1 . 【化学选修3:物质结构与性质】A、B、C、D、E五种元素的原子序数依次增大，其中非金属元素A的基态原子中成对电子数是未成时电子数的两倍，C元素在地壳中含量最高，D的单质是短周期中熔点最低的金属，E的合金是我国使用最早的合金。
（1）E元素的基态原子电子排布式为__________________。
（2）A的某种氢化物A₂H₂分子中含有___个σ键和____个π键。
（3）A 的含氧酸根离子AO₃^n-的空间构型是___________。
（4）B的最简单的氢化物的沸点比A 的最简单的氢化物的沸点高得多，其原因是_____。
（5）E的最高价氧化物对应的水化物溶解于氨水中生成的复杂化合物的化学式是______。
（6）下图是D单质的晶体堆积方式，这种堆积方式的晶胞中原子的配位数为____，若该原子的半径为rpm ，此晶体的密度ρ=______g/cm³（用含r的代数式表示，阿伏伽德罗常数用N_A表示）。

2 . 砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题：
（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。
（2）根据元素周期律，原子半径Ga_____________As，第一电离能Ga____________As。（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl₃分子的立体构型为____________________，其中As的杂化轨道类型为_________。
（4）GaF₃的熔点高于1000℃，GaCl₃的熔点为77.9℃，其原因是__________。
（5）GaAs的熔点为1238℃，密度为ρg·cm^-3，其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与As以________键键合。Ga和As的摩尔质量分别为M_Gag·mol^-1和M_As g·mol^-1，原子半径分别为r_Gapm和r_Aspm，阿伏加德罗常数值为N_A，则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为____________________。

3 . 已知A、B、C、D四种短周期元素，它们的核电荷数依次增大。A、C原子的L能层中都有两个未成对的电子，C、D同主族。E、F都是第四周期元素，E原子核外有4个未成对电子，F原子除最外能层只有1个电子外，其余各能层均为全充满。根据以上信息填空：
（1）基态E原子中，电子占据的最高能层符号为_______，该能层具有的原子轨道数为_______。
（2）E^3＋离子的价层电子排布式为______________。
（3）DCl₂中D原子采取的轨道杂化方式为_________________________，C元素的气态氢化物的VSEPR模型名称为____________________________。
（4）写出一个与DAB^-离子互为等电子体的合理分子式：__________________________。
（5）利用E(AB)₆^3－检验E²⁺的离子方程式为_________________________。
（6）已知F的晶体结构为面心立方，F的原子直径d= 0.256nm，求1cm³ F中，含有F原子的个数约为_______________个。（保留3位有效数字）

4 . 利用电负性数值可以预测

A．分子的极性	B．分子的对称性
C．分子的空间构型	D．化学键的极性

5 . 在以下性质的比较中，正确的是

A．微粒半径：O2－＜F－＜Na＋＜Li＋	B．第一电离能：He＜Ne＜Ar
C．分子中的键角：CH4＞H2O＞CO2	D．共价键的键能：C－C＜C=C＜C≡C

6 . 某元素的最外层电子数为2，价电子数为5，并且是同族中原子序数最小的元素，关于该元素的判断错误的是（　　）

A．电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2

B．该元素为V

C．该元素为ⅡA族元素

D．该元素位于d区

7 . A～G是前四周期除稀有气体之外原子序数依次增大的七种元素。A与其他元素既不同周期又不同族；B、C的价电子层中未成对电子数都是2；E核外的s、p能级的电子总数相等；F与E同周期且第一电离能比E小；G的＋1价离子（G⁺）的各层电子全充满。回答下列问题：
（1）写出元素名称：B_______，G_______。
（2）写出F的价电子排布图：_______。
（3）写出化合物BC的结构式：__________________。
（4）由A、C、F三元素形成的离子[F(CA)₄]^— 是F在水溶液中的一种存在形式，其中F的杂化类型是________________。
（5）在测定A、D形成的化合物的相对分子质量时，实验测定值一般高于理论值的主要原因是______________________。
（6）E的一种晶体结构如图甲，则其一个晶胞中含有_______个E；G与D形成的化合物的晶胞结构如图乙，若晶体密度为ag/cm³，则G与D最近的距离为____pm
（阿伏加德罗常数用N_A表示，列出计算表达式，不用化简；乙中○为G，●为D。）

8 . A、B、C、D、E、F六种元素的原子序数依次增大。A的最高正价和最低负价的绝对值相等。B的基态原子有3个不同的能级且各能级中电子数相等。D的基态原子与B的基态原子的未成对电子数目相同，E的基态原子的s能级的电子总数与p能级的电子数相等，F的基态原子的3d轨道电子数是4s电子数的4倍。请回答下列问题：
（1）F的基态原子价电子排布式为_______。
（2）B、C、D、E的原子的第一电离能由小到大的顺序为___。(用元素符号回答)
（3）下列关于B₂A₂分子和A₂D₂分子的说法正确的是________
A．分子中都含有σ键和π键
B．中心原子都sp杂化
C．都是含极性键和非极性键的非极性分子
D．互为等电子体
E．B₂A₂分子的沸点明显低于A₂D₂分子
（4）F²⁺能与BD分子形成[F(BD)₄]²⁺，其原因是BD分子中含有____________。
（5）由B、E、F三种元素形成的一种具有超导性的晶体，晶胞如图所示。B位于E和F原子紧密堆积所形成的空隙当中。与一个F原子距离最近的F原子的数目为_______，该晶体的化学式为____________。若该晶体的相对分子质量为M，阿伏加德罗常数为N_A，B、E、F三种元素的原子半径分别为r₁pm、r₂pm、r₃pm，，则该晶体的密度表达式为_______g·cm^-3。

9 . 下面是C₆₀、金刚石和二氧化碳的分子模型。

请回答下列问题：
（1）硅与碳同主族，写出硅原子基态时的核外电子排布式：_________________
（2）从晶体类型来看，C₆₀属于_________晶体。
（3）二氧化硅结构跟金刚石结构相似，即二氧化硅的结构相当于在硅晶体结构中每个硅与硅的化学键之间插入一个O原子。观察图乙中金刚石的结构，分析二氧化硅的空间网状结构中，Si、O原子形成的最小环上O原子的数目是__________________________；晶体硅中硅原子与共价键的个数比为____________
（4）图丙是二氧化碳的晶胞模型，图中显示出的二氧化碳分子数为14个。实际上一个二氧化碳晶胞中含有________个二氧化碳分子，二氧化碳分子中键与键的个数比为________________。
（5）有机化合物中碳原子的成键方式有多种，这也是有机化合物种类繁多的原因之一。丙烷分子中2号碳原子的杂化方式是_______，丙烯分子中2号碳原子的杂化方式是_______，丙烯分子中最多有______个原子共平面。

10 . 某原子核外共有n个电子层(n＞3)，则(n－1)层最多容纳的电子数为

A．8个

B．18个

C．32个

D．2(n－1)2个