1 . 氮化铬有优异的化学稳定性和耐磨性，被广泛用作材料的涂层。某氮化铬的晶胞结构与氯化钠的相同，已知N原子在晶胞中的位置如图所示，原子坐标A(0，0，0)，B(，，0)。下列说法不正确的是

A．距离Cr原子最近的N原子有12个

B．A和B最近的两个Cr原子的坐标为(，0，0)，(0，，0)

C．Cr原子位于N原子构成的八面体空隙中

D．晶胞中Cr原子沿x轴方向的投影为

4 . 硒化锌是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，图乙为晶胞的俯视图。下列说法正确的是

A．晶胞中硒原子的配位数为8	B．晶胞中d点原子分数坐标为(，，)
C．硒位于第四周期第ⅣA族	D．Zn和Se的最短距离为pnm

5 . 观察下列模型并结合信息，判断有关说法错误的是

	晶体硼的结构单元 (有12个原子)	分子	分子
结构模型 示意图

A．固态硫S8中S原子为sp2杂化

B．SF6中心原子的价层电子对数为6，其中S-F键的键长、键能均相等

C．晶体硼的结构单元中含有30个B-B键，含20个正三角形

D．HCN的结构式为H-C≡N

6 . 砷化镓是一种立方晶系如图甲所示，将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示，砷化镓的晶胞参数为，密度为。下列说法错误的是

       

A．砷化镓中的配位数为4

B．晶体中，和的最近距离是

C．掺杂到砷化镓晶体中，和最近且等距离的的数目为4

D．沿体对角线方向投影图如丙，若c在11处，则的位置为8、10、12、13

7 . 镧La和H可以形成一系列晶体材料LaH_n，在储氢和超导等领域具有重要应用。LaH_n属于立方晶系，晶胞结构和参数如图所示。高压下，LaH₂中的每个H结合4个H形成类似CH₄的结构，即得到晶体LaH_x。下列说法错误的是
   

A．LaH2晶体中La的配位数为8

B．晶体中H和H的最短距离：LaH2>LaHx

C．在一个LaHx晶胞中，H原子总数为32个

D．LaHx单位体积中含氢质量的计算式为

8 . 现有四种晶体的晶胞，其微粒质点排列方式如图所示，其中化学式正确的是

A．	B．	C．	D．

A．A

B．B

C．C

D．D

9 . 是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞(示意图)的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法正确的是

A．每个晶胞中个数为x

B．每个晶胞完全转化为晶胞，转移电子数为6

C．每个晶胞中0价Cu原子个数为1-x

D．当转化为时，每转移电子，产生原子

10 . 有四种不同堆积方式的金属晶体的晶胞如图所示，有关说法正确的是

A．①为简单立方堆积，③为面心立方最密堆积

B．每个晶胞含有的原子数分别为：①1个，②2个，③2个，④4个

C．晶胞中原子的配位数分别为：①6，②8，③8，④12

D．空间利用率的大小关系为：①<②<③<④