1 . 2020年，智能材料已大量涌现，为生物医疗、国防军事以及航空航天等领域发展提供支撑。
(1)快离子导体是具有优良离子导电能力的固体电解质。反应的产物分子中形成配位键提供孤电子对的配位原子名称是______。
(2)第三代半导体材料氮化镓（GaN）适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常称为高温半导体材料。基态Ga原子价电子排布图为______，第一电离能介于硼和氮之间的第二周期元素有______种。
(3)金属钛性能优越，被誉为继Fe、Al后应用广泛的“第三金属”。钛（Ti）在元素周期表中位于______（周期，族，区），钛（Ti）的基态原子M能层中有______种空间运动状态的电子。
(4)镍能形成多种配合物，如正四面体形的和正方形的、正八面体形的等。下列说法正确的有______（填标号）。
A．CO与互为等电子体，其中CO分子内键和键个数之比为1∶2
B．在形成配合物时，其配位数只能为4
C．沸点：，因为分子间范德华力更强
D．键角：，因为的成键电子对间的排斥力更大
E．极性：F―C＞Cl―C，因此酸性
(5)一种四方结构（）的超导化合物汞钡铜氧晶体的晶胞如图所示。

则汞钡铜氧晶体的密度为______（设为阿伏加德罗常数的值）。

2 . 、、三种元素性质非常相似，称铁系元素。请回答下列问题。
(1)三种元素位于周期表中______区（填分区），基态原子的外围电子轨道表达式为______。
(2)成为阳离子首先失去______轨道电子；、的熔点是下列两个数值中的一个：1360℃、1565℃，1360℃是______的熔点，理由是______。
(3)常作净水剂和补铁剂，空间构型为______，与其互为等电子体的分子有______（写一个）。
(4)的结构如图1所示（略去原子）（Y是乙二胺四乙酸，分子式为）。该图中四种元素第一电离能由大到小的顺序为______（写元素符号），其中原子的杂化类型为______。该配合物中配位键有______mol。

(5)晶体为型结构（如图2）。其中可看成填充在由组成的正______面体空隙中，填充率为。将在空气中加热，部分被氧化为，成为，晶体仍保持电中性，则会出现晶体缺陷，填充率下降。现有晶胞的质量为。则分别填充、和未填充离子的空隙个数之比为______。

3 . 已知A、B、C、D、E、M是原子序数依次增大的前四周期元素。其中A是宇宙中含量最多的元素；B元素原子最高能级的不同轨道都有电子，并且自旋方向相同；C元素原子的价层电子排布是nsⁿnp²ⁿ；D元素原子中只有两种形状的电子云，最外层只有一种自旋方向的电子；E与D的最高能层数相同，但其价层电子数等于其电子层数。M是第四周期元素中未成对电子数最多的元素。
请用元素符号完成下列空白：
(1)B、C、D、E四种元素中，简单离子半径最小的离子符号是___________。
(2)BC的中心原子的价层电子对数为___________，VSEPR模型名称为___________。
(3)下表是A~M元素中某种元素的部分电离能，由此可判断该元素是___________。根据对角线规则，在短周期元素中，该元素的一些化学性质与元素___________的相似。

某种元素	电离能I(kJ·mol-1)
	I1	I2	I3	I4	I5
	578	1817	2745	11575	14830

(4)某含M、Ca(钙)、O(氧)的化合物的立方晶胞如图所示。

①M位于元素周期表的___________区，其基态原子的价层电子排布式为___________。
②该化合物的化学式是___________。
③Ca和M的最近距离为acm，晶体密度为ρg·cm^-3。则阿伏加德罗常数(N_A)为___________mol^-1(用代数式表示)。