3 . S₈与NH₃在无水条件下反应，得到一种二元化合物A，元素分析可知，A中含S元素69.60%。A进行如下反应：

A、B、C、D的分子量范围在150～190之间，各元素含量都是质量分数。试回答下列各问题：
(1)A、B、C、D的化学式分别为___________、___________、___________、___________。
(2)A与SnCl₂的乙醇溶液反应除生成B外，还生成一种含Sn(IV)化合物，试写出A→B的化学方程式___________。
(3)D与一种无色液体(该液体是由常见的红棕色气体在加压下形成的)互为等电子体，但D与无色液体的几何构型完全不同，为环状结构，试画出D的最稳定的Lewis结构式___________，理由是___________，该Lewis结构式中，S原子的电子构型是___________。

4 . 复盐的组成
在NH₄Cl-CuCl-H₂O体系中，结晶出一种淡蓝色的物质A，其组成可表示为xNH₄Cl·CuCl₂·yH₂O。称取1.4026g晶体A，溶于水并在250mL容量瓶中定容。Cl^-分析：移取25.00mL溶液，加入2滴0.5%荧光黄的乙醇溶液和一滴稀NaOH溶液，再加2mL0.5%淀粉溶液，用0.1036molL-1AgNO₃溶液滴定(反应1)，至出现粉红色，消耗19.52mL：Cu²⁺分析：移取25.00mL溶液，加入1molL-1H₂SO₄溶液5mL，再加固体KI1.5g，混匀并放置(反应2)，用0.02864molL-1Na₂S₂O₃溶液滴定(反应3)，至棕色较浅时加入2mL0.5%淀粉溶液，继续滴至蓝紫色恰好消失，消耗17.65mL。
(1)写出反应1-3的方程式_____。
(2)通过计算确定A中x和y的值。(NH₄Cl式量53.49，CuCl₂式量134.5)_____。

5 . 镓的化合物
(1)半导体工业中通过刻蚀制造微纳结构，GaN是重要的半导体材料，通常采用含氯气体在放电条件下进行刻蚀。写出利用Ar-Cl₂混合气体放电刻蚀GaN的化学方程式_____。
(2)金属镓熔点很低但沸点很高其中存在二聚体Ga．1990年，科学家将液态Ga和l₂在甲苯中超声处理，得到了组成为Gal的物质。该物质中含有多种不同氧化态的Ga，具有两种可能的结构，分子式分别为Ga₄I₄(A)和Ga₆I₆(B)，二者对应的阴离子分别为C和D，两种阴离子均由Ga和I构成且其中所有原子的价层均满足8电子。写出示出A和B组成特点的结构笱式并标出Ga的氧化态_____，画出C和D的结构_____。
   
(3)GaI常用于合成低价Ga的化合物。将GaI与Ar’Li(Ar’基如图所示，解答中直接采用简写Ar’)在-78℃的甲苯溶液中反应，得到晶体E，E中含有2个Ga原子：E在乙醚溶液中与金属钠反应得到晶体F，X射线晶体学表明，F中的Ga-Ga键长比E中短0.028nm。关于F中Ga-Ga的键级历史上曾有过争议，其中一种观点认为，F中的Ca价层满足8电子。基于该观点，画出E和F的结构式_____。

7 . nesteretal A是一种从某菌体中提取出来的笼状聚半缩酮，在2021年，化学家Yuichiro Kawamoto等人提出了nesteretal A的一种全合成路线。下面展示了该全合成路线的部分反应。

   
(1)已知IBX是一种氧化剂，可以将醇氧化为酮；环氧乙烷在酸性水溶液中会水解为乙二醇。请画出A、C的键线式______、______。
(2)根据前后反应，写出MOMCl的键线式______，并说明A到B的反应类型______。
(3)加入反应物的目的是什么______？
(4)试画出D到E的第一步反应产物的键线式______。(不要求立体构型)
(5)请写出nesteretal A的分子式_______。

8 . 在温度为300K，压力为750mmHg的条件下有1.5L He和另一种气体的混合物，质量共5.0g。另一种气体在270K下即凝固。若在15K下气体混合物的压力为8mmHg(在相同体积下)，则另一种气体的相对分子质量是

A．103.8

B．4.0

C．495

D．82.24

9 . 金属钛(Ti)在航空航天、医疗器械等工业领域有着重要用途，目前生产钛的方法之一是将金红石()转化为，再进一步还原得到钛。
直接氯化：
反应Ⅰ：　
碳氯化：
反应Ⅱ：　
反应Ⅲ：　
(1)直接氯化可以在___________下自发进行。
(2)反应Ⅳ的为___________
(3)科学家对以上反应做过热重分析，温度为1223K、氯气分压的条件下，得到固体相对质量变化与时间的关系如下图所示：

①用纯碳实验时，质量稍微有所增长，生成了含___________键的物质。
②用纯实验时，所发生的化学方程式为___________；该反应的活化能___________(填“高”或“低”)。
③按照混合，实验发现1.1min内质量迅速减少，经光谱分析证明有光气()生成，固体中含有C和，则x=___________。
④1.1min之后，光气()继续反应，有理论认为机理如下：

决速步骤的反应方程式为___________，1.1min之后发生的总反应方程式为___________。
(4)按照混合，平衡状态下不同物质的组成比与温度的关系如下图所示：

①曲线Q是___________(填化学式)的变化图像。
②M点所发生的化学方程式是___________。

10 . 第三代半导体材料氮化镓(GaN)有多种制备方法：
方法Ⅰ：
方法Ⅱ：
方法Ⅲ：
(1)基态的核外电子排布式为___________。
(2)氨气、甲烷中心原子的杂化方式是___________，分子构型分别为___________、___________。氨气熔沸点高于甲烷，是因为固体、液态氨气分子中存在氢键。在固体氨中每个氨气分子与6个氨气形成氢键，请画出其氢键___________。
(3)方法Ⅰ比方法Ⅱ温度高的主要原因是(从结构上解释)___________。
(4)方法Ⅲ中，通电氮气流中存在N、、活化粒子，常温下就能与液体镓反应(如图所示)。、电子式分别为___________、___________，1mol完全反应得到___________mol。
   
(5)对高温GaN熔液慢速降温，至2950K时形成结晶。科学家展示了从中截取厚度为1.5个原子厚度的微观结构截面图(如下所示)：
   
区域1、区域2分别为氮化镓___________、___________(填“结构A”或“结构B”)的结构。