1 . 如图，在平面直角坐标系的第一象限内，存在垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小为B。大量质量为m、电量为q的相同粒子从y轴上的点，以相同的速率在纸面内沿不同方向先后射入磁场，设入射速度方向与y轴正方向的夹角为。当时，粒子垂直x轴离开磁场。不计粒子的重力。则（　　）
   

A．粒子可能带负电

B．当时，粒子也垂直x轴离开磁场

C．粒子入射速率为

D．粒子离开磁场的位置到O点的最大距离为

2 . 如图，在平面直角坐标系的第一象限内，存在垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小为B。大量质量为m、电量为q的相同粒子从y轴上的点，以相同的速率在纸面内沿不同方向先后射入磁场，设入射速度方向与y轴正方向的夹角为（）。当时，粒子垂直x轴离开磁场。不计粒子的重力。则下列结论正确的是（　　）

A．粒子一定带负电

B．当时，粒子也垂直x轴离开磁场

C．粒子做圆周运动的半径为

D．粒子以不同的角进入磁场，做圆周运动的半径也不相同

3 . 如图所示，坐标平面第Ⅰ象限内存在大小为E＝3×10⁵N/C、方向水平向左的匀强电场，在第Ⅱ象限内存在方向垂直纸面向里的匀强磁场．质荷比＝4×10^－10kg/C的带正电的粒子，以初速度v₀＝2×10⁷m/s从x轴上的A点垂直x轴射入电场，OA＝0.15 m，不计粒子的重力．
（1）求粒子经过y轴时的位置到原点O的距离；
（2）若要使粒子不能进入第Ⅲ象限，求磁感应强度B的取值范围（不考虑粒子第二次进入电场后的运动情况）．

4 . 一磁场宽度为L，磁感应强度大小为B，如图所示，一电荷质量为m、带电荷量为—q，不计重力，以一速度（方向如图）射入磁场．若不使其从右边界飞出，则电荷的速度最大应为多大?

5 . 如图所示，比荷为的电子垂直射入宽度为d、磁感应强度为B的匀强磁场区域，则电子能从右边界射出这个区域，至少应具有的初速度大小为_________．

6 . 如图以实线为理想边界，上方是垂直纸面向里的匀强磁场．质量和带电荷量大小都相等的带电粒子M和N，以不同的速率经小孔S垂直边界和磁场进入匀强磁场，运动的半圆轨迹如图中虚线所示，下列表述错误的是(　　)

A．M带负电，N带正电

B．M的速率小于N的速率

C．洛伦兹力对M、N都做正功

D．M在磁场中的运动时间大于N在磁场中的运动时间

7 . 如图所示，△OAC的三个顶点的坐标分别为O（0，0）、A（L，0）、C（0，），在△OAC区域内存在垂直于xOy平面向里的匀强磁场。在t=0时刻，从三角形的OA边各处有质量均为m、电荷量均为q的带正电粒子射入磁场，所有粒子射入磁场时相同速度且均沿y轴正向，已知在t=t₀时刻从OC边射出磁场的粒子的速度方向垂直于y轴。不计粒子的重力和粒子间的相互作用。求
（1）带电粒子在磁场中运动的周期T；
（2）磁场的磁感应强度B的大小；
（3）若恰好不能从AC边离开磁场的粒子最终从O点离开磁场，求粒子进入磁场时的速度大小v₁；
（4）若从OA边两个不同位置射入磁场的粒子，先后从OC边上的同一点P（图中未标出）射出磁场，这两个粒子经过P点的时间间隔与P点位置有关，若该时间间隔的最大值为，求粒子进入磁场时的速度大小v_2。

8 . 如图所示，在xOy平面内，MN与y轴平行，间距为d，其间有沿x轴负方向的匀强电场，y轴左侧有垂直纸面向外的匀强磁场，磁感应强度大小为B₁；MN右侧空间有垂直纸面不随时间变化的匀强磁场，质量为m、电荷量为q的粒子以v₀的速度从坐标原点O沿x轴负方向射入磁场，经过一段时间后再次回到坐标原点，粒子在此过程中通过电场的总时间，粒子重力不计，求：
（1）左侧磁场区域的最小宽度；
（2）电场区域电场强度的大小；
（3）右侧磁场区域宽度及磁感应强度满足的条件。

9 . 如图所示，坐标轴上有和两点.在∆OCA区域内有垂直于平面向里的匀强磁场.一群质量为、电荷量为的同种粒子(粒子间相互作用不计)，同一时刻从边以平行于轴方向射入磁场.粒子射入磁场前间距均匀(极小)、速度相同.从边射出的粒子占粒子总数的.不计重力.下列说法正确的是（     ）

A．粒子在磁场中沿顺时针方向运动

B．粒子在磁场中运动时间最长为

C．粒子速度大小为

D．粒子在磁场中运动时间最短为

10 . 如图所示，粒子源O可以源源不断地产生初速度为零的正离子同位素，即这些正离子带相同的电量q，质量却不相同。所有的正离子先被一个电压为U₀的匀强加速电场加速，再从两板中央垂直射入一个匀强偏转电场，已知此偏转电场两板间距为d，板间电压为2U₀，偏转后通过下极板上的小孔P离开电场。经过一段匀速直线运动后，正离子从Q点垂直于边界AB进入一正方形的区域匀强磁场（磁感应强度为B，方向垂直纸面向里），不计正离子的重力及离子之间的相互作用力，求：

(1)当正离子从P点离开偏转电场时，求P点和极板左端间的距离L以及此时的速度偏转角φ；
(2)求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径R；
(3)若质量为4m的离子垂直打在磁场边界AD的中点处，求能打在边界AD上的正离子的质量范围。