1 . 如图所示,长方体空间区域内存在匀强磁场(包括边界),方向平行于yOz平面且与z轴负方向成30°角(图中未画出),磁感应强度大小为B,长方体x方向长为2L,y方向足够长,z方向高为2L。质量为m,电荷量为q的带正电粒子从点a(0,0,2L)沿x轴正方向进入匀强磁场,速度大小为,不计粒子重力。则下列判断正确的是( )
A.粒子会经过x轴上的点e(2L,0,0) |
B.粒子会经过y轴上的点 |
C.若进入磁场的速度大小为2v₀,穿出点的y坐标为 |
D.若进入磁场的速度大小为2v₀,在磁场中的运动时间为 |
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2 . 如图所示,真空中有区域Ⅰ和Ⅱ,区域Ⅰ中存在电场强度大小为E、方向平行于纸面水平向左的匀强电场和磁感应强度大小为B1、方向垂直于纸面向里的匀强磁场;等腰直角三角形CDF区域(区域Ⅱ)内存在磁感应强度大小为B2、方向垂直于纸面向外的匀强磁场。图中S、C、M三点在同一直线上,SM与DF垂直,且与电场和磁场方向均垂直。S点处的粒子源持续将同种带电粒子以不同的速率沿直线SC射入区域Ⅰ中,只有沿直线SC运动的粒子才能进入区域Ⅱ,并从CF的中点射出,它们在区域Ⅱ中运动的时间为t0。若改变电场或磁场强弱,能进入区域Ⅱ中的粒子在区域Ⅱ中运动的时间为t,不计粒子的重力及粒子之间的相互作用,下列说法中正确的是( )
A.若仅将区域Ⅰ中电场强度大小变为2E,则t=t0 |
B.若仅将区域Ⅰ中磁感应强度大小变为2B1,则t<t0 |
C.若仅将区域Ⅱ中磁感应强度大小变为,则 |
D.若仅将区域Ⅱ中磁感应强度大小变为,则 |
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3 . 如图,空间存在垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感应强度大小为B,磁场下边界和荧光屏之间的夹角为。上的P点处有一粒子源沿与垂直的方向以不同的速率持续向磁场发射质量为m、电荷量为的粒子。已知P点到O点的距离为d,荧光屏上被打亮区域的长度为( )
A. | B. | C. | D. |
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2024-02-22更新
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513次组卷
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2卷引用:山东省青岛市城阳区2023-2024学年高二上学期2月期末物理试题
4 . 如图甲所示,矩形和为上下两部分对称磁场区域,分别有垂直纸面向外、向里的匀强磁场,磁场磁感应强度大小均为,边界左侧有一粒子发射器,可垂直于边界连续发射带正电的粒子,其内部结构如图乙所示。现调节发射器中速度选择器的电场和磁场的大小,当电场强度和磁感应强度大小之比为k时,发现从边界中点射入磁场的粒子,经过边界时速度方向与垂直。继续第二次调节速度选择器使射入磁场时的速度变为刚才的2.5倍,发现粒子恰好各经过上、下磁场一次从点射出。已知带电粒子比荷为,上、下两部分磁场区域高度均为d。不考虑电场、磁场边界效应和粒子重力的影响。求:
(1)第一次调节速度选择器后,其电场强度和磁感应强度大小之比k的值;
(2)对称磁场区域的长度;
(3)第一次调节好速度选择器后,当粒子发射器在间上下移动时,为使射入磁场的所有粒子均能从侧射出,须调节对称磁场的磁感应强度大小,求对称磁场的磁感应强度允许的最大值;
(4)在(3)中,当取最大值,且有界磁场的水平长度足够长时,求粒子在磁场中运动的最长时间与最短时间之比。
(1)第一次调节速度选择器后,其电场强度和磁感应强度大小之比k的值;
(2)对称磁场区域的长度;
(3)第一次调节好速度选择器后,当粒子发射器在间上下移动时,为使射入磁场的所有粒子均能从侧射出,须调节对称磁场的磁感应强度大小,求对称磁场的磁感应强度允许的最大值;
(4)在(3)中,当取最大值,且有界磁场的水平长度足够长时,求粒子在磁场中运动的最长时间与最短时间之比。
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名校
5 . 如图所示,水平面上有一粒子发射器S,可持续竖直向上发射速度大小为的某种正粒子,粒子比荷为。S左侧距离为处有竖直放置的接收屏。在水平面上方加上垂直纸面的匀强磁场,使粒子能打在接收屏上的点。将发射器S向右平移距离,发现粒子又能打在接收屏的点上。不计粒子的重力,下列说法中正确的是( )
A.匀强磁场方向垂直纸面向外 |
B.磁场磁感应强度大小 |
C.粒子两次打在点时,其在磁场中运动的时间之比为1:2 |
D.发射器向右移动的过程中,粒子打在屏上的最大高度为 |
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2024-02-22更新
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230次组卷
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2卷引用:山东省青岛市莱西市2023-2024学年高三上学期1月期末物理试题
6 . 如图所示,在平面内,的区域中,存在沿轴正方向的匀强电场,电场上边界正上方和下边界正下方填充某特殊物质,粒子进入即被吸收,的整个区域内存在垂直纸面向外的匀强磁场。某时刻,均匀分布在边的大量带电粒子沿轴正方向以速度同时进入电场,所有粒子均带正电,质量为、电荷量为。不计粒子的重力和粒子间的相互作用力。若有的粒子恰好能从边界射出。
(1)求匀强电场场强的大小;
(2)若从电场射出的粒子经磁场I偏转后能全部回到电场,求磁场I的磁感应强度的取值范围;
(3)若磁感应强度的大小取(2)中的最小值,求在磁场I中有粒子经过的区域面积;
(4)保持电场和磁场Ⅰ方向不变,将匀强电场场强的大小调为原电场场强的,调节磁场Ⅰ磁感应强度大小为(大小未知),在的整个区域再填充一个垂直纸面向里,磁感应强度大小也为的磁场Ⅱ。一质量为、电量为的正粒子从中点以沿轴正方向的速度进入电场,该粒子第一次从返回电场后再次穿过时恰好第二次经过点。求大小和该粒子第三次经过点的速度大小。
(1)求匀强电场场强的大小;
(2)若从电场射出的粒子经磁场I偏转后能全部回到电场,求磁场I的磁感应强度的取值范围;
(3)若磁感应强度的大小取(2)中的最小值,求在磁场I中有粒子经过的区域面积;
(4)保持电场和磁场Ⅰ方向不变,将匀强电场场强的大小调为原电场场强的,调节磁场Ⅰ磁感应强度大小为(大小未知),在的整个区域再填充一个垂直纸面向里,磁感应强度大小也为的磁场Ⅱ。一质量为、电量为的正粒子从中点以沿轴正方向的速度进入电场,该粒子第一次从返回电场后再次穿过时恰好第二次经过点。求大小和该粒子第三次经过点的速度大小。
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7 . 在芯片制造过程中,离子的注入是其中一道重要的工序,技术上可通过改变区域内电场、磁场实现对离子的靶向控制。如图所示为离子控制设备的原理图,正方体OPMN-CDGH边长为L,分别以OP、OC、ON为x、y、z轴建立坐标系。一质量为m、电荷量为q的带正电粒子,以初速度v0,沿x轴正方向从O点入射,粒子重力不计,忽略场的边缘效应。
(1)若空间区域内同时存在大小为;沿y轴负方向的匀强电场,和沿z轴方向的匀强磁场,粒子恰好沿直线运动经过P点,求匀强磁场的磁感应强度B的大小及方向;
(2)若保留(1)问中空间区域内的匀强磁场,而撤去匀强电场,试通过计算求粒子射出正方体边界的位置坐标;
(3)若空间区域内同时存在沿y轴负方向的匀强磁场和沿z轴正方向的匀强磁场粒子恰好经过H点,求、的大小。
(1)若空间区域内同时存在大小为;沿y轴负方向的匀强电场,和沿z轴方向的匀强磁场,粒子恰好沿直线运动经过P点,求匀强磁场的磁感应强度B的大小及方向;
(2)若保留(1)问中空间区域内的匀强磁场,而撤去匀强电场,试通过计算求粒子射出正方体边界的位置坐标;
(3)若空间区域内同时存在沿y轴负方向的匀强磁场和沿z轴正方向的匀强磁场粒子恰好经过H点,求、的大小。
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8 . 如图甲所示,一个棱长为的立方体空间中存在着磁感应强度大小为,沿轴负方向的匀强磁场,质量为、电量为的带正电的粒子从左侧面的中心沿轴正方向射入立方体空间,粒子重力忽略不计。
(1)若粒子的速度大小任意取值,求粒子在磁场中运动的最长时间;
(2)若粒子从面射出,求粒子速度大小的取值范围;
(3)如图乙所示,将磁场撤掉,在立方体空间中加上沿轴正方向的匀强电场,粒子射出时的速度方向偏转了。如图丙所示,保持粒子的入射速度不变,再将立体空间分成左右相等的两个区域,左侧区域保持电场不变,右侧区域加上沿轴负方向的匀强磁场,磁感应强度大小为。粒子先后穿过电场和磁场区域,垂直面射出,求电场强度。
(1)若粒子的速度大小任意取值,求粒子在磁场中运动的最长时间;
(2)若粒子从面射出,求粒子速度大小的取值范围;
(3)如图乙所示,将磁场撤掉,在立方体空间中加上沿轴正方向的匀强电场,粒子射出时的速度方向偏转了。如图丙所示,保持粒子的入射速度不变,再将立体空间分成左右相等的两个区域,左侧区域保持电场不变,右侧区域加上沿轴负方向的匀强磁场,磁感应强度大小为。粒子先后穿过电场和磁场区域,垂直面射出,求电场强度。
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9 . 如图所示,边长为的正三角形内存在垂直纸面的匀强磁场,磁感应强度大小为。的中心处有一粒子源,能够沿平面向任意方向发射速率为的粒子,粒子的质量为,电荷量为,不计粒子的重力。则粒子在磁场中运动的最短时间为( )
A. | B. | C. | D. |
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10 . 如图所示,建立平面直角坐标系,在第一象限区域Ⅰ中充满磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向外的匀强磁场。在第四象限区域Ⅱ中充满磁感应强度大小为(k为常数),方向垂直纸面向里的匀强磁场。x轴为两个不同磁场区域的分界线。时刻,一质量为m,电荷量为q的带正电粒子(不计粒子重力)从位于O点正上方的P点以的初速度沿x轴正方向进入磁场。
(1)若,求粒子第一次经过x轴时的横坐标以及时间;
(2)若、。求粒子第二次经过x轴回到区域Ⅰ中速度沿y轴正方向时的位置坐标;
(3)若,为了使粒子不从左边界离开磁场,求的最大值;
(4)若,且为(3)间中的最大值,最终粒子从磁场右边界射出,求粒子在磁场中运动的总时间。(已知,)
(1)若,求粒子第一次经过x轴时的横坐标以及时间;
(2)若、。求粒子第二次经过x轴回到区域Ⅰ中速度沿y轴正方向时的位置坐标;
(3)若,为了使粒子不从左边界离开磁场,求的最大值;
(4)若,且为(3)间中的最大值,最终粒子从磁场右边界射出,求粒子在磁场中运动的总时间。(已知,)
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