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解析
| 共计 46 道试题
1 . 现有两种元素的基态原子的电子排布式如下:
① 1s22s22p63s23p4 ② 1s22s22p63s23p3 。则下列有关比较中正确的是
A.未成对电子数:①>②B.原子半径大小:①>②
C.电负性大小:②>①D.第一电离能大小:②>①
2 . A、B、C、D是四种短周期元素,E是过渡元素。A、B、C同周期,C、D同主族,A的原子结构示意图为:,B是同周期第一电离能最小的元素,C的最外层有三个成单电子,E的外围电子排布式为3d64s2。回答下列问题:
(1)用化学式表示上述五种元素中最高价氧化物对应水化物酸性最强的是__________,碱性最强的是_________
(2)用元素符号表示D所在周期(除稀有气体元素外)第一电离能最大的元素是__________,电负性最大的元素是__________
(3)D的氢化物比C的氢化物的沸点高,原因____________________
(4)E元素在周期表的第_______周期,第________族,已知元素周期表可按电子排布分为s区、p区等,则E元素在_______区。
(5)B、C最高价氧化物的晶体类型是分别是______晶体、______晶体
2020-11-29更新 | 122次组卷 | 1卷引用:福建省建瓯市芝华中学2021届高三上学期第二次阶段考(期中)化学试题
3 . 以下有关元素性质的说法不正确的是(       
A.具有下列电子排布式的原子中:①1s22s22p63s23p2,②1s22s22p3,③1s22s22p2,④1s22s22p63s23p4,原子半径最大的是①
B.下列价电子排布式的原子中:①3s23p1,②3s23p2,③3s23p3,④3s23p4,第一电离能最大的是③
C.①Na、K、Rb,②N、P、As,③O、S、Se,④Na、P、Cl中,元素的电负性随原子序数增大而递增的是④
D.某元素气态基态原子的逐级电离能分别为738、1451、7733、10540、13630、17995、21703,当它与氯气反应时可能生成的阳离子是X3+
2020-08-21更新 | 1226次组卷 | 37卷引用:福建省建瓯市芝华中学2021-2022学年高二下学期第一次阶段考化学试题
4 . 短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大。用表中信息判断下列说法正确的是
元素
XYZW
最高价氧化物的水化物H3ZO4
溶液对应的pH(25℃)1.0013.001.570.70
A.元素电负性:Z<WB.简单离子半径:W<Y
C.元素第一电离能:Z<WD.简单氢化物的沸点:X<Z
2020-07-11更新 | 8518次组卷 | 45卷引用:福建省福州第一中学2021-2022学年高二下学期期中考试化学试题
5 . 我国科研人员发现了一种新型超导体,由交替堆叠构成。已知位于第六周期VA族,下列有关说法错误的是
A.的价电子排布式为
B.有关元素的电负性:
C.属于含共价键的离子化合物
D.该新型超导体的组成元素全部位于元素周期表p区
2020-05-12更新 | 839次组卷 | 17卷引用:福建省泉州实验中学2021届高三3月测试(二)化学试题
6 . 氮化钛(Ti3N4)为金黄色晶体,由于具有令人满意的仿金效果,越来越多地成为黄金的代替品。以TiCl4为原料,经过一系列反应可以制得Ti3N4和纳米TiO2(如图1)。

图中的M是短周期金属元素,M的部分电离能如表:

I1

I2

I3

I4

I5

电离能/(kJ/mol)

738

1451

7733

10540

13630


请回答下列问题:
(1)Ti的基态原子外围电子排布式为________________
(2)M是________(填元素符号),该金属晶体的堆积模型为六方最密堆积,配位数为____
(3)纳米TiO2是一种应用广泛的催化剂,纳米TiO2催化的一个实例如图2所示。化合物甲的分子中采取sp2方式杂化的碳原子有________个,化合物乙中采取sp3方式杂化的原子3对应的元素的电负性由大到小的顺序为________________

(4)有一种氮化钛晶体的晶胞与NaCl晶胞相似,如图3所示,该晶胞中N、Ti之间的最近距离为a pm,则该氮化钛的密度为________________g/cm3 (NA为阿伏加 德罗常数的值,只列计算式)。该晶体中与氮原子距离相等且最近的氮原子有________个。
(5)科学家通过X-射线探明KCl、MgO、CaO、TiN的晶体与NaCl的晶体结构相似。且知三种离子晶体的晶格能数据:
离子晶体NaClKClCaO
晶格能/(kJ/mol)7867153401

KCl、CaO、TiN三种离子晶体熔点由高到低的顺序为__________________
7 . 砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题:
(1)Ga基态原子核外电子排布式为________________,As基态原子核外有__________个未成对电子。
(2)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________,Ga、As、Se的电负性由大到小的顺序是__________________
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因:________,GaF的熔点超过1000℃,可能的原因是__________________________
镓的卤化物CaCl3CaBr3CaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
(4)二水合草酸镓的结构如图1所示,其中镓原子的配位数为__________,草酸根离子中碳原子的杂化轨道类型为__________
(5)砷化镓的立方晶胞结构如图2所示,晶胞参数为a=0.565nm,砷化镓晶体的密度为__________g·cm-3(设NA为阿伏加 德罗常数的值,列出计算式即可)。
9 . GaN是制造5G芯片的材料,氮化镓铝和氮化铝LED可发出紫外光。回答下列问题:
(1)基态As原子核外电子排布式为[Ar]____________;下列状态的铝元素中,电离最外层的一个电子所需能量最小的是______________(填标号)。
A.            B.          C.          D.
(2)8—羟基喹啉合铝(分子式C27H18AlN3O3)用于发光材料及电子传输材料,可由LiAlH4 8—羟基喹啉)合成。LiAlH4中阴离子的空间构型为______________; 8—羟基喹啉合铝中所含元素电负性最大的是______________(填元素符号,下同),第一电离能最大的是__________(填元素符号),N原子的杂化方式为_____________
(3)已知下列化合物的熔点:
化合物AlF3GaF3AlCl3
熔点/℃10401000194

①表格中卤化物的熔点产生差异的原因是_______________________________________________
②熔融AlCl3时可生成具有挥发性的二聚体Al2Cl6分子,分子中每个原子最外层均达到8电子,二聚体Al2Cl6的结构式为______________________________;其中Al的配位数为_________
10 . 常见的太阳能电池有单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、GaAs太阳能电池及铜铟镓硒薄膜太阳能电池等。       
(1)Ga 基态原子核外电子排布式为_______,As 基态原子核外有_______个未成对电子。
(2)Ga、As、Se 的电负性由大到小的顺序是__________
(3)GaCl3和AsF3的立体构型分别是______________________
(4)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点,分析其变化的原因:____________
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346

GaF3的熔点超过1000 ℃,可能的原因是_____
(5)硼酸(H3BO3)本身不能电离出H+,在水中易结合一个OH-生成[B(OH)4]-,而体现弱酸性。[B(OH)4]-中B原子的杂化类型为______
(6)若以硅原子代替金刚石晶体中的碳原子,便得到晶体硅,若将金刚石晶体中一半的碳原子换成硅原子,且碳、硅原子交替,即得到碳化硅晶体(金刚砂)。金刚石、晶体硅、碳化硅的熔点由高到低的排列顺序是__________ (用化学式表示);
2019-05-28更新 | 119次组卷 | 1卷引用:【全国百强校】福建省厦门第一中学2018-2019学年高二上学期期中考试化学试题
共计 平均难度:一般