1 . 如图所示，直角三角形abc区域内（含边界）存在垂直于纸面向外、磁感应强度大小为B的匀强磁场，顶点a处有一离子源，沿ac方向同时射出一群速度大小不同的正离子，离子的质量均为m、电荷量均为q，已知，bc边长为L，不计离子的重力及离子间的相互作用力，则下列说法正确的是（　　）

A．从ab边界射出的离子，一定同时平行射出

B．从bc边界射出的离子在磁场中运动的时间均不小于

C．从bc边界射出的离子的速度均不小于

D．当某离子垂直于bc边界射出时，磁场中的所有离子都在与ab边界成15°角的一条直线上

3 . 如图所示，将某正粒子放射源置于原点，其向各方向射出的粒子速度大小均为、质量均为、电荷量均为。在的一、二象限范围内分布着一个匀强电场，方向与轴正向相同，在的一、二象限范围内分布着一个匀强磁场，方向垂直于平面向里。粒子离开电场上边缘时，能够到达的最右侧的位置为。最终恰没有粒子从的边界离开磁场（不计粒子重力以及粒子间的相互作用）。求：
（1）电场强度；
（2）磁感应强度；
（3）再次进入电场前，粒子在磁场中运动的最长时间。

5 . 如图，直角坐标系xOy中，在第一象限内有沿y轴负方向的匀强电场；在第三、第四象限内分别有方向垂直于坐标平面向里和向外的匀强磁场。一质量为m、电荷量为q（q>0）的粒子从y轴上P点（0、h）以初速度v₀垂直于y轴射入电场，再经x轴上的Q（2h，0）点进入磁场，粒子重力不计。
（1）求匀强电场的场强大小E；
（2）要使粒子能够进入第三象限，求第四象限内磁感应强度B的大小范围；
（3）若第四象限内磁感应强度大小为，第三象限内磁感应强度大小为，且第三、第四象限的磁场在处存在一条与x轴平行的下边界MN（图中未画出），则要使粒子能够垂直边界MN飞出磁场，求L的值。

6 . 在平面直角坐标系xOy的第I、II象限内有方向垂直坐标平面向里的匀强磁场，在第III象限内有沿x轴正方向的匀强电场，电场强度大小为E，在第IV象限内有一半径为R且与两坐标轴相切的圆，圆内有匀强磁场（图中未画出）。一质量为m、电荷量为q的带正电的粒子（不计粒子受到的重力）从坐标为（－2R，－R）的S点由静止释放，粒子从y轴上的P点进入圆内磁场，从x轴上的Q点（图中未画出）进入第I象限，然后立即撤去第III、IV象限内的电场和磁场，粒子经第I、II象限内的磁场偏转后恰好通过坐标原点O。已知圆内磁场的磁感应强度大小B₁＝2、方向垂直坐标平面向里。求：
（1）粒子运动到P点时的速度大小；
（2）Q点的坐标；
（3）粒子从开始释放到O点所用的时间。

7 . 如图所示，在坐标系的第Ⅰ象限内存在沿轴负方向的匀强电场，在第Ⅳ象限内存在垂直坐标平面向里的匀强磁场。一质量为、电荷量为的带正电粒子（粒子所受重力不计）从坐标原点射入磁场，其入射方向与轴正方向的夹角，第一次进入电场后，粒子到达坐标为的点处时的速度大小为、方向沿轴正方向。求：
（1）粒子从点射入磁场时的速度大小；
（2）电场的电场强度大小以及磁场的磁感应强度大小；
（3）粒子从点运动到点的时间。

8 . 如图所示，在直角坐标系xOy平面的第I象限内有沿轴负方向的匀强电场，第IV象限有一边长为的正方形磁场区域，边与轴重合，的坐标为，磁场方向垂直于xOy平面向外。一质量为、电荷量为的粒子，从轴的点，以大小为的速度沿轴正方向射入电场，通过电场后从点进入磁场，然后从点离开磁场，不计粒子的重力。求：
（1）电场强度的大小；
（2）区域内磁场磁感应强度的大小；
（3）如果在第II和第III象限还存在一个垂直于xOy平面的匀强磁场，分布在图中虚线左侧区域，虚线与轴交点的坐标为，粒子进入虚线左侧磁场运动一段时间，从虚线上的某点离开磁场后恰能沿水平方向通过点再次进入第I象限内的匀强电场，求虚线左侧磁场的磁感应强度的大小。

9 . 在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，用电场和磁场控制离子速度，然后通过磁分析器Ⅰ，选择出特定比荷的离子，经偏转系统Ⅱ后注入硅片。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直纸面向外；速度选择器的匀强电场场强大小为E，方向竖直向上。磁分析器截面是矩形，矩形长为，宽为L。其宽和长中心位置C和D处各有一个小孔；偏转系统中长度均为4L的两块挡板和MN竖直相对放置，间距为，两挡板上边缘P和M处于同一水平线上，P点紧贴小孔D的左边缘；两挡板间有垂直纸面向外、磁感应强度大小可调节的匀强磁场。离子从两挡板下边缘和N之间射出磁场，运动过程中粒子未与挡板碰撞，不计离子重力。求：
（1）离子通过速度选择器后的速度大小；
（2）磁分析器选择出来的离子的比荷；
（3）偏转系统磁感应强度大小的取值范围。

10 . 如图所示，在无限长的竖直边界和间，上、下部分分别充满方向垂直于平面向外的匀强磁场，上部分区域的磁感应强度大小为，为上、下磁场的水平分界线，质量为m、带电荷量为的粒子从边界上与O点相距为a的P点垂直于边界射入上方磁场区域，经上的Q点第一次进入下方磁场区域，Q点与O点的距离为，不考虑粒子重力。
（1）求粒子射入时的速度大小；
（2）要使粒子不从边界飞出，求下方磁场区域的磁感应强度应满足的条件；
（3）若下方区域的磁感应强度，粒子最终垂直边界飞出，求边界与间的距离L与a的关系。