名校
解题方法
1 . 氮、磷、砷、锑、铋、镆为元素周期表中原子序数依次增大的同主族元素。回答下列问题:
(1)中键和键的数目比例是___________ ,的中子数为___________ 。
(2)①已知,白磷),黑磷),该反应中的固态白磷转化为固态黑磷,放出的热量;
,白磷),红磷),该反应中的固态白磷转化为固态红磷,放出的热量;
由此推知,其中最稳定的磷单质是___________ 。
②比较氮和磷氢化物的热稳定性:___________ (填“”“”);写出结构式___________ 。
③与卤化氢的反应和与卤化氢的反应相似,产物的结构和性质也相似。
下列对与反应产物的推断正确的是___________ (填序号)。
不能与反应 含离子键、共价键 受热易分解
(3)已知溶于水后的电离方程式为,若分别向上述混合体系中加入稀硫酸、溶液,则生成的正盐的化学式分别为___________ 、___________ 。
(4)能与水以等物质的量之比发生较强烈的反应,生成难溶的,写出该反应的化学方程式___________ 。
(5)某工厂采用辉铋矿(主要成分为,含有杂质)与软锰矿(主要成分为)联合焙烧法制备和,工艺流程如图所示:已知:①焙烧时过量的分解为转变为;
②金属活动性:;
③相关金属离子形成氢氧化物的范围如下:
①在元素周期表中的位置是___________ ,基态原子价层电子排布式为___________ 。
②在空气中单独焙烧生成,该反应的化学方程式为___________ 。
③滤渣的主要成分为___________ (填化学式)。
④生成气体的离子方程式为___________ 。
⑤加入金属的目的是___________ 。
(1)中键和键的数目比例是
(2)①已知,白磷),黑磷),该反应中的固态白磷转化为固态黑磷,放出的热量;
,白磷),红磷),该反应中的固态白磷转化为固态红磷,放出的热量;
由此推知,其中最稳定的磷单质是
②比较氮和磷氢化物的热稳定性:
③与卤化氢的反应和与卤化氢的反应相似,产物的结构和性质也相似。
下列对与反应产物的推断正确的是
不能与反应 含离子键、共价键 受热易分解
(3)已知溶于水后的电离方程式为,若分别向上述混合体系中加入稀硫酸、溶液,则生成的正盐的化学式分别为
(4)能与水以等物质的量之比发生较强烈的反应,生成难溶的,写出该反应的化学方程式
(5)某工厂采用辉铋矿(主要成分为,含有杂质)与软锰矿(主要成分为)联合焙烧法制备和,工艺流程如图所示:已知:①焙烧时过量的分解为转变为;
②金属活动性:;
③相关金属离子形成氢氧化物的范围如下:
开始沉淀 | 完全沉淀 | |
6.5 | 8.3 | |
1.6 | 2.8 | |
8.1 | 10.1 |
②在空气中单独焙烧生成,该反应的化学方程式为
③滤渣的主要成分为
④生成气体的离子方程式为
⑤加入金属的目的是
您最近一年使用:0次
名校
解题方法
2 . 氮的相关化合物在材料等方面有重要用途。回答下列问题:
(1)在第二周期中,第一电离能比N高的主族元素是_______ 。氮原子的电子排布图表示的状态中,能量由低到高的顺序是_______ (填序号)。
A. B.
C. D.
(2)科学家从(NH4)2SO4中检出一种组成为N4H4(SO4)2的物质,经测定,该物质易溶于水,在水中以SO和N4H两种离子的形式存在。N4H的空间构型与NH相同,则1个N4H中含有_______ 个σ键。
(3)科学家合成了一种阳离子为“N”,其结构是对称的,5个N原子都达到8电子稳定结构,且含有2个氮氮三键;此后又合成了一种含有“N”化学式为N8的离子晶体,其阳离子电子式为_______ ,阴离子的空间构型为_______ 。
(4)GaN、GaP、GaAs熔融状态均不导电,熔点如表所示。其中GaN晶胞如图所示,结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被N原子代替(如b),顶点和面心的碳原子被Ga原子代替(如a)。
①试分析GaN、GaP、GaAs熔点依次降低的原因:_______ ;
②GaN晶胞中与Ga原子周围与它最近且相等距离的Ga原子有_______ 个。
(1)在第二周期中,第一电离能比N高的主族元素是
A. B.
C. D.
(2)科学家从(NH4)2SO4中检出一种组成为N4H4(SO4)2的物质,经测定,该物质易溶于水,在水中以SO和N4H两种离子的形式存在。N4H的空间构型与NH相同,则1个N4H中含有
(3)科学家合成了一种阳离子为“N”,其结构是对称的,5个N原子都达到8电子稳定结构,且含有2个氮氮三键;此后又合成了一种含有“N”化学式为N8的离子晶体,其阳离子电子式为
(4)GaN、GaP、GaAs熔融状态均不导电,熔点如表所示。其中GaN晶胞如图所示,结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被N原子代替(如b),顶点和面心的碳原子被Ga原子代替(如a)。
物质 | GaN | GaP | GaAs |
熔点/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
②GaN晶胞中与Ga原子周围与它最近且相等距离的Ga原子有
您最近一年使用:0次
2022-12-22更新
|
535次组卷
|
3卷引用:河北省秦皇岛市青龙满族自治县2校联考2023-2024学年高一上学期12月月考化学试题
名校
解题方法
3 . 元素及其化合物在生活及生产中有很多重要用途。
Ⅰ.SiC、BN、GaAs 等是人工合成半导体的材料,具有高温、高频、大功率和抗辐射等优点。请回答:
(1)第一电离能:Ga_______ As(填“>”、 “<”、“=”)。
(2)B、C、N的电负性由小到大排列为_______
Ⅱ.卤素化学丰富多彩,能形成卤化物、卤素互化物、多卤化物等多种类型的化合物。
(1)拟卤素(CN)2、(SCN)2与卤素单质结构相似、性质相近,分子中所有原子都满足 8 电子结构。(SCN)2对应的酸有两种,测得硫氰酸(H—S—C≡N )的沸点低于异硫氰酸(H—N=C=S),其原因是_______ 。
(2)卤化物 RbICl2 在加热时会分解为晶格能相对较大的卤化物 A 和卤素互化物或卤素单质,A 的化学式为_______ ;I3+属于多卤素阳离子,其空间构型为_______
(3)卤素互化物如IBr、ICl等与卤素单质结构和性质相似。Cl2、IBr、ICl沸点由高到低的顺序为_______ 。
(4)请推测①HClO4、②HIO4、③H5IO6[可写成(HO)5IO]三种物质的酸性由强到弱的顺序为_______ (填序号)。
(5)CaC2晶体的晶胞结构与 NaCl 晶体的相似(如图所示),CaC2 晶体中的哑铃形 C22﹣的存在,使晶胞沿一个方向拉长。此晶体中 1 个 C22﹣周围距离最近的Ca2+为_______ 个;若该晶胞的边长为a、a、b(pm),则该晶体的密度为_______ g·cm-3(写出表达式)。
Ⅰ.SiC、BN、GaAs 等是人工合成半导体的材料,具有高温、高频、大功率和抗辐射等优点。请回答:
(1)第一电离能:Ga
(2)B、C、N的电负性由小到大排列为
Ⅱ.卤素化学丰富多彩,能形成卤化物、卤素互化物、多卤化物等多种类型的化合物。
(1)拟卤素(CN)2、(SCN)2与卤素单质结构相似、性质相近,分子中所有原子都满足 8 电子结构。(SCN)2对应的酸有两种,测得硫氰酸(H—S—C≡N )的沸点低于异硫氰酸(H—N=C=S),其原因是
(2)卤化物 RbICl2 在加热时会分解为晶格能相对较大的卤化物 A 和卤素互化物或卤素单质,A 的化学式为
(3)卤素互化物如IBr、ICl等与卤素单质结构和性质相似。Cl2、IBr、ICl沸点由高到低的顺序为
(4)请推测①HClO4、②HIO4、③H5IO6[可写成(HO)5IO]三种物质的酸性由强到弱的顺序为
(5)CaC2晶体的晶胞结构与 NaCl 晶体的相似(如图所示),CaC2 晶体中的哑铃形 C22﹣的存在,使晶胞沿一个方向拉长。此晶体中 1 个 C22﹣周围距离最近的Ca2+为
您最近一年使用:0次