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1 . 在20世纪90年代末期,科学家发现并证明碳有新的单质形态C60存在。后来人们又相继得到了C70、C76、C90、C94等另外一些球碳分子。21世纪初,科学家又发现了管状碳分子和洋葱状碳分子,大大丰富了碳元素单质的家庭。下列有关说法错误的是
A.熔点比较:C60<C70<C90<金刚石 |
B.已知C(石墨,s)=C(金刚石,s) ΔH>0,则金刚石不如石墨稳定 |
C.C60晶体结构如图所示,每个C60分子周围与它最近且等距离的C60分子有12个(每个小球表示一个C60分子) |
D.金刚石、C60、C70互为同位素 |
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2 . 2023年诺贝尔化学奖授予三位在发现和合成量子点方面做出重要贡献的科学家。量子点是一种纳米级别的半导体,其直径常在2-20nm之间,例如碳量子点、砷化镓(GaAs)量子点等。(1)我国化学家研究的一种新型复微合光催化剂[碳量子点/氮化碳(纳米复合物)]可以利用太阳光实现高效分解水,其原理如图所示。下列说法正确的是___________。
(2)基态Ga原子核外有___________ 种能量不同的电子,基态As原子的价电子排布式___________ 。
(3)N、P、As的气态氢化物沸点由高到低的顺序是___________ (用氢化物分子式表示)。
(4)砷化镓可由和在700℃时制得。中镓原子的杂化方式为___________ 。分子的空间构型为___________ 。
(5)砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是___________。
(6)已知砷化镓晶胞的边长为0.565nm,,计算GaAs晶体的密度为___________ (计算结果保留3位有效数字)。
(7)氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)是具有相似结构的共价晶体,试比较二者熔点的高低并说明理由。___________ 。
A.总反应为 |
B.水分解过程中,作催化剂 |
C.复合光催化剂中两种纳米材料均属于共价化合物 |
D.若反应II是放热反应,则反应I一定是吸热反应 |
(2)基态Ga原子核外有
(3)N、P、As的气态氢化物沸点由高到低的顺序是
(4)砷化镓可由和在700℃时制得。中镓原子的杂化方式为
(5)砷化镓(GaAs)的晶胞结构如图甲所示。将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料,其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是___________。
A.图甲中,与Ga原子直接连接的As原子构成的几何形状为正四面体形 |
B.图甲中,与Ga原子等距离的Ga原子个数为12个 |
C.Ga的第一电离能小于As |
D.稀磁性半导体材料中,Mn、As的原子个数比为1:2 |
(6)已知砷化镓晶胞的边长为0.565nm,,计算GaAs晶体的密度为
(7)氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)是具有相似结构的共价晶体,试比较二者熔点的高低并说明理由。
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解题方法
3 . 已知的晶胞结构示意图如图所示,下列说法不正确的是
A.图中粒子A代表 |
B.每个晶胞中有4个 |
C.每个晶胞中所含的和数目比为1:2 |
D.晶胞中的配位数(与等距且最近的数)是4 |
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2024-03-04更新
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792次组卷
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4卷引用:北京市十一学校2023-2024学年高一下学期开学考化学试题
4 . 六方ZnS的晶胞结构如图甲所示(高为cnm),其晶胞的上表面如图乙所示,已知、半径分别为、,且,下列说法错误的是
A.ZnS的熔点低于ZnO |
B.晶胞的空间利用率为 |
C.该晶体中占据了构成的正四面体空隙 |
D.在晶体中离最近且等距的有12个 |
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5 . 有一种有超导性的硼镁化合物,晶体结构属于立方晶系。其晶体结构、晶胞沿轴的投影图如图所示,关于其晶体下列说法正确的
A.该化合物的化学式为 | B.一个晶胞中含有2个 |
C.最近距离为 | D.与距离最近且相等的有8个 |
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2024-01-22更新
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741次组卷
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4卷引用:四川省德阳外国语学校2023-2024学年高二下学期入学考试化学试题
四川省德阳外国语学校2023-2024学年高二下学期入学考试化学试题重庆市西南大学附中2023-2024学年高二上学期期末考试化学试题(已下线)微题型02 晶体结构及相关计算-2024年高考化学二轮热点题型归纳与变式演练(新高考通用)重庆市西南大学附属中学校2023-2024学年高二上学期期末考试化学试题
6 . GaAs是5G时代不可或缺的半导体材料,其晶体结构与金刚石相似。将Mn参入GaAs晶体(图甲)可得到稀磁性半导体材料(图乙),晶体结构不变。设表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是
A.GaAs晶体的熔点比GaN晶体的高 |
B.掺入Mn的晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为5:27:32 |
C.图乙中a和c的原子坐标参数分别为(0,0,0)和,则b的原子坐标参数为(1,1,0) |
D.GaAs晶体的密度为,则该晶体中距离最近的两个镓原子的核间距为 |
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2024-01-21更新
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119次组卷
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2卷引用:湖南省衡阳市衡阳县第二中学2023-2024学年高三下学期开学摸底考试化学试卷
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解题方法
7 . 观察下列模型并结合信息,判断有关说法错误的是
晶体硼的结构单元 (有12个原子) | 分子 | 分子 | ||
结构模型 示意图 |
A.固态硫S8中S原子为sp2杂化 |
B.SF6中心原子的价层电子对数为6,其中S-F键的键长、键能均相等 |
C.晶体硼的结构单元中含有30个B-B键,含20个正三角形 |
D.HCN的结构式为H-C≡N |
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8 . 一种从照相底片中回收单质银的方法如下:
步骤1:用溶液浸泡照相底片,未曝光的转化成而溶解。
步骤2:在步骤1所得溶液中加稍过量溶液,充分反应后过滤出黑色沉淀。
步骤3:将黑色沉淀在空气中灼烧,回收单质银。下列说法不正确的是
步骤1:用溶液浸泡照相底片,未曝光的转化成而溶解。
步骤2:在步骤1所得溶液中加稍过量溶液,充分反应后过滤出黑色沉淀。
步骤3:将黑色沉淀在空气中灼烧,回收单质银。下列说法不正确的是
A.步骤1所得中提供空轨道 |
B.步骤2所得滤液中大量存在的离子:、、、 |
C.步骤3灼烧时可用足量溶液吸收尾气 |
D.晶胞如图所示,每个周围距离最近的有4个 |
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2024-01-21更新
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221次组卷
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2卷引用:江苏省南京市2023-2024学年高二下学期期初学业质量调研化学试卷
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解题方法
9 . 为尖晶石型锰系锂离子电池材料,其晶胞由8个立方单元组成,这8个立方单元可分为A、B两种类型。电池充电过程的总反应可表示为:。已知:充放电前后晶体中锰的化合价只有+3、+4,分别表示为Mn(III)、Mn(IV)。下列说法不正确的是
A.每个晶胞含8个 |
B.立方单元B中Mn、O原子个数比为 |
C.放电时,正极反应为 |
D.若,则充电后材料中Mn(Ⅲ)与Mn(Ⅳ)的比值为 |
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2024-01-19更新
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581次组卷
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5卷引用:河南省郑州市宇华实验学校2023-2024学年高三下学期开学化学试题
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解题方法
10 . 周期表中ⅢA族单质及其化合物应用广泛。BF3极易水解生成HBF4(HBF4在水中完全电离为H+和BF)和硼酸(H3BO3),硼酸是一元弱酸,能溶于水。硼酸和甲醇在浓硫酸存在下生成挥发性的硼酸甲酯[B(OCH3)3],硼酸甲酯主要用作热稳定剂、木材防腐剂等。GaN的结构与晶体硅类似,是第三代半导体研究的热点。
(1)Ga原子基态外围电子排布式为_____ 。
(2)在第二周期里,第一电离能介于B、N之间的元素有_____ 种;B(OCH3)3分子间_____ (填“能”或“不能”)能形成氢键,GaN属于_____ 晶体。
(3)硼酸是一元弱酸,它的水溶液之所以呈弱酸性并非本身能电离出H+,而是它结合了一个OH-,这种电离方式可表示为B(OH)3+H2OH++_____ 。
(4)硼酸是一种片层状结构的白色晶体,层内的H3BO3分子通过氢键相连(如图)。下列有关说法正确的是_____(填字母)。
(5)Al2O3的熔点(2054℃)很高,工业冶炼铝时要加入冰晶石(化学式为Na3AlF6)来降低生产成本,如图所示为冰晶石的晶胞。图中“”位于大立方体顶点和面心,“”位于大立方体的12条棱的中点和8个小立方体的体心。则大立方体的体心处△代表的微粒是______ (填“Na+”或“AlF63-”),与Na+距离相等且最近的Na+有_____ 个。
(1)Ga原子基态外围电子排布式为
(2)在第二周期里,第一电离能介于B、N之间的元素有
(3)硼酸是一元弱酸,它的水溶液之所以呈弱酸性并非本身能电离出H+,而是它结合了一个OH-,这种电离方式可表示为B(OH)3+H2OH++
(4)硼酸是一种片层状结构的白色晶体,层内的H3BO3分子通过氢键相连(如图)。下列有关说法正确的是_____(填字母)。
A.硼酸晶体的熔点比NaBF4低 |
B.H3BO3分子的热稳定性与氢键有关 |
C.含1molH3BO3的晶体中有3mol氢键 |
D.BF3分子中每个原子最外层均满足8电子结构 |
(5)Al2O3的熔点(2054℃)很高,工业冶炼铝时要加入冰晶石(化学式为Na3AlF6)来降低生产成本,如图所示为冰晶石的晶胞。图中“”位于大立方体顶点和面心,“”位于大立方体的12条棱的中点和8个小立方体的体心。则大立方体的体心处△代表的微粒是
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2023-12-11更新
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198次组卷
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2卷引用:重庆市万州二中2023-2024学年高二下学期开学考试 化学