1 . 氮的化合物种类繁多，应用广泛。

   

请回答：
(1)基态N原子的价层电子排布式是___________。
(2)与碳氢化合物类似，N、H两元素之间也可以形成氮烷、氮烯。
①下列说法不正确的是___________。
A．能量最低的激发态N原子的电子排布式：
B．化学键中离子键成分的百分数：
C．最简单的氮烯分子式：
D．氮烷中N原子的杂化方式都是
②氮和氢形成的无环氮多烯，设分子中氮原子数为n，双键数为m，其分子式通式为______。
③给出的能力： _______(填“>”或“<”)，理由是___________。
(3)某含氮化合物晶胞如图，其化学式为___________，每个阴离子团的配位数(紧邻的阳离子数)为___________。

2 . 卤素可形成许多结构和性质特殊的化合物。回答下列问题：
(1)时，与冰反应生成和。常温常压下，为无色气体，固态的晶体类型为_____，水解反应的产物为_____(填化学式)。
(2)中心原子为，中心原子为，二者均为形结构，但中存在大键。中原子的轨道杂化方式_____；为键角_____键角(填“＞”“ ＜”或“=”)。比较与中键的键长并说明原因_____。
(3)一定条件下，和反应生成和化合物。已知属于四方晶系，晶胞结构如图所示(晶胞参数)，其中化合价为。上述反应的化学方程式为_____。若阿伏伽德罗常数的值为，化合物的密度_____(用含的代数式表示)。
   

3 . 配位化合物X由配体L^2-(如图)和具有正四面体结构的[Zn₄O]⁶⁺构成。

(1)基态Zn²⁺的电子排布式为______。
(2)L^2-所含元素中，电负性最大的原子处于基态时电子占据最高能级的电子云轮廓图为______形；每个L^2-中采取sp²杂化的C原子数目为______个，C与O之间形成σ键的数目为______个。
(3)X晶体内部空腔可吸附小分子，要增强X与H₂O的吸附作用，可在L^2-上引入______。(假设X晶胞形状不变)。

A．－Cl

B．－OH

C．－NH2

D．－CH3

(4)X晶体具有面心立方结构，其晶胞由8个结构相似的组成单元(如图)构成。

①晶胞中与同一配体相连的两个[Zn₄O]⁶⁺的不同之处在于______。
②X晶体中Zn²⁺的配位数为______。
③已知ZnO键长为dnm，理论上图中A、B两个Zn²⁺之间的最短距离的计算式为_____nm。
④已知晶胞参数为2anm，阿伏加德罗常数的值为N_A，L^2-与[Zn₄O]⁶⁺的相对分子质量分别为M₁和M₂，则X的晶体密度为_____g•cm^-3(列出化简的计算式)。

4 . 1962年首个稀有气体化合物问世，目前已知的稀有气体化合物中，含氙(₅₄Xe)的最多，氪 (₃₆Kr)次之，氩(₁₈Ar)化合物极少。是与分子形成的加合物，其晶胞如下图所示。

回答下列问题：
(1)基态原子的价电子排布式为_______。
(2)原子的活泼性依序增强，原因是_______。
(3)晶体熔点：_______(填“>”“<”或“=”)，判断依据是_______。
(4)的中心原子的杂化轨道类型为_______。
(5)加合物中_______，晶体中的微粒间作用力有_____(填标号)。
a.氢键       b.离子键       c.极性共价键       d.非极性共价键

5 . 硅材料在生活中占有重要地位。请回答：
(1)分子的空间结构(以为中心)名称为________，分子中氮原子的杂化轨道类型是_______。受热分解生成和，其受热不稳定的原因是________。
(2)由硅原子核形成的三种微粒，电子排布式分别为：①、②、③，有关这些微粒的叙述，正确的是___________。

A．微粒半径：③>①>②

B．电子排布属于基态原子(或离子)的是：①②

C．电离一个电子所需最低能量：①>②>③

D．得电子能力：①>②

(3)Si与P形成的某化合物晶体的晶胞如图。该晶体类型是___________，该化合物的化学式为___________。

6 . 以、ZnO等半导体材料制作的传感器和芯片具有能耗低、效率高的优势。回答问题：
(1)基态O原子的电子排布式_______，其中未成对电子有_______个。
(2)Cu、Zn等金属具有良好的导电性，从金属键的理论看，原因是_______。
(3)酞菁的铜、锌配合物在光电传感器方面有着重要的应用价值。酞菁分子结构如下图，分子中所有原子共平面，所有N原子的杂化轨道类型相同，均采取_______杂化。邻苯二甲酸酐()和邻苯二甲酰亚胺()都是合成酞菁的原料，后者熔点高于前者，主要原因是_______。

(4)金属Zn能溶于氨水，生成以氨为配体，配位数为4的配离子，Zn与氨水反应的离子方程式为_______。
(5)ZnO晶体中部分O原子被N原子替代后可以改善半导体的性能，Zn-N键中离子键成分的百分数小于Zn-O键，原因是_______。
(6)下图为某ZnO晶胞示意图，下图是若干晶胞无隙并置而成的底面O原子排列局部平面图。为所取晶胞的下底面，为锐角等于60°的菱形，以此为参考，用给出的字母表示出与所取晶胞相邻的两个晶胞的底面_______、_______。

7 . 非金属氟化物在生产、生活和科研中应用广泛。回答下列问题：
(1)基态F原子核外电子的运动状态有__种。
(2)O、F、Cl电负性由大到小的顺序为__；OF₂分子的空间构型为__；OF₂的熔、沸点__(填“高于”或“低于”)Cl₂O，原因是___。
(3)Xe是第五周期的稀有气体元素，与F形成的XeF₂室温下易升华。XeF₂中心原子的价层电子对数为___，下列对XeF₂中心原子杂化方式推断合理的是___(填标号)。
A.sp B.sp² C.sp³ D.sp³d
(4)XeF₂晶体属四方晶系，晶胞参数如图所示，晶胞棱边夹角均为90°，该晶胞中有__个XeF₂分子。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标，如A点原子的分数坐标为(，，)。已知Xe—F键长为rpm，则B点原子的分数坐标为___；晶胞中A、B间距离d=___pm。

8 . 我国科学家研发的全球首套千吨级太阳能燃料合成项目被形象地称为“液态阳光”计划。该项目通过太阳能发电电解水制氢，再采用高选择性催化剂将二氧化碳加氢合成甲醇。回答下列问题：
(1)太阳能电池板主要材料为单晶硅或多晶硅。Si的价电子层的电子排布式为___________；单晶硅的晶体类型为___________。SiCl₄是生产高纯硅的前驱体，其中Si采取的杂化类型为___________。SiCl₄可发生水解反应，机理如下：

含s、p、d轨道的杂化类型有：①dsp²、②sp³d、③sp³d²，中间体SiCl₄(H₂O)中Si采取的杂化类型为___________(填标号)。
(2)CO₂分子中存在___________个键和___________个键。
(3)甲醇的沸点(64.7℃)介于水(100℃)和甲硫醇(CH₃SH，7.6℃)之间，其原因是___________。
(4)我国科学家发明了高选择性的二氧化碳加氢合成甲醇的催化剂，其组成为ZnO/ZrO₂固溶体。四方ZrO₂晶胞如图所示。Zr⁴⁺离子在晶胞中的配位数是___________，晶胞参数为a pm、a pm、c pm，该晶体密度为___________g·cm^-3(写出表达式)。在ZrO₂中掺杂少量ZnO后形成的催化剂，化学式可表示为Zn_xZr_1-xO_y，则y=___________(用x表达)。

9 . KH₂PO₄晶体具有优异的非线性光学性能。我国科学工作者制备的超大KH₂PO₄晶体已应用于大功率固体激光器，填补了国家战略空白。回答下列问题：
(1)在KH₂PO₄的四种组成元素各自所能形成的简单离子中，核外电子排布相同的是__(填离子符号)。
(2)原子中运动的电子有两种相反的自旋状态，若一种自旋状态用+表示，与之相反的用-表示，称为电子的自旋磁量子数.对于基态的磷原子，其价电子自旋磁量子数的代数和为___。
(3)已知有关氮、磷的单键和三键的键能(kJ•mol^-1)如表：

N—N	N≡N	P—P	P≡P
193	946	197	489

从能量角度看，氮以N₂、而白磷以P₄(结构式可表示为)形式存在的原因是___。

(4)已知KH₂PO₂是次磷酸的正盐，H₃PO₂的结构式为___，其中P采取___杂化方式。
(5)与PO电子总数相同的等电子体的分子式为__。
(6)磷酸通过分子间脱水缩合形成多磷酸，如：

如果有n个磷酸分子间脱水形成环状的多磷酸，则相应的酸根可写为___。
(7)分别用○、●表示H₂PO和K⁺，KH₂PO₄晶体的四方晶胞如图(a)所示，图(b)、图(c)分别显示的是H₂PO、K⁺在晶胞xz面、yz面上的位置：

①若晶胞底边的边长均为apm、高为cpm，阿伏加德罗常数的值为N_A，晶体的密度__g•cm^-3(写出表达式)。
②晶胞在x轴方向的投影图为__(填标号)。