代。
(2)写出⑤和⑦的最高价氧化物的水化物间反应的离子方程式___________。
(3)元素①与⑧形成的化合物属于___________(填“共价”成“离子”)化合物，其电子式为___________。
(4)元素③④⑤⑥对应的简单离子的半径由大到小的依次是___________(用离子符号表示)。

【推荐1】单晶边缘纳米催化剂技术为工业上有效利用二氧化碳提供了一条经济可行的途径，其中单晶氧化镁负载镍催化剂表现出优异的抗积碳和抗烧结性能。
(1)基态镍原子的核外电子排布式为_______。
(2)氧化镁载体及镍催化反应中涉及到CH₄、CO₂和CH₃OH等物质。元素Mg、O和C的第一电离能由小到大排序为_______﹔在上述三种物质的分子中碳原子杂化类型不同于其他两种的是_______，立体构型为正四面体的分子是_______，三种物质中沸点最高的是CH₃OH，其原因是_______。
(3)Ni与CO在60-80℃时反应生成Ni(CO)₄气体，在Ni(CO)₄分子中与Ni形成配位键的原子是_______，Ni(CO)₄晶体类型是_______。
(4)已知MgO具有NaCl型晶体结构，其结构如图所示。已知MgO晶胞边长为0.40nm，则MgO的密度为_______g/cm³(保留小数点后一位)；相邻Mg²⁺之间的最短距离为_______nm(已知=1.414，=1.732﹔N_A=6.0×10²³mol^-1，结果保留小数点后一位)，每个Mg²⁺周围具有该距离的Mg²⁺个数为_______。

【推荐3】碳、氮、氟、硅、铜等元素的化合物广泛存在于自然界，回答下列问题：
(1)基态氟原子核外电子的电子云形状有_____种；氟原子的价电子排布式为___。
(2)NF₃是微电子工业中优良的等离子刻蚀气体，NF₃分子的空间构型为______；写出与N₂互为等电子体的一种离子的化学式_______。
(3)已知金刚石中的C-C键键长为154.45pm，C₆₀中C-C键键长为145～140pm，而金刚石的熔点远远高于C₆₀，其理由是________。
(4)氢基倍半硅氧烷的分子结构如图所示，该分子的分子式为______，Si原子采用_______杂化。

(5)Cu的某种晶体晶胞为面心立方结构，晶胞边长为acm，原子的半径为rcm。该晶体中铜原子的堆积方式为_______（填“A₁”“A₂”或“A₃”），该晶体的密度为______g/cm³（用含a和N_A的代数式表示)，该晶体中铜原子的空间利用率为______(用含a和r的代数式表达)。

【推荐1】亚铁氰化钾（K₄[Fe(CN)₆])又称黄血盐，是一种重要的化工原料。检验三价铁发生的反应为：K₄[Fe(CN)₆]+FeCl₃=KFe[Fe(CN)₆]↓(滕氏蓝)+3KCl，回答问题：
（1）写出基态Fe²⁺的核外电子排布式__。
（2）K₄[Fe(CN)₆]中的作用力除共价键外，还有__和__。1molK₄[Fe(CN)₆]含有σ键为__mol。
（3）黄血盐中N原子的杂化方式为__；C、N、O的第一电离能由大到小的排序为__，电负性由大到小的排序为__。
（4）Fe、Na、K的晶体结构如图所示：

①钠的熔点比钾更高，原因是__。
②Fe原子半径是rcm，阿伏加 德罗常数为N_A，铁的相对原子质量为a，则铁单质的密度是__g/cm³。

【推荐3】在普通铝中加入少量和后，形成一种称为拉维斯相的微小晶粒，其分散在中可使得铝材的硬度增加、延展性减小，形成所谓“坚铝”，是制造飞机的主要材料。回答下列问题：
(1)下列状态的镁中，电离最外层一个电子所需能量最大的是___________(填标号)。

A．

B．

C．

D．

(2)乙二胺是一种有机化合物，分子中氮、碳的杂化类型分别是___________、___________。乙二胺能与等金属离子形成稳定环状离子，乙二胺中提供孤电子对的是___________原子(填名称)，其中与乙二胺形成的化合物稳定性相对较高的是___________(填“”或“”)。
(3)一些氧化物的熔点如下表所示：

氧化物
熔点	1570	2800	23.8

请解释表中非金属氧化物之间熔点差异的原因___________。
(4)图是的拉维斯结构，以金刚石方式堆积，八面体空隙和半数的四面体空隙中，填入以四面体方式排列的。图是沿立方格子对角面取得的截图。可见，原子之间最短距离___________。设阿伏加德罗常数的值为，则的密度是___________(列出计算表达式)。

【推荐1】电负性与电离能是两种定量描述元素原子得失电子能力的参数，请回答下列问题：

元素符号	H	C	O	F	Mg	Al	Cl	Na
电负性	2.1	2.5	3.5	4.0		1.5	3.0	0.9

(1)非金属性强弱：O_______Cl(填“>”或“<”)。
(2)通过分析电负性的变化规律，确定Mg元素电负性的最小范围_______。
(3)卤化钠(NaX)和四卤化钛(TiX₄)的熔点如图所示，已知TiF₄的晶体类型与TiCl₄、TiBr₄、TiI₄不同，下列判断不正确的是_______(选填字母序号)。

a.NaX均为离子晶体
b.随X半径增大，NaX离子键减弱，熔点逐渐降低
c.TiF₄的熔点反常升高是由于氢键的作用
d.TiCl₄、TiBr₄、TiI₄的相对分子质量依次增大，分子间作用力增大，熔点逐渐升高
(4)二氟化氧(OF₂)的结构式为F—O—F，氧元素的化合价为_______，该分子属于_______分子(填“极性”或“非极性”)。
(5)已知苯可与ICl发生取代反应，利用电负性相关知识预测反应产物：_______
+I-Cl_______ + _______
(6)随着原子序数的递增，元素气态基态原子的第一电离能呈现起伏变化，而电负性的规律性更强。结合原子核外电子排布式解释N的第一电离能比O的高的原因_______。

【推荐2】芯片作为高科技产业，以及智能化、信息化、数字化的基础，自诞生以来就一直倍受关注。芯片制造要经过六个最为关键的步骤：沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。回答下列问题：
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素，基态Ga原子的核外电子排布式为：___________；
②将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料，晶体结构如甲图：

掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为___________。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶，结构如图乙所示，其分子中S原子的杂化形式为___________。

(3)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF、氟硼酸铵()及清洗剂，三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________，HF分子的极性___________(填“大于”、“等于”或“小于”)HCl，1mol中含有___________mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高，请解释原因：___________。
②LiF晶体的密度约为，LiF晶胞的体积约为___________(保留一位小数)。

【推荐3】原子序数依次递增且都小于36的A、B、C、D、E五种元素，其中A的一种核素中没有中子，B原子基态时最外层电子数是其内层电子数的2倍，D原子基态时2p原子轨道上有2个未成对的电子，E元素的原子结构中3d能级上未成对电子数是成对电子数的2倍。回答下列问题：
(1)A、B、C、D四种元素的电负性从大到小的顺序为___________(用元素符号表示)；化合物的沸点比化合物的高，其主要原因是___________。
(2)元素E能形成多种配合物，如：等。
①基态E原子的价电子排布式为___________。
②常温下呈液态，熔点为-20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂，据此可判断晶体属于___________(填晶体类型)，该晶体中E的化合价为___________。
(3)E和C形成的一种化合物的晶胞结构如图所示，该晶胞的化学式为___________。若两个最近的E原子间的距离为，则该晶体的密度是___________。