【推荐1】I.元素在周期表中的位置反映了元素的原子结构和性质。请回答下列有关硼(B)元素的问题：
(1)原子核内的中子数为________。
(2)铝元素在元素周期表中的位置为第三周期第IIIA族，硼元素在元素周期表中的位置为___________。
(3)的原子半径比的原子半径__________(填“大”或“小”)。
(4)硼元素的最高价氧化物对应的水化物酸性比氮元素的最高价氧化物对应的水化物酸性_______(填“强”或“弱”)。
II.如图是元素周期表的框架，请在表中①～⑩元素中回答问题。

①

②

③

④

⑤

⑥

⑦

⑧

⑨

⑩

请回答下列问题：
(1)元素②的原子结构示意图是_______________。
(2)在表中④、⑤、⑥三种元素的简单离子半径由小到大的顺序为_________(填离子符号)。
(3)其中⑤的最高价氧化物的水化物与⑦的最高价氧化物反应的离子方程式为___________________。
(4)⑧与⑩两种元素非金属较强的是_______(填元素符号)。

【推荐2】元素周期表是许多科学家共同努力的结晶。如图是元素周期表的一部分。

请回答下列问题：
(1)a元素的名称是_______，f在周期表中的位置________。
(2)e、f、g三种元素的简单离子半径由大到小的顺序是__________(用元素符号表示)。
(3)f、g的最高价氧化物的水化物的酸性：______________>_______________(填化学式)
(4)e的最高价氧化物与h的最高价氧化物对应的水化物反应的离子方程式为______________。
(5)b的简单氢化物沸点高于同主族相邻周期元素的简单氢化物，其原因是______________。
(6)写出c单质在空气中燃烧产物的电子式______________。
(7)用电子式表示由d和g两种元素形成的原子个数比为1：2的化合物的形成过程：_______

【推荐3】A、B、C、D、E五种短周期元素，原子序数依次增大，A、E同主族，A元素的原子半径是所有原子中最小的，B元素原子的最外层电子数是内层电子数的2倍，C元素的最高价氧化物的水化物与其氢化物能发生化合反应生成一种盐，D元素是地壳中含量最高的元素。回答下列问题：
(1)C元素的名称是____，在周期表中的位置是________。
(2)化合物BD₂的结构式是_________，化合物EA的电子式是___________。
(3)A、D、E三种元素形成的化合物中含有的化学键类型有_________。
(4) D、E元素分别形成的简单离子半径大小关系是_____(用离子符号表示)；B、C元素分别形成的简单气态氢化物的稳定性大小关系是___________(用化学式表示)。
(5)C元素的简单气态氢化物遇到蘸有浓硝酸的玻璃棒的现象是_________，其原因是_________(用化学方程式解释)

【推荐1】锰酸锂()是锂电池的正极材料。以软锰矿粉(主要成分是，含少量、、、CaO、MgO等)为原料制备锰酸锂的流程如下：

常温下，几种难溶物质的溶度积数据如下表：

物质

请回答下列问题：
(1)“酸浸”时，常在高压下充入，使用高压条件的目的是_______。
(2)滤渣1的主要成分是_______。
(3)“氧化”时发生反应的离子方程式为_______。
(4)“调pH”后取1.0L滤液，测得浓度为0.02mol/L，浓度为0.01mol/L，则至少需加入_______g，才能使废液中沉淀完全(当离子浓度mol/L^-1，可认为沉淀完全)。(保留两位小数)
(5)写出由制备的化学方程式_______。
(6)镍钴锰酸锂是锂电池的关键三元正极材料，化学式为。
①基态Ni原子的价电子排布式为_______。
②锰和铁处于同一周期，锰、铁电离能数据如表所示：

元素	I1/(kJ·mol-1)	I2/(kJ·mol-1)	I3/(kJ·mol-1)
Mn	717.3	1509.9	3248
Fe	762.5	1561.9	2953

请解释I₃(Mn)>I₃(Fe)的主要原因：_______。

【推荐2】钾和碘的相关化合物在化工、医药、材料等领域有着广泛的应用。回答下列问题：
(1)基态K原子中，核外电子占据最高能层的符号是_______，占据该能层电子的电子云轮廓图形状为_______。K和Cr属于同一周期，且核外最外层电子构型相同，但金属K的熔点、沸点等都比金属Cr低，原因是_______
(2)X射线衍射测定等发现，I₃AsF₆中存在I离子，I离子的几何构型为_______，中心原子的杂化形式为_______。

(3)KIO₃晶体是一种性能良好的非线性光学材料，具有钙钛矿型的立方结构，边长为a=0.446nm，晶胞中K、I、O分别处于顶角、体心、面心位置，如图所示。K与O间的最短距离为_______nm，(√2=1.414，√3=1.732，√5=2.236，结果保留3位小数)，与K紧邻的O个数为_______。
(4)在KIO₃晶胞结构的另一种表示中，I处于各顶角位置，则K处于_______位置，O处于_______位置。
(5)N_A表示阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度是_______g·cm^-3(写出表达式即可)

【推荐3】芯片作为科技产业，以及信息化、数字化的基础，自诞生以来，就一直倍受关注，也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤；沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素，基态Ga原子的核外电子排布为：___________；
②GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石，熔点如表所示：试分析三者熔点变化的原因___________。

物质	GaN	GaP	GaAs
熔点/℃	1700	1480	1238

③将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料，晶体结构如甲图。

掺杂Mn之后，晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为___________。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶，结构如图乙所示，其S的杂化方式为___________。

(3)“刻蚀”过程可能用到刻蚀剂HF，及清洗剂，三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________，HF分子的极性___________(填“大于”“等于”或“小于”)HCl，1mol氟硼酸铵中含有___________mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高，请解释原因___________。
②LiF晶体的密度约为，LiF晶胞的体积约为___________cm³(计算结果保留一位有效数字)。

【推荐1】I、完成下列填空。
（1）第三周期中，第一电离能最小的元素是___________，第一电离能最大的元素是___________。（填元素符号）
（2）分子中σ键数目：C₂H₄_____CH₄ ；原子轨道能量：3d___________4s（用“＞”或“＜”完成下列填空）
（3）N≡N的键能为942kJ·mol^-1，N—N单键的键能为247kJ·mol^-1，通过计算说明N₂中的___________键更稳定（填“σ”或“π”）
II、A、B、C代表3种元素。请填空：
（1）A的原子的3p轨道上只有1个电子的自旋方向与其他电子的自旋方向相反，写出该原子价电子的轨道表示式：_______________________________，核外电子运动状态有_______种。
（2）B是原子序数为35的元素，其原子中有___________个电子层，有_________个能级。
（3）C元素基态原子的M层全充满，N层没有成对电子，只有一个未成对电子，元C素基态原子的电子排布式为____________________________，其单质在一定条件下能与浓硫酸反应，试写出该反应方程式:____________________________。

【推荐2】氮元素有着多变价态和种类繁多的化合物，在工农业生产中有重要的应用。
(1)同周期元素中，比氮元素的第一电离能大的元素共有______________种。
(2)NF₃与汞共热可制得N₂F₂。
①NF₃的几何构型为______________，N₂F₂ 中σ键和π键的个数比为_____________。
②已知汞位于第六周期，与锌同族。基态汞原子的价电子排布式为_____________。
(3)H₃N-BH₃分子中B原子的杂化轨道类型为_________，该分子的熔沸点比乙烷高，原因是________________________。
(4)由B、N、F元素组成的离子化合物中，B、N、F原子的个数比为1:1: 8,其阴阳离子是等电子体,该化合物中的阴离子是__________(填离子符号)。
(5)氮化硼晶体结构如图所示。

①该晶体中含有的微粒间作用力为______________________。
②图中N原子的坐标参数为 (，， )；(，，)；(，，)；________。
③已知BN晶胞中相邻且最近的硼、氢原子的核间距为acm，N_A为阿伏加 德罗常数的值.其密度为_____________g•cm^-3 (列出计算式即可)。

【推荐3】A、B、C、D、E是短周期的5种非金属主族元素，其中A、B、C的价电子排布可表示为A:as^a，B:bs^bbp^b，C:cs^ccp^2c。D与B同主族，E在C的下一周期，且E是同周期元素中电负性最大的元素。回答下列问题:
（1）由A、B、C、E中的任意两种元素可组成多种分子，下列分子属于极性分子的是____(填序号)。
①BC₂　②BA₄　③A₂C₂　④BE₄
（2）C的常见氢化物的沸点比下一周期同族元素的氢化物沸点高，其原因是_____。
（3）B、C两元素都能和A元素组成两种常见的溶剂，其分子式分别为________、________。DE₄在前者中的溶解性_______(填“大于”或“小于”)在后者中的溶解性。
（4）BA₄、BE₄和DE₄的沸点从高到低的顺序为___________(用化学式表示)。
（5）A、C、E三种元素可形成多种含氧酸，如AEC、AEC₂、AEC₃、AEC₄等，以上列举出的四种酸的酸性由强到弱的顺序为___________________(用化学式表示)。

【推荐1】【物质结构与性质】纯铜在工业上主要用来制造导线、电器元件等，铜能形成多种-1和+2价态的化合物且其化合物常带有颜色。
（1）写出基态Cu⁺的核外电子排布式____________；
（2）如图结构是铜的某氧化物的晶体结构的最小重复单元，则该氧化物的化学式为____________；

（3）向硫酸铜溶液中滴加氨水会生成蓝色沉淀，在滴加氨水至沉淀刚好全部溶解时可得到蓝色溶液，继续向其中加入极性较小的乙醇可以生成深蓝色的[Cu（NH₃）₄]SO₄•H₂O沉淀。
①该沉淀中S原子的杂化类型为____________；
②写出一种与NH₃分子互为等电子体的阳离子的化学式____________。
（4）NH₃的沸点高于PH₃，原因是____________
（5）CuO的熔点比CuCl的熔点____________（填“高”或“低”），其原因是____________。

【推荐2】第四周期的 Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn 等许多金属能形成配合物。
（1）NH₃ 是一种很好的配体，氨气分子是_____（填“极性”或“非极性”）分子，NH₃ 的沸 点_____（填“高于”“等于”或“低于”）AsH₃。
（2）科学家通过 X 射线测得胆矾的结构示意图可简单表示如下：

图中虚线表示的作用力为_________________________。
（3）胆矾溶液与氨水在一定条件下可以生成 Cu(NH₃)₄SO₄•H₂O 晶体。在 Cu(NH₃)₄SO₄·H₂O 晶体中，含 有的原子团或分子有：[Cu(NH₃)₄]²⁺、NH₃、 SO₄^2 、H₂O，[Cu(NH₃)₄]²⁺为平面正方形结构，则   VSEPR 模型为四面体结构的原子团或分子是_____________，其中心原子的杂化轨道类型是________________ 。
（4）金属镍粉在 CO 气流中轻微加热，生成无色挥发性液态 Ni(CO)₄，呈正四面体构型。Ni(CO)₄ 易溶于_____________________ （填编号）。
a . 水                              b. 四氯化碳                         c. 苯                                d.   硫酸镍溶液

【推荐3】已知A、B、C、D、E都是元素周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E。B原子的p轨道半充满，形成的氢化物的沸点是同主族元素的氢化物中最低的。D原子得到一个电子后3p轨道全充满。A^＋比D原子形成的离子少一个电子层。C与A形成A₂C型离子化合物。E的原子序数为26，E原子或离子外围有较多能量相近的空轨道而能与一些分子或离子形成配合物。请根据以上情况，回答下列问题：(答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示)
（1）A、B、C、D的电负性由小到大的顺序为________________。
（2）C的最高价氧化物分子是________(填“极性”或“非极性”)分子。
（3）与B同主族元素X,其气态氢化物是同主族元素的氢化物中沸点最高的，解释X的气态氢化物极易溶于水的原因：①_______________②_______________
（4）E的一种常见配合物E(CO)₅常温下呈液态，熔点为－20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂。据此可判断E(CO)₅的晶体类型为____；E(CO)₅在一定条件下发生分解反应：E(CO)₅===E(s)＋5CO，反应过程中，断裂的化学键只有配位键，形成的化学键是________________。
（5）金属E单质的晶体在不同温度下有两种堆积方式，晶胞如图所示。
体心立方晶胞和面心立方晶胞中E原子的配位数之比为________________。