解题方法
1 . 部分含钠或硫的“价类二维图”如下图所示。下列推断合理的是
| A．b、c均具有还原性 | B．d、g、h中均存在共价键 |
| C．a可与氧气一步生成d或e | D．f一定可用做膨松剂 |
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2 . 化学助力蓝天保卫战。工业上可利用氨水吸收SO2尾气，生成NH4HSO3，再将其氧化得到(NH4)2SO4化肥。设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是
| A．22.4LNH3所含的分子数目为NA |
| B．64gSO2中所含的σ键数目为2NA |
C．2mol 完全氧化生成 ，转移的电子数目为2NA |
D．1L0.1mol/L(NH4)2SO4溶液中所含的 数目为0.2NA |
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解题方法
3 . 光催化氧化甲烷制甲醛的机理如图所示。设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是
A．在光催化剂表面会发生反应 |
| B．CH3OOH为中间产物 |
| C．上述过程中有非极性键的断裂与生成 |
| D．每生成30 g HCHO，总反应转移电子数目为4NA |
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名校
解题方法
4 . X、Y、Z、W、E均为短周期主族元素，原子序数依次增大，且E与其他元素均不在同一周期。这五种元素组成的一种化合物的结构如图所示。下列说法不正确的是
| A．W和E形成的化合物中可能存在共价键 |
| B．第一电离能：W＞Z＞Y |
| C．沸点：EX＞X2W＞ZX4 |
| D．Y的氟化物YF3中所有原子均为8电子稳定结构 |
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2023-04-28更新
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793次组卷
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3卷引用：广东省2022-2023学年高三下学期二模考试化学试题
名校
解题方法
5 . 六氟磷酸盐离子液体可用于有机合成的溶剂和催化剂，其结构如图所示，下列说法错误的是
A．阳离子中碳原子有 和 两种杂化方式 |
| B．阴、阳离子体积较大，离子之间作用力较弱，晶体的熔点较低 |
| C．该物质中存在的化学键类型：离子键、共价键 |
| D．所有原子均符合8电子稳定结构 |
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2023-04-27更新
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1105次组卷
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2卷引用：广东省大湾区2023届普通高中毕业班下学期联合模拟考试（二）化学试题
名校
解题方法
6 . W、Y、Z为原子序数依次增大的短周期元素，Y原子序数为W原子最外层电子数的3倍，由这三种元素构成的某物质结构如图所示。下列说法错误的是
| A．Y的最高价氧化物的水化物是弱酸 |
| B．Z、W和氢三种元素可形成既有离子键又有共价键的化合物 |
C．Z的简单氢化物可用于刻蚀玻璃，其电子式可表示为 |
| D．最简单氢化物的沸点：W＞Y |
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2022-02-24更新
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628次组卷
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3卷引用：广东省（梅县东山中学 广州五中 珠海二中 佛山三中）四校2021-2022学年高三下学期第二次联考化学试题
广东省（梅县东山中学 广州五中 珠海二中 佛山三中）四校2021-2022学年高三下学期第二次联考化学试题广东省四校2022届高三第二次联考化学试卷（已下线）押广东卷化学第13题 元素周期律-备战2022年高考化学临考题号押题
名校
解题方法
7 . 半导体工业中用到多种化学试剂及材料，下列有关说法正确的是
| A．一种光刻胶所含的聚乙烯醇月桂酸酯属于有机高分子材料 |
| B．刻蚀二氧化硅的HF和NH4F所含化学键类型相同 |
| C．清洗半导体硅片用的去离子水适合长期饮用 |
| D．半导体材料氮化镓(GaN)属于合金 |
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2022-01-25更新
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305次组卷
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3卷引用：广东省梅州市丰顺县和五华县2022届高三1月质检（一模）化学试题
名校
解题方法
8 . 短周期主族元素X、Y、Z、W原子序数依次增大，四种元素组成的一种食品添加剂结构如图所示，Z的原子半径在短周期中最大，W基态原子的s能级电子总数是p能级电子总数的2/3。
下列说法不正确的是
下列说法不正确的是
| A．Y、Z形成的简单离子半径： Y＞ Z |
| B．W、Y形成的简单氢化物沸点： Y ＞ W |
| C．Z分别与X、Y形成的化合物中所含化学键类型一定完全相同 |
| D．WX3、X2Y中W原子和Y原子的杂化轨道类型相同 |
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2022-01-22更新
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1060次组卷
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8卷引用：广东省梅州市梅江区梅州中学2022-2023学年高三上学期8月阶段性考试化学试题
解题方法
9 . 元素周期表第IIIA族包括B、Al、Ga等元素，它们参与形成的化合物有重要研究和应用价值，回答下列问题：
(1)Ga原子的价电子排布式为___________ ；Ga、As和Se的第一电离能由小到大的顺序是___________ 。
(2)实验发现，氯化铝的蒸气或溶于非极性溶剂中或处于熔融状态时，都以二聚态(Al2Cl6)形式存在。其球棍模型如图所示。
①该分子中Al原子采取___________ 杂化。
②Al2Cl6与过量NaOH溶液反应生成Na[Al(OH)4]，[Al(OH)4]-中存在的化学作用力类型有___________ (填标号)。
A．离子键 B．极性共价键 C．金属键 D．非极性共价键 E．配位键 F．σ键 G．氢键
(3)更高温度下Al2Cl6二聚体则离解成AlCl3，BF3是AlCl3的一种等电子体，结合价层电子对互斥理论判断，BF3的分子构型为___________ 。
(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点，在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃，GaAs熔点为1238℃，GaN熔点高于GaAs的原因是___________ 。
(5)GaN的其中一种晶胞结构如图所示，与金刚石的晶体结构高度相似。该晶胞中Ga原子处于N原子形成的___________ (填“正四面体形” 或“正八面体形”)空隙。已知GaN的密度为ρ g/cm3，Ga和As的摩尔质量分别为a g/mol和b g/mol，则GaN晶胞的边长为___________ pm(列出表达式)。
(1)Ga原子的价电子排布式为
(2)实验发现，氯化铝的蒸气或溶于非极性溶剂中或处于熔融状态时，都以二聚态(Al2Cl6)形式存在。其球棍模型如图所示。
①该分子中Al原子采取
②Al2Cl6与过量NaOH溶液反应生成Na[Al(OH)4]，[Al(OH)4]-中存在的化学作用力类型有
A．离子键 B．极性共价键 C．金属键 D．非极性共价键 E．配位键 F．σ键 G．氢键
(3)更高温度下Al2Cl6二聚体则离解成AlCl3，BF3是AlCl3的一种等电子体，结合价层电子对互斥理论判断，BF3的分子构型为
(4)GaN是第三代半导体材料的研究热点，在干燥的NH3气流中焙烧磨细的GaAs可制得GaN。GaN熔点约为1500℃，GaAs熔点为1238℃，GaN熔点高于GaAs的原因是
(5)GaN的其中一种晶胞结构如图所示，与金刚石的晶体结构高度相似。该晶胞中Ga原子处于N原子形成的
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10 . 下列说法正确的是
| A．氕、氘和氚中子数不同，互称为同素异形体 |
| B．对于∆H＞0自发进行的化学反应，有∆S＞0 |
C．同质量的水，体积大小为 |
| D．两原子形成化学键时要有电子得失或电子偏移 |
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