1 . 下列关于Li、C、Al、S四种元素的说法错误的是

A．元素Li、C的氯化物中，各原子均满足8电子的稳定结构

B．元素C与H形成的H2C=CH2分子中既含有极性键又含有非极性键

C．已知AlCl3为共价化合物，则Al和Cl原子间形成的化学键为共价键

D．元素S可与元素C形成共价化合物CS2

2 . 中科院苏州研究所研究成功新的5纳米激光光刻技术，有望打破阿斯美在这一领域的垄断，为国产芯片生产提供了契机。光刻胶的主要原料一般由C、H、O组成的大分子，回答下列问题：
(1)与C同周期的主族元素中，第一电离能最大的是__(填元素符号，下同)，电负性最小的是__，与基态C原子具有相同未成对电子数的元素是__。
(2)()4—羟基二苯甲酮衍生物通常作为光刻技术的光引发剂，该分子中，C原子的杂化方式为__。
(3)X是碳的一种氧化物，X的五聚合体结构如图所示，X分子中每个原子都满足最外层8电子结构，X分子的电子式为__，X分子中碳碳键的夹角为__，X的沸点__CO₂的沸点(填“大于”“小于”或“等于”)，原因是__。

(4)有机卤化铅晶体具有独特的光电性能，其晶胞结构如图所示，若该晶胞的边长为anm，则最近的两个Cl^-中心间的距离是__，在该晶胞的另一种表达方式中，若图中Pb²⁺处于顶点位置，则Cl^-处于__位置。

3 . 含硼化合物有着重要的用途。回答下列问题：
(1)2021年7月，我国某科研团队发表论文，成果是合成3种二维过渡金属硼化物Mo₂B₂、Ti₂B₂、Cr₂B₂，该金属硼化物对CO₂和N₂在水溶液中电化学转化为尿素[CO(NH)₂]具有很高的催化活性。
①基态B原子的电子排布式为_______；基态Ti原子核外占据最高能层电子的电子云轮廓图的形状为_______。
②C、N、O、H四种元素的电负性由大到小的顺序为_______，判断依据是_______。
③CO(NH₂)₂分子中，σ键与π键数目之比为_______。
(2)NaBH₄是有机合成中常用的还原剂，BH离子的空间构型为_______，其中心原子的杂化轨道类型为_______，与BH互为等电子体的一种阳离子为_______(填离子符号)。
(3)硼化钙可用于新型半导体材料，一种立方晶系硼化钙的晶胞结构如图所示。

该硼化钙的化学式为_______；若晶胞参数为a pm，晶体密度为ρg·cm^-3， 则阿伏加德罗常数的值N_A=_______。

5 . 纯碱和硅酸钠都属于碳族元素的含氧酸盐，性质既相似又不同。回答下列问题：
(1)纯碱中碳原子的杂化方式为_______。基态碳原子中未成对电子有_______个。
(2)某硅氧离子的空间结构示意图如图所示(虚线不表示共价键)。Si-O键的键角为_______， 该硅氧离子的化学式为_______。该硅氧离子的钠盐溶液中存在的微粒间作用力类型有_______ (选填序号)。
A.范德华力                    B.氢键                  C.离子键                  D.共价键

(3)硅烷数量、种类比烷烃_______(填“多”或“少”)；酸性： H₂CO₃_______H₂SiO₃(填“>”、“<”或“=”)，试解释酸性强弱的原因_______。
(4)单质硅的晶胞结构如图所示，已知单质硅的密度为ρg·cm^-3，若N_A是阿伏加德罗常数的值，则Si- Si 键的键长为_______nm。(用含 N、ρ的代数式表示，列式即可，不用计算)

6 . 砷化铝 (AlAs)常用作光谱分析试剂和制备电子组件的原料，是一种新型半导体材料。回答下列问题：
(1)基态As原子的核外价电子排布图为___________；第一电离能I_1(As)___________I_1(Se) (填“大于”或“小于”)，其原因是___________。
(2)As₄S₄的分子结构中均为单键，且每个原子最外层均满足8e^-稳定结构，则该分子中所含共价键数目为___________；分别指出分子中As、S原子的杂化轨道类型___________、___________。
(3)AlF₃的熔点约为1040℃，AlCl₃的熔点为194℃，其晶体类型分别是___________、___________。
(4)高纯AlAs(砷化铝)可用于芯片制造。芯片制造中的一种刻蚀过程如图1所示，其中的致密保护膜可阻止H₂O₂刻蚀液与下层GaAs(砷化镓)反应。 ①上述致密保护膜是一种常见的氧化物，其化学式为___________。
②已知AlAs的立方晶胞如图2所示，其中As的配位数为___________；该晶体密度为ρ g·cm^-3，设N_A为阿伏加德罗常数的值，晶胞参数为___________pm。

9 . 氟代硼铍酸钾(含K、B、Be、O、F元素)晶体是唯一可直接倍频产生深紫外激光非线性光学晶体。回答下列问题：
(1)基态钾原子的核外电子排布式为___，B、Be、O的第一电离能从大到小的顺序是___。
(2)氟硼酸钾是制备氟代硼铍酸钾的原料之一，高温下分解为KF和BF₃，氟硼酸钾晶体中所含的化学键有_____(填序号)。
a.离子键       b.非极性键       c.极性键     d.配位键     e.金属键
(3)BF₃易水解得到硼酸和氢氟酸。氢氟酸浓溶液中因F^-与HF结合形成，使酸性大大增强。的结构式为____，BF₃中除了含有σ键，还含有大π键，大π键可表示为___。写出一种与互为等电子体的分子____(写化学式)。
(4)如图甲所示是一种链式硼酸根离子的部分结构，则该硼酸根离子是_______(填离子符号)。

(5)BeO晶体也是制备氟代硼铍酸钾的原料，图乙为其晶胞结构示意图。
①沿着晶胞体对角线方向的投影，下列图中能正正确描述投影结果的是____(填序号)。

②设O与Be的最近距离为acm，N_A表示阿伏加德罗常数的值，则BeO晶体的密度为_g·cm^-3。

10 . a、b、c、d、e、f、g、h八种主族元素分布在三个不同的短周期，它们的原子序数依次增大，其中b、c、d位于同一周期且相邻，e的原子半径是所有短周期主族元素中最大的．
请回答下列问题：
(1)a、d、e三种元素组成一种常见化合物，该化合物的电子式为___________，工业上利用某一个反应可同时生产该化合物和h的单质，写出该反应的化学方程式_____________________。
(2)c的单质分子中有3个共价键，f是一种重要的半导体材料，c与f能形成一种新型无机非金属材料X，则X的化学式为___________________。
(3)在的密闭容器中，通入气体和气体，一定温度下反应后生成气体，当反应达到平衡时，d₂的浓度为，则平衡时的转化率为___________。
(4)b的最简气态氢化物与h的气态单质在一定条件下发生反应，写出反应的化学方程式___________。