【推荐1】A、B、C、D、E、F、G、H、I为原子序数递增的前4周期的元素，已知A原子的最外层电子是次外层电子数的2倍，D为周期表中电负性最大的元素，F与C位于同一主族，E与G在周期表的位置是上下相连，两元素所在主族中所有元素都是金属，H为应用最广泛的金属；I处于周期表中的第二副族。请回答下列问题：
（1）B单质分子中与键数目比为____。B、C、D第一电离能由小到大的顺序为________（填写元素符号）。
（2）H元素原子的价层电子排布式为____，H^3＋离子可以与上述元素中的三种形成的某阴离子生成血红色的络合物；该阴离子又与A—I元素中的某些原子形成的分子互为等电子体，这种分子的化学式为______（写一种即可），该分子中心原子轨道的杂化类型为_______，该阴离子空间构型为_______。
（3）D与G可以形成如图的晶胞，则黑点表示的是元素_______（填写元素符号），该元素原子在该晶胞中的配位数为______。
   

【推荐3】是生产多晶硅的副产物．利用对废弃的锂电池正极材料进行氯化处理以回收Li、Co等金属，工艺路线如下：

Ⅰ．回答下列问题：
(1)价层电子排布式为______。
(2)烧渣是LiCl、和的混合物，“500℃焙烧”后剩余的应先除去，否则水浸时会产生大量烟雾，用化学方程式表示其原因______。
(3)鉴别洗净的“滤饼3”和固体常用方法的名称是______。
(4)已知，若“沉钴过滤”的pH控制为10.0，则溶液中浓度为______。“850℃煅烧”时的化学方程式为______。
(5)导致比易水解的因素有______(填标号)．
a．Si-Cl键极性更大       b．Si的原子半径更大       c．Si-Cl键键能更大       d．Si有更多的价层轨道
Ⅱ．设计如图装置回收金属钴。保持细菌所在环境pH稳定，借助其降解乙酸盐生成，将废旧锂离子电池的正极材料转化为，工作时保持厌氧环境，并定时将乙室溶液转移至甲室。已知电极材料均为石墨材质，右侧装置为原电池。

(6)装置工作时，甲室溶液pH逐渐______，乙室电极反应式为：______。

【推荐1】第四周期元素由于受3d电子的影响，性质的递变规律与短周期元素略有不同。
(1)镓的基态原子电子排布式是_______。
(2)已知钛和铝的相对原子半径分别是1.45和1.43，钛的硬度比铝大的原因是_______。
(3)多酚氧化酶与植物的抗病性有关。配合物是多酚氧化酶的模型配合物。
(EDTA)+(邻苯二氨)(EDTB)
①EDTA中N的杂化轨道类型为_______。
②邻苯二胺分子中键的数目为_______。
③EDTB分子中所含元素的电负性由小到大的顺序为_______。
④与互为等电子体的一种阴离子为_______。
⑤配离子中的配位原子是_______。
(4)向盛有硫酸铜水溶液的试管中加入氨水，首先形成蓝色沉淀，继续加入氨水，沉淀溶解，得到深蓝色透明溶液，向该溶液中加入乙醇，析出深蓝色晶体。蓝色沉淀先溶解、后析出的原因是(用离子方程式和简单的文字说明加以解释)：_______。
(5)氮化铝在电子工业上有广泛应用，其晶胞如图1所示。N原子所在空隙的类型是_______(填“正四面体”“正八面体”或“立方体”)空隙，该空隙的填充率为_______。

(6)铁和氮组成一种过渡金属氮化物，其结构如图2所示。直六棱柱的底边边长为xcm，高为ycm，阿伏加德罗常数的值为N_A，则晶体的密度算式为_______。

【推荐2】我国秦俑彩绘和汉代器物上用的颜料被称为“中国蓝”、“中国紫”，近年来，人们对这些颜料的成分进行了研究，发现其成分主要为BaCuSi₄O₁₀、BaCuSi₂O₆
(1)颜料中含有Cu元素，基态Cu原子的价电子排布式为___________；Si、O、Ba元素电负性由大到小的顺序为_____，干冰、Si、SiC熔点由高到低的顺序为_____________。
(2)“中国蓝”的发色中心是以Cu²⁺为中心离子的配位化合物，其中提供孤电子对的是_______元素。
(3)铜可作CH₃CH₂OH氧化生成CH₃CHO的催化剂。乙醇的沸点高于乙醛，其主要原因是_____________________________。
(4)C、N元素与颜料中的氧元素同周期。
①写出CO的一种常见等电子体分子的电子式________________；C、N、O的第一电离能由大到小的顺序为__________________________________。
②C、N元素能形成一种类石墨的聚合物半导体g-C₃N₄其单层平面结构如图1，晶胞结构如图2。

ⅰ．g-C₃N₄中氮原子的杂化类型是___________________。
ⅱ．根据图2，在图1中用平行四边形画出一个最小重复单元_____________。
ⅲ．已知该晶胞的体积为Vcm³，中间层原子均在晶胞内部。设阿伏加德罗常数的值为N_A，则g- C₃N₄的密度为___________________。

【推荐3】电镀工业上，为了提高镀锌的效果，通常采用Zn(CN)₄^2－溶液代替Zn²⁺溶液进行电解。请回答下列问题：
(1)元素锌在周期表中的位置为_____________，基态Zn的价电子排布式为_____________。
(2)Zn(CN) ₄^2－所含元素中，电负性最大的元素是_____________，Zn(CN) ₄^2－中含有的化学键类型有σ键和_____________。
(3)CN^－中C的杂化类型为_____________，与CN^－互为等电子体的单质为_____________。
(4)H₂CO₃与HNO₃的酸性相差较大，请解释其原因_____________。
(5)N和Al可组成一种新型半导体材料AlN；AlN具有耐高温，耐磨性能。其晶体类型为_____________，其晶体结构如图，已知晶胞边长为apm，则AlN的密度为_____________(用含a、N_A的代数式表示)g/cm³。

【推荐1】金刚石硬度大，熔点高，用途非常广泛。工业上利用反应人工合成金刚石。已知：氯化钠晶胞结构如图所示，相邻的与的距离为。设为阿伏加德罗常数的值。
   
(1)、、金刚石三种物质的熔沸点由大到小的顺序___________；并解释说明理由___________。
(2)12g金刚石(晶体结构如图所示)中含有C-C键的数目为___________。
   
(3)晶体中每个周围与它最近且等距离的有___________个，若晶体密度为，则阿伏加德罗常数可表示为___________。
(4)比较和分子中的键角大小___________；并解释说明理由___________。

【推荐2】锌、氮元素形成的化合物在各领域有着重要的作用。
(1)基态Zn²⁺的价电子排布式为_______________；
(2)独立的NH₃分子中，H-N-H键键角为107°18’。如图是[Zn(NH₃)₆]^2＋的部分结构以及其中H-N-H键键角。

请解释[Zn(NH₃)₆]^2＋离子中H-N-H键角变为109.5°的原因是_____________。
(3)离子液体具有很高的应用价值，其中EMIM^＋离子由H、C、N三种元素组成，其结构如图所示：

大π键可用符号Π表示，其中m、n分别代表参与形成大π键的原子数和电子数。则EMIM^＋离子中的大π键应表示为___________________。化合物[EMIM][AlCl₄]具有很高的应用价值，其熔点只有7 ℃，该物质晶体的类型是________。
(4)过渡元素水合离子是否有颜色与原子结构有关，且存在一定的规律，已知Zn^2＋等过渡元素离子形成的水合离子的颜色如下表所示：

离子	Sc3＋	Cr3＋	Fe2＋	Zn2+
水合离子的颜色	无色	绿色	浅绿色	无色

请根据原子结构推测Sc^3＋、Zn^2＋的水合离子为无色的原因：____________________。
(5)Zn与S形成某种化合物的晶胞如图所示。

①Zn²⁺填入S^2－组成的________________空隙中；
②由①能否判断出S^2－、Zn²⁺相切？_________（填“能”或“否”）；已知晶体密度为dg/cm³，S^2－半径为a pm，若要使S^2-、Zn²⁺相切，则Zn²⁺半径为____________________pm（写计算表达式）。

【推荐1】硼元素B在化学中有很重要的地位。硼的化合物在农业、医药、玻璃等方面用途很广。请回答下列问题：
(1)写出与B元素同主族的Ga元素的基态原子核外电子排布式______。从原子结构的角度分析，B、N、O元素的第一电离能由大到小的顺序为______。
(2)立方氮化硼可利用人工方法在高温高压条件下合成，属于超硬材料。同属原子晶体的氮化硼(BN)比晶体硅具有更高硬度和耐热性的原因是______。
(3)在BF₃分子中中心原子的杂化轨道类型是______，SiF₄微粒的空间构型是______。又知若有d轨道参与杂化，能大大提高中心原子成键能力。试解释为什么BF₃、SiF₄水解的产物中，除了相应的酸外，前者生成BF后者却是生成SiF：______。
(4)科学家发现硼化镁在39K时呈超导性，在硼化镁晶体的理想模型中，镁原子和硼原子是分层排布的，一层镁一层硼相间排列。

上图是该晶体微观空间中取出的部分原子沿Z轴方向的投影，白球是镁原子投影，黑球是硼原子投影，图中的硼原子和镁原子投影在同一平面上。根据图示确定硼化镁的化学式为______。

【推荐2】以氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常也称为高温半导体材料。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价层电子的电子排布图为______；第二周期中，第一电离能介于N和B之间的元素有______种。
（2）HCN分子中σ键与π键的数目之比为______，其中σ键的对称方式为______。与CN^-互为等电子体的一种分子为______。
（3）NaN₃是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子与CO₂互为等电子体，阴离子中心原子的杂化轨道类型为______。NF₃的空间构型为______。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因______。

	GaN	GaP	GaAs
熔点	1700℃	1480℃	1238℃

（5）GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏伽德罗常数的值为N_A。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为______；
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为a³cm³，GaN晶体的密度为______g/cm³（用a、N_A表示）。

图1                                                                                     图2