1 . 是制备半导体材料硅的重要原料，可由不同途径制备。
(1)由制备：
已知
时，由制备硅_______(填“吸”或“放”)热_______。升高温度有利于制备硅的原因是_______。
(2)在催化剂作用下由粗硅制备：。，密闭容器中，经不同方式处理的粗硅和催化剂混合物与和气体反应，转化率随时间的变化如下图所示：

①，经方式_______处理后的反应速率最快；在此期间，经方式丙处理后的平均反应速率_______。
②当反应达平衡时，的浓度为_______，平衡常数K的计算式为_______。
③增大容器体积，反应平衡向_______移动。

2 . 晶体中，多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所示，其中部分结构显示为图乙，下列说法错误的是

A．电负性：	B．单质是金属晶体
C．晶体中存在范德华力	D．离子的配位数为3

3 . 甲烷在某含催化剂作用下部分反应的能量变化如图所示，下列说法错误的是

A．	B．步骤2逆向反应的
C．步骤1的反应比步骤2快	D．该过程实现了甲烷的氧化

5 . 某固体电解池工作原理如图所示，下列说法错误的是

A．电极1的多孔结构能增大与水蒸气的接触面积

B．电极2是阴极，发生还原反应：

C．工作时从多孔电极1迁移到多孔电极2

D．理论上电源提供能分解

8 . 曲美托嗪是一种抗焦虑药，合成路线如下所示，下列说法错误的是

A．化合物I和Ⅱ互为同系物

B．苯酚和在条件①下反应得到苯甲醚

C．化合物Ⅱ能与溶液反应

D．曲美托嗪分子中含有酰胺基团

10 . 某兴趣小组设计了利用和生成，再与反应制备的方案：

(1)采用下图所示装置制备，仪器a的名称为_______；步骤I中采用冰水浴是为了_______；

(2)步骤Ⅱ应分数次加入，原因是_______；
(3)步骤Ⅲ滴加饱和溶液的目的是_______；
(4)步骤Ⅳ生成沉淀，判断已沉淀完全的操作是_______；
(5)将步骤Ⅴ中正确操作或现象的标号填入相应括号中_______。

A．蒸发皿中出现少量晶体
B．使用漏斗趁热过滤
C．利用蒸发皿余热使溶液蒸干
D．用玻璃棒不断搅拌
E．等待蒸发皿冷却