2 . N元素的单质及其化合物之间的转化关系如图所示：

回答下列问题：
(1)N元素在元素周期表中的位置为__________，画出N原子结构示意图_________。
(2)工业上用氮气和氢气合成氨气，请写出NH₃的电子式_____________。
(3)实验室可以利用氢氧化钙固体和氯化铵固体制备氨气，请写出该反应的化学方程式___________

3 . N元素的单质及其化合物之间的转化关系如图所示：NH₃←N₂→NO→NO₂→HNO₃
回答下列问题：
（1）N元素在元素周期表中的位置为第___周期，第___族；画出N原子结构示意图___。
（2）工业上用氮气和氢气合成氨气，请写出NH₃的电子式___。
（3）实验室可以利用氢氧化钙固体和氯化铵固体制备氨气，请写出该反应的化学反应方程式___；并写出实验室检验氨气的具体操作___。
（4）NO是治疗心血管疾病的信使分子，NO与空气接触的反应现象是___，写出该反应的化学方程式___，若该反应转移0.4mole^-，则消耗的NO分子数是___（用N_A表示阿伏加 德罗常数）。
（5）浓硝酸具有不稳定性，实验室应该将浓硝酸保存在带玻璃塞的___（填“无色”或“棕色”）试剂瓶中。

5 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是_____；N的简单离子的核外电子排布示意图为_____。
(2)用电子式表示化合物YN的形成过程：_____。
(3)在YZO₂与YX的混合液中，通入足量CO₂，是工业制取Y₃ZX₆的一种方法，写出该反应的化学方程式：_____。
(4)镓(₃₁Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_____(填字母)。
a.Ga位于元素周期表第四周期IVA族
b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c.Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出NO₂气体，同时生成H₃AsO₄和Ga(NO₃)₃，写出该反应的化学方程式：_____。
(5)YZM₄是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

特定条件利用YZM₄遇水反应生成的氢气的体积测定YZM₄样品纯度。
①YZM₄遇水反应的化学方程式为_____。
②现设计如图四种装置测定YZM₄样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑，最适宜的方案是_____(填编号)。
③取样品ag，若实验测得氢气的体积为VmL(标准状态)，则YZM₄样品纯度为_____(用代数式表示)。

6 . A、、、、、、为中学化学常见物质，它们之间有如图转化关系反应条件已略去。已知：、、、均含有同种非金属元素为气态氢化物；是一种紫红色的金属单质；是空气的主要成分之一、根据学知识，按要求回答下列问题：

Ⅰ．若光照条件下，的浓溶液易分解得到、、 3种物质。则
(1)化合物A的电子式为_____；
(2)A的水溶液含有M元素的微粒有_____。
(3)写出的化学方程式：_____。
Ⅱ．若具有臭鸡蛋气味，且能与反应生成一种淡黄色非金属单质。则：
(4)元素在元素周期表中的位置为_____。
(5)比较简单氢化物稳定性：A_____H₂O(填“>”或“<”)；判断化合物A的化学键类型：_____。(填“离子键”或“共价键”)
(6)将气体通入新制氯水中，所发生反应的离子方程式：_____。

7 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期，N、X最外层电子数相同，Z原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是_______，写出YM的电子式：_______。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)：_______。
(3)镓(₃₁Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。
①下列有关说法正确的是_______。
a．Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b．Ga为门捷列夫预言的“类铝”
c．Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d．酸性：
②废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解，放出气体，同时生成和，写出该反应的化学方程式为_______。
(4)是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为_______。
②取样品a g，若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态)，则样品纯度为_______(用代数式表示)。

8 . 、、、、五种元素中，、、、为原子序数依次增大的短周期主族元素，的电子层数等于其最外层电子数且在同周期中的原子半径最小，、、元素的常见单质均为气体、其中、的单质是空气的主要成分，与其他元素不在同一周期，为常见使用量最大的金属，在一定条件下，的单质可以分别与、的单质化合生成甲、乙。各物质间有如图转化关系，回答下列问题：

(1)在元素周期表中的位置为______________________________。
(2)写出的单质的电子式：______________________________。
(3)戊的分子中元素的化合价为______。写出戊的水溶液与亚硫酸溶液反应生成两种强酸的化学方程式：____________________________________。
(4)、、三种元素的原子半径从大到小的顺序为__________________（用元素符号表示）。
(5)钠在的气体中燃烧可以生成淡黄色固体，该物质中阳离子与阴离子的个数比为______。
(6)丙具有很强的氧化性，丙的饱和溶液可以将的单质溶解，试写出丙与反应的离子方程式：_________________________。

9 . 已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期。N、X最外层电子数相同，2原子序数大于X，其中Z的简单离子半径在同周期中最小，X单质极易与常见无色无味液态物质发生置换反应且做氧化剂，在短周期中Y的最高价氧化物对应水化物的碱性最强。回答下列问题：
(1)Y在周期表中的位置是___________，写出YM的电子式：___________。
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)：___________。
(3)镓()的化合物氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料，具有耐高温、耐高电压等特性，随着5G技术的发展，它们的商用价值进入“快车道”。下列有关说法正确的是___________(填字母)。
a．Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族
b．Ga为门捷列夫预言的“类铝”，氮化镓可用于制作电子产品的充电器
c．Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d．酸性：
(4)是有机合成的重要还原剂，其合成路线如图所示。

利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
①其反应的化学方程式为___________。
②现设计如图四种装置测定样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑，最适宜的方案是___________(填编号)。
③取样品ag，若实验测得氢气的体积为VmL(标准状态)，则样品纯度为___________(用代数式表示)。