1 . 如图所示的坐标系中,第一象限内存在与x轴成30°角斜向下的匀强电场,电场强度;第四象限内存在垂直于纸面向里的有界匀强磁场,y轴负方向无限大,磁感应强度。现有一比荷为的正离子(不计重力),以速度从O点垂直磁场射入,,离子通过磁场后刚好直接从A点射出,之后进入电场。求:
(1)离子从O点进入磁场B中做匀速圆周运动的半径R;
(2)离子进入电场后经多少时间再次到达x轴上;
(3)若离子自O点进入磁场B运动到某一特殊位置时,再加一个垂直纸面向里的同方向的匀强磁场使离子做一个完整的圆周运动,然后磁场再恢复到初始数值以使粒子仍能从A点射出,求所加磁场磁感应强度的最小值。
(1)粒子射入磁场的初速度大小;
(2)电场强度E;
(3)粒子从P点运动到Q点的时间。
(1)匀强磁场的磁感应强度B的大小;
(2)匀强电场的电场强度E的大小;
(3)若质子从P点再次进入磁场中刚好运动到M点,求的值(计算结果保留根号)。
(1)匀强磁场的磁感应强度的大小;
(2)从原点出发后经过多长时间,带电粒子第一次经过x轴。
(1)求电子的比荷;
(2)求到达荧光屏上动能最大的电子与动能最小的电子的动能之比;
(3)求垂直打到荧光屏上的电子的发射位置到O点的距离。
6 . 制造芯片的过程中,需要用电磁场精准控制粒子的轨迹,如图所示,区域I中正交的电磁场构成了一个速度选择器,右侧足够大的长方体被分成两个区域,区域Ⅱ中存在竖直向上的匀强磁场,区域Ⅲ中存在水平向左的匀强电场。质量为m,带电荷量为的粒子从区域I左侧的小孔O以垂直电磁场方向的速度射入,该粒子沿直线穿越区域I,从右侧的小孔离开,沿直线由P点进入区域Ⅱ,P点到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离为d,粒子由区域Ⅱ、Ⅲ边界上的Q点(未画出)进入区域Ⅲ,Q点到长方体左侧面的距离为,最终粒子运动到长方体左侧面的S点,粒子在S点的速度与左侧面的夹角为,忽略粒子的重力。
(1)求区域Ⅱ中磁感应强度的大小;
(2)求区域Ⅲ中电场强度的大小以及S点到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离;
(3)将区域I中的磁感应强度变为原来的2倍,改变粒子的速度,粒子仍从O点射入,结果发现粒子仍沿直线由P射入区域Ⅱ,求该粒子第二次运动到长方体左侧面时到区域Ⅱ、Ⅲ边界的距离。
(1)圆形边界的半径;
(2)乙从p点到f点的运动时间;
(3)乙从j点到f点,动量的变化量对时间的变化率的大小以及动能的变化量对位移的变化率的大小。
(1)若区域Ⅱ内的匀强电场方向竖直向下
①要使电子不能够进入区域Ⅱ,求区域Ⅰ的磁感应强度B1大小的取值范围;
②若电子从Q点射出,且每次穿过边界的位置都在虚线PQ上,求电场强度E与磁感应强度B1的比值;
(2)若区域Ⅱ内的匀强电场方向水平向左,、=2v0,电子恰好能够回到P点
③求区域III磁感应强度B2的大小;
④电子从P点射入到返回P点运动过程中经历的时间。
(1)匀强磁场的磁感应强度B的大小;
(2)匀强电场的电场强度E的大小;
(3)粒子返回yOz平面右侧时的速度v的大小。
(1)若质子恰能从点进入圆形区域,求磁场的磁感应强度大小;
(2)在圆形区域内加上匀强电场,方向与对角线平行,若质子恰能从点进入电场、从点离开电场回到磁场,求:
①电场的电场强度的大小;
②质子从点运动到点的时间。