1 . 主族元素N、F、Si、As、Se、Cl等的某些化合物对工农业生产意义重大，回答下列问题：
(1)Si₃N₄陶瓷是世界上最坚硬的物质之一，具有高强度、低密度、耐高温等性质，其属于_______晶体；SiCl₄中Si采取的杂化类型为_______。
(2)O、F、Cl电负性由大到小的顺序为_______；OF₂分子的空间构型为_______；OF₂的熔、沸点低于Cl₂O，原因是_______。
(3)Se元素基态原子的原子核外电子排布式为_______；As的第一电离能比Se的第一电离能大的原因为_______。
(4)XeF₂晶体属四方晶系，晶胞参数如图所示，晶胞棱边夹角均为90°，该晶胞中有_______个XeF₂分子。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标，如A点原子的分数坐标为(，，)。已知Xe-F键长为rpm，则B点原子的分数坐标为_______；晶胞中A、B间距离d=_______pm。

2 . 镍与第VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，其中应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：
（1）基态N原子的核外电子排布式为______，基态Ga原子核外有_______个未成对电子。
（2）镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol^－1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为____和+3。砷的电负性比镓_____(填“大”或“小”)。
（3）二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为____。

（4）砷化镓可由(CH₃)₃Ga和AsH₃在700℃时制得。(CH₃)₃Ga中镓原子的杂化方式为________。
（5）GaAs为原子晶体，密度为ρg·cm^－3，其晶胞结构如图所示。Ga与As以_______键键合。Ga和As的原子半径分别为apm和bpm，设阿伏伽德罗常数的值为N_A，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_______(列出计算式，可不化简)。

3 . [2016·新课标I]锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
（1）基态Ge原子的核外电子排布式为[Ar]_______________，有__________个未成对电子。
（2）Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、叁键，但Ge原子之间难以形成双键或叁键。从原子结构角度分析，原因是______________________________。
（3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因______________________________。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔点/℃	−49.5	26	146
沸点/℃	83.1	186	约400

（4）光催化还原CO₂制备CH₄反应中，带状纳米Zn₂GeO₄是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大至小的顺序是______________________________。
（5）Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为_______________，微粒之间存在的作用力是_______________。
（6）晶胞有两个基本要素：
①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。如图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(，0，)；C为(，，0)。则D原子的坐标参数为_______________。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76 pm，其密度为_____g·cm⁻³(列出计算式即可)。