组卷网 > 高中化学综合库 > 物质结构与性质 > 分子结构与性质 > 共价键对分子构型、性质的影响 > 键能、键长、键角及应用
题型:解答题-实验探究题 难度:0.65 引用次数:105 题号:22294367
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,GaN属于第三代半导体材料。
(1)GaN、GaP、GaAs都是良好的半导体材料,晶体结构相似。熔点分别为:1700℃(GaN)、1480℃(GaP)、1238℃(GaAs),其熔点变化的原因为_______
(2)GaN的晶胞结构如图所示,每个Ga原子周围距离最近的N原子个数为_______个。

Ⅰ.为生成GaN,首先要得到有机镓源,即有机镓。
(3)有机镓的制取实验原理及反应的装置如下图。在充满惰性气体、含有乙醚()溶剂的容器内加入镓镁()合金,在持续搅拌、温度为30~80℃的条件下,加入引发剂碘甲烷,引发反应后通入一氯甲烷至反应结束。将溶剂蒸出,再减压蒸馏得到的配合物。将配合物加入高沸点有机胺中,蒸馏去除醚类溶剂,再在减压条件下进一步去除醚类和低沸点杂质,最后解配得到无氧的三甲基镓粗品。进一步提纯得到高纯度

①反应仪器a的名称为____。三颈烧瓶中除生成外,还有生成,该反应的化学方程式为______
②工业上不采用直接分解,而采用先将加入高沸点有机胺,中,再在真空条件下分解的原因为_______
已知相关物质的沸点信息如下表:
物质
沸点/℃55.834.5365.8

Ⅱ.MOCVD生产GaN的示意图如下:

(4)采用多孔球泡的原因是_______,制取GaN的化学反应方程式为_______
(5)工业上采用真空泵抽取尾气的原因为_______

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分子中的键角___________120°(填“>”,“<”,“=”)
的稳定性__________(填“>”,“<”,“=”)
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