6 . R、W、X、Y、Z是原子序数依次增大的前四周期元素，其中R与W位于同一周期，且R元素的第一电离能大于氧，W的单质在暗处与能剧烈化合，常温下X的单质为淡黄色固体，含Y元素的物质灼烧时焰色为紫色，基态Z原子有5个未成对电子。请回答下列问题：
(1)基态Z原子的价层电子排布式为__________，该元素位于元素周期表中的__________区。
(2)基态R原子中有__________个未成对电子，其中能量最高的电子所在原子轨道的电子云轮廓图为__________形。
(3)R、W、X三种元素中第一电离能由大到小的顺序为____(用元素符号表示)，原因是________。
(4)R、W、X、Y、Z中非金属元素形成的最简单气态氢化物的稳定性由强到弱的顺序是__________(填化学式)。
(5)X、Y两种元素组成的化合物的电子式为__________，其中含有的化学键类型为__________。

8 . 我国科学家研发的新型光学材料(Sn₇Br₁₀S₂)可替代传统光学材料硫镓银(AgGaS₂)和磷锗锌(ZnGeP₂)。请回答下列问题：
(1)基态硫原子核外电子云轮廓图呈纺锤形的能级上占据的电子总数为_______。
(2)SF₆可用作高压发电系统的绝缘气体，其分子呈正八面体结构，如图1所示。

①SF₆是_______(填“极性”或“非极性”)分子。
②1mol SF₆分子中含_______mol σ键。
(3)HF的极性比HBr的强，但是HF是弱酸，HBr是强酸，其主要原因是_______。
(4)Ga(CH₃)₃和NH₃在一定条件下可合成半导体材料GaN和CH₄。Ga(CH₃)₃分子中Ga原子和C原子构成的空间构型是_______，碳原子的杂化类型是_______。
(5)四卤化锡的熔点如下表所示：

物质	SnF4	SnCl4	SnBr4	SnI4
熔点/°C	705	-33	31	144.5

它们熔点递变的主要原因是_______。
(6)晶体锗的结构类似金刚石，晶胞如图2所示。已知晶胞参数为x nm，N_A表示阿伏加德罗常数的值。

①锗晶体晶胞中a、b间的距离为_______nm。
②锗晶体的密度为_______g·cm^-3。

9 . 总共含有6个能级的能层符号为

A．M

B．N

C．P

D．Q