解题方法
1 . 下列表示物质结构的化学用语正确的是
A.表示不同的核素 | B.甲烷的分子结构模型: |
C.的电子式: | D.钾原子的结构示意图: |
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2 . 下列化学用语,表述正确的是
A.SO3的VSEPR模型: |
B.S2-的结构示意图: |
C.HF分子中σ键的形成示意图为 |
D.用电子式表示MgCl2的形成过程: |
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3 . 下列化学用语或图示表达正确的是
A.基态N原子的电子排布式: | B.丙烯的键线式: |
C.键电子云轮廓图 | D.的VSEPR模型 |
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4 . 碳和硅是ⅣA族的重要元素,碳可形成多种化合物,硅是信息时代的基石,下面是有关的化合物及其转化。
Ⅰ.乙烯是基本的化工原料,合成乙醇的路线如图
(1)乙烯的电子式为______ ,根据碳氧原子成键特点写出乙醇同分异构体的结构简式______ 。
(2)第二步是取代反应,写出该反应的化学方程式______ 。
Ⅱ.高温(1100℃)还原可得到高纯硅,实验室用下列装置模拟该过程(部分加热装置省略)
已知:沸点33℃,遇水剧烈反应生成硅酸(3)B中采取热水浴的目的是______ ,C中发生的反应为______ 。
(4)该装置存在的缺陷是______ 。
(5)碳硅位于同一主族,根据同主族元素递变规律,非金属性碳______ 硅(填“>”或“<”),下列能说明上述规律的是______ 。
a.焦炭与石英砂高温反应制取粗硅;
b.二氧化碳通入水玻璃产生白色沉淀
c.碳化硅与浓强碱发生非氧化还原反应:
d.石灰石和石英高温制玻璃:
Ⅰ.乙烯是基本的化工原料,合成乙醇的路线如图
(1)乙烯的电子式为
(2)第二步是取代反应,写出该反应的化学方程式
Ⅱ.高温(1100℃)还原可得到高纯硅,实验室用下列装置模拟该过程(部分加热装置省略)
已知:沸点33℃,遇水剧烈反应生成硅酸(3)B中采取热水浴的目的是
(4)该装置存在的缺陷是
(5)碳硅位于同一主族,根据同主族元素递变规律,非金属性碳
a.焦炭与石英砂高温反应制取粗硅;
b.二氧化碳通入水玻璃产生白色沉淀
c.碳化硅与浓强碱发生非氧化还原反应:
d.石灰石和石英高温制玻璃:
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5 . 下列有关化学用语的表示正确的是
A.N2的结构式:N=N | B.NH3的电子式: |
C.中子数为18的氯原子: | D.氯化铵的电离方程式:NH4Cl=+Cl- |
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6 . A、B、C、D、E代表5种元素。请填空:
(1)A元素基态原子的最外层有3个未成对电子,次外层有2个电子,其基态原子的电子排布图为___________ 。
(2)B元素的负一价离子和C元素的正一价离子的电子层结构都与氩相同,B-的结构示意图为___________ ,C元素在元素周期表的___________ 区,写出常温下B的单质与C的最高价氧化物对应水化物反应的化学方程式:___________ 。
(3)D元素的正三价离子的3d能级为半充满状态,其基态原子的电子排布式为___________ 。
试根据原子核外电子排布所遵循的原理解释D的二价阳离子具有较强的还原性,易被氧化为正三价离子的原因:___________ 。
(4)E元素基态原子的M层全充满,N层没有成对电子,只有一个未成对电子,其基态原子的价电子排布式为___________ 。
(1)A元素基态原子的最外层有3个未成对电子,次外层有2个电子,其基态原子的电子排布图为
(2)B元素的负一价离子和C元素的正一价离子的电子层结构都与氩相同,B-的结构示意图为
(3)D元素的正三价离子的3d能级为半充满状态,其基态原子的电子排布式为
试根据原子核外电子排布所遵循的原理解释D的二价阳离子具有较强的还原性,易被氧化为正三价离子的原因:
(4)E元素基态原子的M层全充满,N层没有成对电子,只有一个未成对电子,其基态原子的价电子排布式为
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7 . 下列表示反应中相关微粒的化学用语正确的是
A.基态氧原子的轨道表示式: | B.中子数为18的氯原子: |
C.的空间填充模型: | D.的电子式: |
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8 . 下列表示反应中相关微粒的化学用语正确的是
A.中子数为18的氯原子: |
B.HCl的电子式为:H:Cl |
C.的原子结构示意图: |
D.NaHCO3的电离方程式:NaHCO3 = Na+ + H+ + |
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9 . 下列化学用语表述正确的是
A.结构式为 | B.结构示意图为 |
C.电子式为: | D.中子数为8的氧原子: |
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10 . 下列有关化学用语表述正确的是
A.和的离子结构示意图均可以表示为 |
B.的结构式: |
C.的电子式: |
D.质子数为92、中子数为146的原子: |
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