1 . 化学和生活、科技、社会发展息息相关,下列说法错误的是
A.神舟系列飞船返回舱使用氮化硅耐高温材料,属于共价晶体 |
B.三星堆黄金面具出土时光亮且薄如纸,说明金不活泼和有良好的延展性 |
C.利用合成了高级脂肪酸,实现了无机小分子向有机高分子的转变 |
D.高铁酸钾()对饮用水有杀菌消毒和净化的作用 |
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2 . 化学推动科技进步。下列说法不正确的是
A.华为自主研发的“麒麟”芯片与太阳能电池感光板所用的主要材料均为晶体硅 |
B.杭州亚运会场馆使用的“碲化镉”光伏发电系统将化学能转化为电能 |
C.“神舟十七号”发动机的耐高温结构材料属于共价晶体 |
D.“深海一号”母船海水浸泡区镶上铝基是利用了牺牲阳极的金属防腐原理 |
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2024-04-22更新
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415次组卷
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2卷引用:广东省惠州市2024届高三一模化学试题
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3 . 硼酸晶体有类似于石墨的片层状结构。下列说法不正确的是
A.氧化铍熔点较高,可用作耐火材料 |
B.电解熔融氯化铍制备铍单质 |
C.用碳原子取代晶体硅中部分原子,硬度变大 |
D.不慎将碱液沾到皮肤上,立即用大量水冲洗,再涂上的硼酸 |
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4 . 新技术新材料在我国探月工程中大放异彩,例如:不正确 的是
用于供能的太阳电池阵及锂离子蓄电池组;
用于制作网状天线的钼金属丝纺织经编技术;
用于制作探测器取样钻杆的碳化硅增强铝基复合材料。
下列说法A.Li位于第二周期IA族 | B.制作天线利用了金属的延展性 |
C.碳化硅属于共价晶体 | D.碳化硅的熔点比金刚石的高 |
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7日内更新
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219次组卷
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2卷引用:北京市海淀区2023-2024学年高三下学期期末练习(二模)化学试题
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5 . 碳、硅元素及其化合物在生产生活中应用广泛。请回答:
(1)基态硅原子核外电子排布式:_______ 。该基态原子占据最高能级的电子云轮廓图形状为_______ 。
(2)C60晶体采用面心立方堆积,C60晶体中存在的作用力有_______ (填字母)
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.范德华力 E.配位键 F.金属键
(3)与碳的氢化物类似,硅元素的氢化物硅烷的通式为:SinH2n+2。下列有关说法不正确的是_______。
(4)硅酸盐是地壳中的主要成分。硅酸盐的最简单阴离子为SiO,为硅氧四面体,结构如图1。SiO在溶液中形成的分子形态脱水易形成凝胶状的固体物质—硅胶。硅胶继续脱水,形成了共用氧原子的硅氧四面体骨架—SiO2(硅石)。联系相关信息,解释硅胶转变为硅石后,硬度变大的原因:_______ 。(5)石墨与金属钾反应生成钾的石墨插层化合物KCx:,KCx晶胞结构如图2(碳原子省略),如图3是晶胞沿y轴方向的投影。_______ 。
②若石墨层内的大π键可表示为(上标表示电子总数,下标表示原子数),则平均每个KCx单元中的大π键可表示为_______ (用具体的数据表示)。
(6)已知晶体的密度为ρg· cm-3,其晶胞结构如图所示。阿伏加德罗常数值为NA,则晶胞中两个原子之间的距离为_______ 。
(1)基态硅原子核外电子排布式:
(2)C60晶体采用面心立方堆积,C60晶体中存在的作用力有
A.共价键 B.离子键 C.氢键 D.范德华力 E.配位键 F.金属键
(3)与碳的氢化物类似,硅元素的氢化物硅烷的通式为:SinH2n+2。下列有关说法不正确的是_______。
A.Si3H8没有同分异构体 |
B.Si-Si键能比C-C键能小,故热稳定性:SinH2n+2>CnH2n+2 |
C.SinH2n+2中Si原子杂化方式均为sp3 |
D.SinH2n+2可与水反应生成氢气 |
①x=
②若石墨层内的大π键可表示为(上标表示电子总数,下标表示原子数),则平均每个KCx单元中的大π键可表示为
(6)已知晶体的密度为ρg· cm-3,其晶胞结构如图所示。阿伏加德罗常数值为NA,则晶胞中两个原子之间的距离为
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6 . 某长石矿物的化学式为 ,是原子序数依次增大的前20号主族元素。元素Z、W是常见的金属元素,元素R在地壳中的含量仅次于元素Y。下列说法错误的是
A.X、Y形成的二元化合物常温常压下呈液态 |
B.Z、W最高价氧化物对应水化物的碱性; |
C.X、Y、Z、R四种元素形成的单质中,R熔点最高 |
D.Z、R、W最高价氧化物对应的水化物之间均可发生反应 |
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7 . 下列有关物质结构与性质的说法错误的是
A.比稳定,是由于分子间存在氢键,而分子间不存在氢键 |
B.Zn的第一电离能大于Ga,是由于Zn的价层电子排布是全充满的,比较稳定 |
C.溶于氨水,是由于与反应生成了可溶性配合物 |
D.金刚石可用作地质钻探钻头,是由于金刚石具有很高的硬度 |
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8 . GaN、AlN属于第三代半导体材料,二者成键结构与金刚石相似,晶体中只存在键、键。已知Ga与Al同主族,化学性质相似。从某金属废渣(主要含、)中提取镓并制备GaN的工艺流程如下:下列说法错误的是
A.GaN的熔点高于AlN的熔点 | B.“碱浸”时反应生成 |
C.“电解”中金属镓在阴极析出 | D.制备GaN的反应中,作氧化剂 |
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2024-04-07更新
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375次组卷
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4卷引用:广西壮族自治区部分学校2023-2024学年高三下学期教学质量监测联考(二模)化学试题
9 . 砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,熔点为1238℃,用于制作太阳能电池的材料,其结构如图所示,其中以原子1为原点,原子2的坐标为(1,1,1)。下列有关说法中错误的是
A.原子3的坐标为(,,) | B.Ga的配位数为4 |
C.GaAs为共价晶体 | D.若将Ga换成Al,则晶胞参数将变小 |
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2023-06-03更新
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815次组卷
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5卷引用:湖北省武昌实验中学2023届高三下学期高考适应性考试化学试题
湖北省武昌实验中学2023届高三下学期高考适应性考试化学试题(已下线)考点巩固卷06 物质结构与性质(4大考点55题)-2024年高考化学一轮复习考点通关卷(新高考通用)(已下线)第6讲 晶体结构与性质湖北省武汉市新洲区部分学校2023-2024学年高三上学期期末考试化学试题湖北省荆州市沙市中学2023-2024学年高二下学期3月月考化学试题
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10 . 下列关于“碳”的说法错误的是
A.自然界中的14C来自宇宙射线(中子)撞击14N,其过程可表示为 |
B.高压下制得的CO2共价晶体结构与SiO2晶体相似,其硬度和熔沸点均高于SiO2晶体 |
C.石墨烯、石墨炔都是全碳二维平面结构材料,二者碳原子杂化方式完全相同 |
D.用风能、光能等清洁能源代替煤和石油,有利于实现“双碳”目标 |
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