1 . 硅(Si)、硒(Se)、镓(Ga)、锗(Ge)的单质及某些化合物都是航空航天测控、光纤通信等领域常用的半导体材料。回答下列问题：
(1)制造手机芯片需要高纯度硅，晶体硅属于___________晶体，可溶于氢氟酸生成氢气。写出晶体硅与氢氟酸反应的化学方程式：___________。
(2)基态硒原子的价电子排布图为___________；硒、硅均能与氢元素形成气态氢化物，硅的氢化物的分子中共用电子对偏向氢原子，而氢气与硒反应时单质硒是氧化剂，则电负性大小为Se___________(填“>”或“<”)Si，的立体构型为___________。
(3)镓和砷都是第四周期的元素，则第一电离能：Ga___________(填“大于”或“小于”)As。GaN、GaAs的晶体类型与晶体硅相同，试解释，熔点GaN>GaAs的原因：___________。
(4)氮化镓是一种重要的半导体材料，其立方晶胞结构如图所示。每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数为___________。已知晶胞边长为apm，若该晶体的密度为，则阿伏加德罗常数的值___________(只列出计算式即可)。

2 . 镍及其合金是常用的催化剂，在化学反应中广泛应用。
(1)基态镍原子的价电子排布式为___________。
(2)镍形成的团簇分子能提高还原为CO的活性。中碳原子的杂化方式为___________。
(3)在Ni和合金催化剂表面，5-羟甲基糠醛按需选择性催化加氢制呋喃二醇，反应如图所示。

①常用银氨溶液检验5-羟甲基糠醛和呋喃二醇。制备银氨溶液的操作如下：向盛有溶液的洁净试管中滴加稀氨水至浊液刚好变澄清，得到的溶液为银氨溶液，主要成分是。相对于的稀氨水，所得到的银氨溶液的pH___________(填“升高”“降低”或“不变”)，其原因是___________。
②呋喃二醇的沸点高于5-羟甲基糠醛，其主要原因是___________。
(4)羰基镍[]常作催化剂，它的熔点为-25℃，沸点为43℃。羰基镍的晶体类型是___________，其中心原子镍的配位数为___________。
(5)Ni和Nb组成的合金的晶胞结构如图所示。

设表示阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度为___________(列出计算式)。

4 . 磷锡青铜(一种磷、锡、铜合金)是有名的弹性材料，广泛应用于仪器仪表中耐磨零件和弹性元件。回答下列问题：
(1)白磷(P₄)晶体熔点44.1℃、沸点280℃，质软，则白磷属于___________晶体(写“分子”、“共价”、“离子”)。
(2)Cu²⁺与NH₃能形成的配离子为___________(写化学式)，该配离子水溶液的颜色为___________。该配离子具有对称的空间构型，若其中两个NH₃被两个Cl^-取代，能得到两种不同结构的产物，则该配离子的空间构型为___________(填“正四面体”、“平面正方形”)。
(3)PO中P原子的杂化方式为___________杂化，PO的空间构型为___________。
(4)磷锡青铜的立方晶胞结构如图所示，则该晶体的化学式为___________。

5 . 砷化硼和化镓是两种半导体材料。回答下列问题：
(1)基态B原子的核外电子空间运动状态有_____种，基态As原子的未成对电子数是_____。
(2)镓失去电子的逐级电离能依次为577、1984、2961.8，6192，由此推知镓的氧化物化学式可能为____。
(3)通过反应可制备BAs晶体。分子中键角为_______；结构与白磷相似，其中As原子杂化方式是_______，成键电子对与孤电子对数目之比为______。
(4)的熔点为-126℃，而的熔点超过1000℃，二者熔点差异大的原因为______。
(5)GaAs的晶胞结构如图所示．它可以看作As作_____堆积(填堆积方式)，Ga原子处于As原子形成的_____(填“正四面体”或“正八面体”)空隙中，As原子的配位数为_____；GaAs的密度为，Ga和As的相对原子质量分别为a和b，晶胞中Ga与As原子之间最短距离为d pm，则阿伏加德罗常数N_A=______(列出计算式即可)。

6 . 某课题组发展了可控的键形成策略，实现了硅杂哌啶的高效合成，其反应原理如下：

回答下列问题
(1)下面B原子的电子排布图中，属于基态电子排布图的为___________(填标号，下同)，激发态电子排布图中能量最高的是___________。

a．       b．

c．       d．

(2)该反应涉及的第二周期元素中，第一电离能从大到小的顺序为___________(用元素符号表示)。晶体硅的熔点低于晶体硼，试解释其原因：___________。
(3)已知为平面结构，则合成的4-硅杂哌啶分子中，有和两种杂化方式的元素为___________(填元素符号)。
(4)氮和硼可形成新型半导体材料，其晶胞结构如图所示，晶胞中每个周围最近的原子个数为___________。若晶胞边长为，用表示阿伏加德罗常数的值，则最近的硼原子间的距离为___________(用含的代数式表示)，晶体密度为___________(用含、的代数式表示)。