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1 . 有A、B、C、D、E5种元素,它们的核电荷数依次增大,且都小于20.其中只有C、E是金属元素;A和E属同一族,它们原子的最外层电子排布为
;B和D也属同一族,它们原子最外层的p能级电子数是最外层的s能级电子数的两倍;C基态原子占据两种形状的原子轨道,且两种形状轨道中的电子总数均相同。
请回答下列问题:
(1)C是_______ (填元素名称)。
(2)上述元素中位于s区的有_______ (填元素符号)。
(3)与
互为等电子体的阴离子为_______ 。
(4)已知C的氧化物CO与NiO的晶体结构相同,其中
和
的离子半径分别为66pm和69pm,则熔点:CO_____ NiO(填“>”“<”或“=”)。
(5)浸金时,
作为配体可提供孤电子对与
形成
。
中的配位原子为_____ (填元素符号),其位置在______ (填“中心”或“端位”),理由是______ 。
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/c0b93d7faf082f0f8e884973db7402a7.png)
请回答下列问题:
(1)C是
(2)上述元素中位于s区的有
(3)与
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(4)已知C的氧化物CO与NiO的晶体结构相同,其中
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/1a451ec1991439c958a927cab4df0d62.png)
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(5)浸金时,
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![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/2b14c000b21a9688b33cca8e6286eb7b.png)
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/9fd1e404921fd35797a7f60c77dcce05.png)
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2 . 对于物质的结构与性质描述中,前者大于后者的是
结构与性质 | 前者 | 后者 | |
A | 熔点 | 碳化硅 | 晶体硅 |
B | 沸点 | ||
C | 分子的极性 | ![]() | ![]() |
D | 在水中的溶解度 | ![]() | ![]() |
A.A | B.B | C.C | D.D |
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3 . 设
为阿伏加德罗常数的值,下列说法不正确的是
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/0bbbfc69cfd78a89c450bdb65076e431.png)
A.1mol甲基(![]() ![]() |
B.60g ![]() ![]() |
C.1mol ![]() ![]() |
D.标准状况下,22.4L乙烷中含有的极性键的数目为6![]() |
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4 . 下列有关化学用语表示正确的是
A.全氟丙烷的球棍模型:![]() |
B.基态溴原子的简化电子排布式:![]() |
C.乙烯的结构简式:![]() |
D.![]() ![]() |
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5 . 化学与生活紧密相关,下列说法错误的是
A.霓虹灯的发光原理与氢原子光谱形成的原理基本相同 |
B.碳纳米材料属于新型无机非金属材料,是一种新型化合物 |
C.羊毛织品水洗后变形,与蛋白质结构改变有关,即原先部位的氢键发生移动 |
D.壁虎的足与墙体之间的作用力,本质上是足上的细毛与墙体之间的范德华力 |
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6 . 近年来美国为了遏制中国发展,对我国发起了以封锁“芯片”为核心的全方位打压,此举激发了中国科技人员自研的决心。回答下列问题:
(1)我国现已能够拉制出直径为300mm、重达81kg的大直径硅单晶,晶体硅材料被大量用于电子产业。
反应生成
,判断
的沸点比
的_______ (填“高”或“低”),理由_______ 。
(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝,是制造5G芯片的重要绝缘材料。氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与_______ 个氮原子相连,氮化铝晶体属于_______ 晶体。
(3)“遥遥领先”的华为芯片制造过程用了蚀刻技术。利用
进行硅芯片蚀刻时的产物均为气体,在蚀刻物表面不留任何残留物。
①
分子的空间构型为_______ 。
②
的一种下游产品三聚氟氰(分子式为:
),分子结构中有类似苯环结构,所有原子均满足8电子结构。写出三聚氟氰的结构式_______ 。
(4)2022年10月宁波南大光电ArF光刻胶生产线正式投产,国内7nm芯片制造材料获得重大突破。一种聚碳酸酯胶的曝光分解原理如下:_______ 。
②聚碳酸酯膜曝光后的产物加热可汽化或溶于水,加热汽化或溶于水克服的作用力有_______ 。
a.配位键 b.离子键 c.范德华力 d.氢键 e.共价键
(5)GaAs是一种制造芯片重要的半导体材料,晶胞结构如图1,将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。_______ 。
②若GaAs晶体密度为
,设
为阿伏加德罗常数的值,则晶胞中两个As原子间的最小距离为_______ cm(列出计算式即可)。
③稀磁性半导体材料中Mn、As的原子个数比为_______ 。
(1)我国现已能够拉制出直径为300mm、重达81kg的大直径硅单晶,晶体硅材料被大量用于电子产业。
①某同学画出基态Si原子的价层电子排布图:,该电子排布图违背
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(2)超高导热绝缘耐高温纳米氮化铝,是制造5G芯片的重要绝缘材料。氮化铝晶体与金刚石类似,每个铝原子与
(3)“遥遥领先”的华为芯片制造过程用了蚀刻技术。利用
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①
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②
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/3cd2b3c8e8afef3a82d3b998c7b2810a.png)
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(4)2022年10月宁波南大光电ArF光刻胶生产线正式投产,国内7nm芯片制造材料获得重大突破。一种聚碳酸酯胶的曝光分解原理如下:
②聚碳酸酯膜曝光后的产物加热可汽化或溶于水,加热汽化或溶于水克服的作用力有
a.配位键 b.离子键 c.范德华力 d.氢键 e.共价键
(5)GaAs是一种制造芯片重要的半导体材料,晶胞结构如图1,将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料,如图2。
②若GaAs晶体密度为
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③稀磁性半导体材料中Mn、As的原子个数比为
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7 . 冠醚是一种超分子,它是由多个二元醇分子之间脱水形成的环状化合物。18—冠—6可用作相转移催化其与
形成的螯合离子结构如图所示。下列说法正确的是
![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/a0fb7a913ffabeaf085c834faa2d7633.png)
A.该螯合离子形成的晶体类型为分子晶体 |
B.与二甲醚![]() |
C.该螯合离子中碳原子与氧原子杂化类型不同 |
D.该螯合离子中所有非氢原子可以位于同一平面 |
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8 . 一种抗癫痫药物的合成中间体的结构如图所示,下列关于该有机物的说法正确的是
A.属于芳香烃 | B.分子式为![]() |
C.苯环上的一氯代物有3种 | D.分子中含有2个手性碳原子 |
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9 . 一种有机物催化剂由原子序数依次递增的前20号元素X、Y、Z、W、M组成,结构式如图。下列说法错误的是
A.简单离子半径:M>Z>W |
B.简单气态氢化物稳定性:Z>Y |
C.基态M原子核外有5种不同能量的电子 |
D.Z元素所在周期中,第一电离能大于Z的元素有2种 |
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10 . 丙烯是一种重要的化工原料,以丙烯为原料衍生出部分化工产品的反应如下(部分反应条件已略去)。
(1)A的结构简式为_______ ,E中官能团的名称为_______ 。
(2)反应①②③④中,属于取代反应的是_______ (填序号)。
(3)聚丙烯(英文缩写:PP)具有机械强度高、耐化学腐蚀等特性,可用于制作薄膜、管道等,写出聚丙烯的结构简式:_______ 。
(4)写出下列反应的化学方程式:①C→D:_______ 。②B+E→F:_______ 。
(5)写出C的同分异构体_______ 、_______ 。
(1)A的结构简式为
(2)反应①②③④中,属于取代反应的是
(3)聚丙烯(英文缩写:PP)具有机械强度高、耐化学腐蚀等特性,可用于制作薄膜、管道等,写出聚丙烯的结构简式:
(4)写出下列反应的化学方程式:①C→D:
(5)写出C的同分异构体
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